半导体结构及其形成方法技术

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层；介质层，位于所述第二晶圆表面；第二再布线层，位于所述介质层中，所述第二再布线层的第一部分电连接所述硅通孔，所述第二再布线层的第二部分位于所述第二金属连线层上方；第二通孔，位于所述第二布线层的第二部分下方且电连接所述第二再布线层的第二部分，所述第二通孔不与所述第二金属连线层直接相连；第三通孔，位于所述第二通孔下方且电连接所述第二金属连线层和所述第二通孔。和所述第二通孔。和所述第二通孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]硅通孔(Through Silicon Via，TSV)可以用于在3D集成封装中连接晶圆。在一些3D集成封装工艺中，TSV不与堆叠晶圆上的器件层直接连接，而是需要再布线层(Redistribution layers，RDLs)和通孔来连接硅通孔和堆叠晶圆上的器件以实现电连接。
[0003]然而，目前的硅通孔工艺中仍然存在再布线层和通孔尺寸过大，导致晶圆整体尺寸过大的问题。因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以缩小再布线层和通孔的尺寸，进而降低晶圆的整体尺寸。
[0005]本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层；在所述硅通孔表面和所述第二晶圆表面形成介质层；在所述介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层；在所述硅通孔表面和所述第二晶圆表面形成介质层；在所述介质层中形成第一沟槽，所述第一沟槽的第一部分暴露所述硅通孔，所述第一沟槽的第二部分位于所述第二金属连线层上方；在所述第一沟槽的第二部分底部形成位于所述第二金属连线层上方的第二沟槽，所述第二沟槽不暴露所述第二金属连线层；在所述第二沟槽底部形成暴露所述第二金属连线层的第三沟槽；在所述第一沟槽中形成第二再布线层、在所述第二沟槽中形成第二通孔、在所述第三沟槽中形成第三通孔。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽的方法包括湿法刻蚀或干法刻蚀。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二再布线层、所述第二通孔、所述第三通孔的方法包括：在所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽中填充导电材料；研磨去除高于所述第一沟槽表面的导电材料。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三通孔的尺寸小于所述第二通孔的尺寸。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：马慧琳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：