【技术实现步骤摘要】
一种高密度连接器的滤波电路
[0001]本专利技术属于电磁兼容领域,具体涉及一种高密度连接器的滤波电路。
技术介绍
[0002]滤波连接器是具备滤波功能滤波连接器。是在普通电连接器的基础上,经过内部结构改进,增加滤波电路(滤波网络)研制而成。因此,它既具备普通电连接器的所有功能,又兼具抑制电磁干扰的特性。
[0003]随着电子技术的日益发展,航空、航天、军工、通讯等电气、电子设备对高集成化、小型化的要求越来越严格,同一设备内集成了开关电源、驱动信号、时钟信号以及数字通信等多种不同特征的信号,信号自身的干扰较大,同时设备内干扰源与敏感元件布局紧凑,线缆布线密度高,相互之间的串扰耦合严重,使得设备所处的电磁环境越来越恶劣。
[0004]国内现有的滤波连接器种类较多,但是在一些空间要求较高的环境下,要求滤波连接器能够传输多种不同特征的信号,并且就滤波连接器的安装空间而言,要求尽可能不改变现有空间尺寸的同时,需对每一路信号进行滤波设计,现有的滤波连接器体积相对较大且抑制能力受限,较难满足小型化和电磁兼容性的要求。
[0005]高密度连接器之间的相互耦合,导致性能降低,为了解决此问题提高不同类型信号间的隔离度的方式采用多层印制板将三种类型的信号之间的隔离,印制板的布线层通过地层进行屏蔽,减小不同信号间的串扰,地层在板边沿通过布置GND过孔,实现地层的屏蔽搭接完整。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于克服现有滤波连接器体积相对较大且抑制能力受限,较难满足小型化和电磁兼容性的要求 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高密度连接器的滤波电路,应用于高密度连接器,其特征在于,所述高密度连接器上设置有含有滤波电路的多层PCB板;所述含有滤波电路的多层PCB板,从上到下信号分布依次设置为:顶层、第一GND层、电源滤波层、第二GND层、串口信号滤波层、第三GND层、电平信号滤波层、第四GND层、底层;所述串口信号滤波层,用于抑制串口信号线缆上的共模干扰,将信号的截止频率以上的干扰信号进行滤波处理;所述电平信号滤波层,用于抑制电平信号线缆上的干扰,将信号的工作频段外的干扰信号进行抑制;所述电源滤波层,用于抑制电源传输线上的传导干扰;所述顶层和底层,用于安装元器件;所述第一GND层和第二GND层,用于屏蔽和隔离所述电源滤波层中的电源信号干扰;所述第二GND层和第三GND层,用于屏蔽和隔离所述串口信号滤波层中的串口信号干扰;所述第三GND层和第四GND层,用于屏蔽和隔离所述电平信号滤波层中的电平信号干扰。2.根据权利要求1所述的一种高密度连接器的滤波电路,其特征在于,所述串口信号滤波层上设置有串口信号滤波电路;所述串口信号滤波电路串接在所述高密度连接器中的串口信号线缆上。3.根据权利要求2所述的一种高密度连接器的滤波电路,其特征在于,所述串口信号滤波电路包括:四路磁珠排L3、共模电容Cy5、共模电容Cy6、共模电容Cy7和共模电容Cy8;所述四路磁珠排L3的1端口串接串口信号线缆中TX+发信号线的一端,所述四路磁珠排L3的5端口串接串口信号线缆中TX+发信号线的另一端;所述共模电容Cy5的一端接所述四路磁珠排L3的5端口,所述共模电容Cy5的另一端接公共地;所述四路磁珠排L3的2端口串接串口信号线缆中TX
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发信号线的一端,所述四路磁珠排L3的6端口串接串口信号线缆中TX
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发信号线的另一端;所述共模电容Cy6的一端接所述四路磁珠排L3的6端口,所述共模电容Cy6的另一端接公共地;所述四路磁珠排L3的3端口串接串口信号线缆中RX+收信号线的一端,所述四路磁珠排L3的7端口串接串口信号线缆中RX+收信号线的另一端;所述共模电容Cy7的一端接所述四路磁珠排L3的7端口,所述共模电容Cy7的另一端接公共地;所述四路磁珠排L3的4端口串接串口信号线缆中RX
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收信号线的一端,所述四路磁珠排L3的8端口串接串口信号线缆中RX
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收信号线的另一端;所述共模电容Cy8的一端接所述四路磁珠排L3的8端口,所述共模电容Cy8的另一端接公共地。4.根据权利要求1所述的一种高密度连接器的滤波电路,其特征在于,所述电平信号滤波层上设置有电平信号滤波电路;所述电平信号滤波电路串接在所述电平信号线缆上。5.根据权利要求4所述的一种高密度连接器的滤波电路,其特征在于,所述电平信号滤波电路包括:七路磁珠排L4、共模电容Cy9、共模电容Cy10、共模电容Cy11、共模电容Cy12、共模电容Cy13、共模电容Cy14、共模电容Cy15;所述七路磁珠排L4的1端口串接所述高密度连接器中的RT0电平信号的一端,所述七路磁珠排L4的8端口串接所述高密度连接器中的RT0电平信号的另一端,所述共模电容Cy9的
一端接所述七路磁珠排L...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱添,高亚惠,丁娇娇,刘钊,
申请(专利权)人:西安开容电子技术有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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