E类功率放大器及射频前端模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种E类功率放大器及射频前端模组，该E类功率放大器，包括第一功率放大电路和第一晶体管电路；第一晶体管电路的一端耦合至第一功率放大电路的输出路径，第一晶体管电路的另一端接地；第一晶体管电路包括至少一个第一晶体管；每一第一晶体管的基极或栅极与集电极或源极相连；第一晶体管电路被配置为对第一功率放大电路的输出节点的输出电压进行钳制，以及在第一功率放大电路导通时充电和在第一功率放大电路关断时放电，从而保证E类功率放大器的性能不变的前提下，减小E类功率放大器的占用面积。率放大器的占用面积。率放大器的占用面积。

【技术实现步骤摘要】
E类功率放大器及射频前端模组


[0001]本技术涉及射频
，尤其涉及一种E类功率放大器及射频前端模组。

技术介绍

[0002]E类功率放大器是一种高效率的开关类功率放大器。在现有技术中，为了使功率放大器可以工作在E类工作状态，需要在该功率放大器的输出端接入一个电容值较大的开关电容。然而，由于容值较大的开关电容的占用面积往往很大，从而导致E类功率放大器在芯片或基板上的占用面积很大，不利于功率放大器的集成化设计。因此，如何在保证E类功率放大器的性能不变的前提下减小功率放大器的面积成为目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种E类功率放大器及射频前端模组，以解决无法同时兼顾E类功率放大器的面积和性能的问题。
[0004]一种E类功率放大器，包括第一功率放大电路和第一晶体管电路；
[0005]所述第一晶体管电路的一端耦合至所述第一功率放大电路的输出路径，所述第一晶体管电路的另一端接地；
[0006]所述第一晶体管电路包括至少一个第一晶体管；每一所述第一晶体管的基极或栅极与集电极或源极相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种E类功率放大器，其特征在于，包括第一功率放大电路和第一晶体管电路；所述第一晶体管电路的一端耦合至所述第一功率放大电路的输出路径，所述第一晶体管电路的另一端接地；所述第一晶体管电路包括至少一个第一晶体管；每一所述第一晶体管的基极或栅极与集电极或源极相连；所述第一晶体管电路被配置为对所述第一功率放大电路的输出节点的输出电压进行钳制，以及在所述第一功率放大电路导通时充电和在所述第一功率放大电路关断时放电。2.如权利要求1所述的E类功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管电路包括串联连接的两个第一晶体管，其中一所述第一晶体管的集电极或源极耦合至所述第一功率放大电路的输出路径，其中一所述第一晶体管的发射极或漏极与另一所述第一晶体管的集电极或源极连接，另一所述第一晶体管的发射极或漏极接地。3.如权利要求1所述的E类功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管电路包括并联连接的两个第一晶体管，所述两个第一晶体管的集电极或源极耦合至所述第一功率放大电路的输出路径，所述两个第一晶体管的发射极或漏极接地。4.如权利要求1所述的E类功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管电路包括并联连接的两个第一晶体管，其中一所述第一晶体管的集电极或源极耦合至所述第一功率放大电路的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗文，赖晓蕾，秦华，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：