一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路及方法技术

本发明专利技术提出了一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路及方法，所述电路包括直流电源，所述直流电源连接逆变电路，所述逆变电路通过整流桥连接负载，所述逆变电路是由四个碳化硅碳化硅场效应晶体管组成的H桥逆变电路，每个碳化硅碳化硅场效应晶体管表面贴合热电偶，所述热电偶通过温度转换器连接ADC采集模块，所述ADC采集模块连接DSP控制器，所述DSP控制器通过脉冲宽度调制和输入/输出电路连接门级驱动电路，所述门级驱动电路连接所述的H桥逆变电路，本发明专利技术在不改变变流器输出质量基础上，对碳化硅场效应晶体管的门级驱动电路重新设计，实现逆变器中碳化硅场效应晶体管的温度波动抑制。波动抑制。波动抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路及方法


[0001]本专利技术涉及电力电子器件领域，具体提供一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路及方法。

技术介绍

[0002]电力电子器件作为电能转换、传输和控制的重要元件，参与构建了现代电力网络世界并决定着未来电力网络的发展趋势和功能，新能源领域的发展推进都离不开电力电子器件的支撑。同时各个能源网络之间的联系日益紧密，一旦其中某个组成环节意外损坏将造成严重的影响，也会为相连的其他系统埋下破坏其稳定性和安全性的隐患。如何提高功率器件的可靠性和安全性，进而提升电力电子系统可靠性和安全性就具有实际价值和意义，功率器件的可靠性和安全性也理所应当地成为了人们所重视的基础问题。随着变流器工作频率的不断升高，加上第三代功率半导体器件如碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)的迅速发展，电力电子变流器的体积变得越来越小。伴随而来的是温度问题，限制SiC MOSFET可靠性的因素有很多，其中温度是主要因素，约占了55％
[0003]通常电力电子变流器都是在非平稳工况条件下工作，非平稳工况导致了变流器中SiC 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，包括直流电源，所述直流电源连接逆变电路，所述逆变电路通过整流桥连接负载，所述逆变电路是由四个碳化硅碳化硅场效应晶体管组成的H桥逆变电路，每个碳化硅碳化硅场效应晶体管表面贴合热电偶，所述热电偶通过温度转换器连接ADC采集模块，所述ADC采集模块连接DSP控制器，所述DSP控制器通过脉冲宽度调制和输入/输出电路连接门级驱动电路，所述门级驱动电路连接所述的H桥逆变电路，所述门级驱动电路辅助开关Sw1和门极电阻R
g1
串联构成的支路一，辅助开关Sw2和门级电阻R
g2
串联构成的支路二,单独的门极电阻R
g3
构成支路三，将支路一、支路二和支路三并联后一侧连接门级驱动信号，另一侧与碳化硅碳化硅场效应晶体相连。2.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，所述热电偶采用PT100型热电偶。3.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，所述门级驱动电路中的门级电阻R
g1
,R
g2
和R
g3
的阻值均为15Ω。4.一种用权利要求1
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3之一所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路进行碳化硅场效应晶体管温度波动抑制...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖宇华，王成亮，费益军，刘玙，仇新宇，阮文骏，杨庆胜，王宁，蒋超，李军，
申请(专利权)人：国网江苏省电力有限公司，
类型：发明
国别省市：