Nandflash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质技术

本申请实施例提供的一种Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备和存储介质，所述坏块处理方法包括：读取Nand flash存储器中的坏块数量N；当坏块数量N大于预设阈值时，输出第一提示信息至所述电子设备的显示单元，所述第一提示信息用于提示需要更换Nand flash存储器；和/或，根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理，并将处理后的待写入数据写入Nand flash存储器。本申请实施例对Nand flash存储器中的坏块数量进行预警，以解决现有技术中用户无法获知Nand flash存储器中的坏块导致的存储空间不足的问题，避免数据丢失，保障图像形成装置的正常成像作业。保障图像形成装置的正常成像作业。保障图像形成装置的正常成像作业。

【技术实现步骤摘要】
Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及图像形成
，具体地涉及一种Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]图像形成装置经常使用Nand flash存储器去存储一些固件信息，如计费信息，账号信息等相关信息。由于Nand flash存储器的特性，长期使用后会产生坏块，坏块将无法存储数据。并且Nand flash存储器的坏块会随着时间变得越来越多，对于相关信息的存储空间变得不足，这时只能选择其他存储设备来存储信息并更换Nand flash存储器，但是Nand flash存储器中的存储空间不足时，用户无法感知到当前的存储空间不足，继续使用造成重要的数据无法写入，并且当Nand flash存储器损坏时，里面的数据会一并丢失且无法恢复，会对图像形成装置的正常图像形成操作造成阻碍。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质，以解决现有技术中用户无法获知Nand flash存储器中的坏块导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Nand flash存储器的坏块处理方法，其特征在于，所述方法包括：读取Nand flash存储器中的坏块数量N；当坏块数量N大于预设阈值时，输出第一提示信息至电子设备的显示单元，所述第一提示信息用于提示需要更换所述Nand flash存储器；和/或，根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理，并将处理后的待写入数据写入所述Nand flash存储器。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将处理前和/或处理后的待写入数据备份至预定的存储器内，所述存储器包括与所述电子设备通信连接的云服务器、本地存储介质中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当坏块数量N大于第一预设阈值时，输出所述第一提示信息至所述电子设备的显示单元；当坏块数量N大于第二预设阈值时，根据待写入数据的重要程度信息对所述待写入数据进行处理，并将处理后的待写入数据写入所述Nand flash存储器。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述待写入数据的重要程度信息包括优先级及文件大小，所述根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理，具体包括：根据待写入数据的优先级和文件大小对所述待写入数据进行裁剪处理。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：输出第二提示信息至所述电子设备的显示单元，所述第二提示信息用于提示更换所述Nand flash存储器后能够从预定的存储器内恢复相应的数据。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当坏块数量N小于或等于所述预设阈值时，将待写入数据直接写入所述Nand flash存储器。7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：读取单元，用于读取Nand fla...

【专利技术属性】
技术研发人员：段程浩，
申请(专利权)人：珠海奔图电子有限公司，
类型：发明
国别省市：