雷涌保护电路以及具有其的射频信号处理设备制造技术

根据本发明专利技术的雷涌保护电路是电涌吸收器（１）和二极管（２）的串联电路，并且对应于二极管阴极的电涌吸收器（１）的一端连接到二极管（２）的阴极。根据本发明专利技术的雷涌保护电路用在一种方式中，在该方式中对应于二极管阳极的电涌吸收器（１）的一端接地，并且二极管（２）的阳极连接到诸如ＬＮＢ或ＳＷ－ＢＯＸ的产品的电源线。变阻器（６）可代替电涌吸收器（１）使用，并且电容器（４，７）可代替二极管（２）使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到防止由雷击而造成损害的雷涌(surge)保护电路，以及具有其的射频信号处理设备。相关领域描述由于LNB(低噪声降频变频器)、SW-BOX(IF信号切换SW单元)等是设计为室外用途的，它们需要具备雷涌保护电路，用于防止由雷击而造成的损害(例如，参照JP-A-H11-155232)。通常，虽然雷涌测试条件随着产品的目的地或用户所要求的具体要求而不同，但它们都符合IEC标准。IEC标准描述了必需对以高阻抗输入或输出的、诸如LNB(低噪声降频变频器)或SW-BOX的产品进行压涌测试，并且应该对以低阻抗输入和输出的产品执行流涌测试。在压涌测试中，用以高阻抗输入和输出的产品模拟出来自于雷击而产生的波形。并且因此当测试机器的电涌输出端处在开放的状态时，在电压上升和下降边缘的波形有可能基本等于在压涌测试中由测试机器施加给产品的电压上升和下降边缘处的波形。可以由要施加给产品的电压来确定出指示该测试严格度的水平。通常，如图8所示，具有10μs上升时间和700μs下降时间波形的至少±3kV的涌测试电压施加在要出口到美国(它要求非常严格的规范)的诸如LNB或SW-BOX的产品上。作为一种使其经受住该涌测试电压的预防措施，在要出口到美国的诸如LNB或SW-BOX的产品的电源线上插入有1500W的表面安装电涌吸收器，藉此保护其电路。类似于齐纳二极管，当电压等于或高于击穿电压时，该电涌吸收器瞬时吸收流涌，通过将其对应于二极管阳极的终端接地来保护其电路。但是，近年来，要出口到美国的诸如LNB或SW-BOX的产品的规范要求产品必需经受住±4kV或更高的涌测试电压。结果，当前所用的1500W电涌吸收器的插入不会使产品具有足够的高度涌承受电压。如此严格的要求规范的原因是在美国的某些区域，诸如加州，在每年都要经历90或更多天的雷击，并且会频繁地受到雷击的损害。不仅当产品被雷电直接击中时会导致由雷击而造成的损害，当雷击发生在产品安装点周围区域内，也会导致雷击而造成的损害。在雷击发生在产品安装点周围区域内的情形中，例如，由所谓的直接雷击会导致损害，由于雷击，当在周围区域的地表电压瞬时升高时，由于施加电压中的涌，击穿就发生。此外，很多对市场产品失常的报道涉及到源自于雷击而造成的损害。这证明了压涌测试模拟在重现实际的雷击上是有困难的。但是，由于可以通过升高由该测试模拟而获得的涌承受电压水平来实际减少市场上的报废率，将会进一步探索最终导致质量改进的涌承受电压中的改进。由于电涌吸收器的承受电压固定，可以通过将一电阻串联到电涌吸收器来增加产品的涌承受电压，藉此通过电阻降低电压来减少当雷击发生时施加在电涌吸收器上的电压。但是，将一电阻串联到电涌吸收器将会影响电涌吸收器的原始功能，该电涌吸收器在雷击发生时通过瞬时降压来保护电路。专利技术目的本专利技术的目的之一是提供一种雷涌保护电路，它可以实现更高的涌承受电压而无需削弱其保护性功能，以及提供一种具有其的射频信号处理设备。为了实现上述目的，本专利技术的雷涌保护电路包括电涌吸收器和二极管的串联电路。使用该配置，由于二极管产生的压降，就有可能减少在雷击发生时施加到电涌吸收器上的电压。由于电涌吸收器的承受电压固定，如上述配置的雷涌保护电路较之仅由电涌吸收器所构成的常规雷涌保护电路，可以达到更高的涌承受电压。此外，由于如上述配置的雷涌保护电路具有串联到二极管而非电阻的电涌吸收器，不会削弱其在雷击产生时通过瞬时降压来保护电路的原始功能。此外，通过在如上述配置的雷涌保护电路中用变阻器来代替电涌吸收器，还有可能实现相同的效果。此外，通过在如上述配置的雷涌保护电路中用电容器来代替二极管，还有可能实现相同的效果。此外，如上述配置的雷击保护电路可具备有陷波部分，它将预定频带中的射频信号截留。使用该配置，当雷涌保护电路设置在射频信号处理设备(其中RF线和DC线相互连接)的DC线上时，通过截留进入到DC线中的RF信号，就有可能减少RF信号的传输损耗。为实现上述目的，根据本专利技术的射频信号处理设备(例如，LNB或SW-BOX)被配置为包括具有任何上述配置的雷涌保护电路。使用该配置，就有可能实现更高的涌承受电压而不会削弱保护性功能。这样就可靠地防止构成射频信号处理设备内部电路的器件被劣化或损坏。 附图说明图1是示出根据本专利技术的雷涌保护电路配置一示例的图；图2是示出根据本专利技术的雷涌保护电路一修改示例的图；图3是示出根据本专利技术的雷涌保护电路一修改示例的图；图4是示出根据本专利技术的雷涌保护电路一修改示例的图；图5是示出根据本专利技术的雷涌保护电路一修改示例的图；图6是示出根据本专利技术的雷涌保护电路配置的另一示例的图；图7是示出根据本专利技术的雷涌保护电路配置的又一示例的图；图8是示出涌测试电压波形的图表；图9是示出在SW-BOX、接收器和LNB之间连接的图；以及图10是示出在根据本专利技术SW-BOX的接收器连接终端附近的电路配置图；具体实施方式图1示出根据本专利技术的雷涌保护电路配置的一示例。如图1所示的雷涌保护电路是电涌吸收器1和二极管2的串联电路，并且对应于二极管阴极的电涌吸收器1的一端连接到二极管2的阴极。如图1所示的电涌保护电路用在一种方式中，在该方式中对应于二极管阳极的电涌吸收器1一端接地，并且二极管2的阳极连接到诸如LNB或SW-BOX的产品的电源线。如图1所示的雷涌保护电路，通过将二极管2串联到电涌吸收器1，由于二极管2降压，可减少在雷击产生时施加到电涌吸收器1上的电压。由于电涌吸收器1的承受电压固定，如图1所示的雷涌保护电路较之仅由电涌吸收器构成的常规雷涌保护电路，可实现更高的涌承受电压。此外，由于如图1所示的雷涌保护电路具有串联到二极管2，而非电阻的电涌吸收器1，不会削弱其在雷击产生时通过瞬时降压来保护电路的原始功能。此外，通过在电路上加上微带线3和电容器4，如图1所示的雷涌保护电路可以被配置为如图2所示。微带线3的一端可用作如图2所示的雷涌保护电路的一端，并且微带线3的另一端、二极管2的阳极、以及电容器4的一端连接到一起的节点用作为如图2所示的雷涌保护电路的另一端。如图2所示的雷涌保护电路可用在一种方式中，在该方式中对应于二极管阳极的电涌吸收器1的一端以及电容器的另一端接地，并且该电路被插入到诸如LNB或SW-BOX的产品的DC线中。微带线3是一种截留RF信号的陷波设备，并且其线长度被设为要截留的RF信号的1/4波长。电容器4用作将波长λ的微带线3的电容器4侧端部分接地，防止由于对应于波长λ的阻抗升高所致的RF信号泄漏。此外，通过采用图3所示的配置(其中图2所示的雷涌保护电路的微带线3由线圈5取代)，有可能达到相同的效果。线圈5是截留RF信号的陷波设备，并且对应于要截留的RF信号的1/4波长。此外，通过采用图4所示的配置(其中图2所示的雷涌保护电路的电涌吸收器1由变阻器6取代)，有可能达到相同的效果。通过采用图5所示的配置(其中图3所示的雷涌保护电路的电涌吸收器1由变阻器6取代)，也有可能达到相同的效果。其次，图6示出根据本专利技术的雷涌保护电路配置的另一示例。要注意，在图6中，图1中也可见到的这些组件用相同的标号标识，并不再重复对其的说明。图6所示的雷涌保护电路与图1所示的雷涌保护电路的不同在于，电涌吸收器1和二极管2掉换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雷涌保护电路，包括：电涌吸收器和二极管的串联电路。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-2 2005-0578721.一种雷涌保护电路，包括电涌吸收器和二极管的串联电路。2.一种雷涌保护电路，包括变阻器和二极管的串联电路。3.一种雷涌保护电路，包括电涌吸收器和电容器的串联电路。4.一种雷涌保护电路，包括变阻器和电容器的串联电路。5.如权利要求1所示的雷涌保护电路，还包括截留预定频带中射频信号的陷波部分。6.如权利要求2所示的雷涌保护电路，还包括截留预定频带中射频信号的陷波部分。7.如权利要求3所示的雷涌保护电路，还包括截留预定频带中射频信号的陷波部分。8.如权利要求4所示的雷涌保护电路，还包括截留预定频带中射频信号的陷波部分。9.一种射频信号处理设备，包括雷涌保护电路，其中所述雷涌保护电路包括电涌吸收器和二极管的串联电路。10.一种射频信号处理设备，包括雷涌保护电路，其中所述雷涌保护电路包括变阻器和二极管的串联电路。11.一种射频信号处理设备，包括雷涌保护电路，其中所述雷涌保护电路包括电涌吸收器和电容器的串联电路。12.一种射频信号处理设备，包括雷涌保护电路，其中所述雷涌保护电路包括变阻器和电容器的串联电路。13.如权利要求9所示的射频信号处理设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤正广，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]