高精度电流源电路制造技术

本发明专利技术提供了一种高精度电流源电路，包括：第一电流源电路，其包括第一运算放大器、第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻，其中，所述第一运算放大器的正向输入端与第一节点连接，所述第一运算放大器的负向输入端与参考电压节点连接，并且所述第一运算放大器的输出端与所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接；所述第一晶体管的源极连接到电源电压，其漏极通过第一节点连接到所述第一电阻；所述第二晶体管的源极连接到电源电压，其漏极通过第四节点与输出节点连接；所述第一电阻的一端连接到所述第一节点，并且所述第一电阻的另一端连接到接地节点；以及电压钳位模块，其被配置为第一电流源电路的第一晶体管和第二晶体管提供固定的源漏电压。晶体管提供固定的源漏电压。晶体管提供固定的源漏电压。

【技术实现步骤摘要】
高精度电流源电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路设计领域，更具体地，涉及一种高精度电流源电路。

技术介绍

[0002]在模拟集成电路中，电流源是一个十分重要的模块。电流源作为电路的参考源，为电路其他模块提供精准的偏置电流，广泛应用于运算放大器、比较器、锁相环、数模转换器等电路中。
[0003]电流源的精度决定了整个模拟电路系统的性能。对电流源的要求是能够输出一个不随温度和电源电压变化的稳定电流值。常规情况下，电流源电路包括运算放大器、PMOS晶体管以及电阻。其中，运算放大器的参考电压VREF是由带隙基准源产生的一个不随温度和电源电压变化的稳定电压。在常规的电流源结构中，由于电流源的输出电流Iref与参考电压VREF在理论上成一定比例关系，并且由于参考电压VREF不随温度和电源电压VDD变化，因此理论上输出电流Iref也是稳定不随温度和电源电压VDD变化的。
[0004]然而，上述输出电流Iref与参考电压VREF的关系过于理想化。在实际应用中，由于沟道长度调制效应的存在，输出电流Iref会受到电源电压VDD变化的影响。具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度电流源电路，包括：第一电流源电路，所述第一电流源电路包括第一运算放大器、第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻，其中，所述第一运算放大器的正向输入端与第一节点连接，所述第一运算放大器的负向输入端与参考电压节点连接，并且所述第一运算放大器的输出端与所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接；所述第一晶体管的源极连接到电源电压，其漏极通过第一节点连接到所述第一电阻；所述第二晶体管的源极连接到电源电压，其漏极通过第四节点与输出节点连接；所述第一电阻的一端连接到所述第一节点，并且所述第一电阻的另一端连接到接地节点；以及电压钳位模块，所述电压钳位模块被配置为第一电流源电路的第一晶体管和第二晶体管提供固定的源漏电压。2.根据权利要求1所述的高精度电流源电路，其中，所述第一电流源电路还包括第三晶体管，并且所述电压钳位模块包括第二运算放大器，其中，所述第三晶体管的源极连接到与所述第一晶体管的漏极连接的第三节点，所述第三晶体管的漏极连接到第一节点，所述第三晶体管的栅极连接到所述第二运算放大器的输出端，其中，所述第二运算放大器的正向输入端与第一偏置电压节点连接，所述第二运算放大器的负向输入端与连接到所述第三节点。3.根据权利要求1所述的高精度电流源电路，其中，所述第一电流源电路还包括第四晶体管，并且所述电压钳位模块还包括第三运算放大器，其中，所述第四晶体管的源极连接到与所述第二晶体管的漏极连接的第四节点，所述第四晶体管的漏极连接到输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：路宁，王佩瑶，孙鹏林，党艳杰，李孟，段连成，亓巧云，李侃，孟浩，钱永学，蔡光杰，黄鑫，
申请(专利权)人：广州昂瑞微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：