磁传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种磁传感器。本公开的课题为谋求小型化。本公开的磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部(131～134)。多个磁阻图案部(131～134)沿着第1方向(D1)排列。多个磁阻图案部(131～134)分别沿着与第1方向(D1)正交的第2方向(D2)形成。在从与第1方向(D1)和第2方向(D2)这两者正交的第3方向观察时，多个磁阻图案部(131～134)分别形成为曲折形状。在从第3方向观察时，多个磁阻图案部(131～134)各自的形心(c11、c12、c13、c14)位于多个磁阻图案部(131～134)的第2方向(D2)上的中心线(L2)上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本公开一般而言涉及磁传感器，更详细而言，涉及具有多个磁阻图案部的磁传感器。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了具有绝缘基板(支承基板)和设于绝缘基板上的磁阻膜的磁阻元件(磁传感器)。磁阻膜包括多个双重曲折感磁图案单元(磁阻图案部)。多个双重曲折感磁图案单元沿着磁体相对于磁阻元件的移动方向排列。
[0003]在专利文献1所述的磁阻元件中，存在大型化这样的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2001
‑
141514号公报

技术实现思路

[0007]技术要解决的问题
[0008]本公开的目的在于提供一种能够谋求小型化的磁传感器。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一方式的磁传感器是基于检测对象沿着第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化来对所述检测对象的位置进行检测的磁传感器。所述检测对象在所述第1方向上以预定的磁化周期被磁化。所述磁传感器具有多个磁阻图案部。所述多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其基于在第1方向上以预定的磁化周期被磁化的检测对象沿着所述第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对所述检测对象的位置进行检测，其特征在于，该磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部，所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向排列，所述多个磁阻图案部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成，在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个磁阻图案部分别形成为曲折形状，在从所述第3方向观察时，所述多个磁阻图案部各自的形心位于所述多个磁阻图案部的所述第2方向上的中心线上。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述多个磁阻图案部各自的图案宽度为所述磁化周期的15％以上且25％以下。3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述多个磁阻图案部各自的局部以在所述第2方向上与在所述第1方向上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在所述第1方向上所述相邻的磁阻图案部侧突出。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：大山裕树，神田一宏，大林正彦，谷川秀之，田川正孝，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：新型
国别省市：