一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。本发明专利技术通过真空中原位蒸镀富勒烯(C

【技术实现步骤摘要】
一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法


[0001]本专利技术涉及扫描电镜样品制备的
，具体涉及一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，二维纳米材料受到了广泛的关注，由于其在某一维度上只有一个或者几个原子层，产生的限域效应使其具有不同于三维材料的奇异性质。这些新奇的性质往往是由于其本身的结构所决定的，因此对其结构的高精度表征，对相关领域的研究具有重要的意义。在原子尺度的结构表征技术中，透射电子显微镜(TEM)与扫描透射电子显微镜(STEM)技术，可以从不同的方向上，对样品的结构进行原子尺度上的表征测量，因此成为了目前二维材料结构和相关相变过程研究的重要技术手段。
[0003]在二维纳米材料制备技术方面，分子束外延(MBE)已经是一种非常重要且常用的制备二维纳米材料的手段，特别是其对厚度和层数的高度可控性，以及高度清洁的生长环境，可以有效的制备出高质量的单层或少层二维材料及其异质结构。更为重要的是，其高度可控的生长条件为不同相结构和化学敏感的二维纳米材料生长提供了必要的条件。近年来，大量新型二维纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)第一层保护层蒸镀：在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；(2)第二层保护层蒸镀：在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；(3)STEM样品的制备：从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式在蒸镀二层保护层的二维纳米材料上沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束对沉积铂金薄膜的蒸镀二层保护层的二维纳米材料进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至所述样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。2.根据权利要求1所述的一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，其特征在于：所述二维纳米材料为在真空环境中制备的二维纳米材料。3.根据权利要求1或2任一项所述的一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，其特征在于：所述真空环境的真空度为10
‑
10
mbar
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‑7mbar。4.根据权利要求1所述的二维纳米材料的STEM样品的制备方法，其特征在于：第一层保护层和第二层保护层的蒸镀方式为电阻式加热蒸发。5.根据权利要求1所述的一种二维纳米材料的STE...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱知力，王业亮，时金安，刘中流，武旭，周武，高鸿钧，
申请(专利权)人：北京理工大学中国科学院大学，
类型：发明
国别省市：