一种升降针机构、控制方法和半导体工艺设备技术

本发明专利技术实施例提供了一种升降针机构、控制方法和半导体工艺设备，所述升降针机构包括：用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括通过获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。本发明专利技术实施例解决了目前升降针机构无法判断晶圆在解吸附流程后是否发生了粘片现象的问题，实现了在解吸附流程后，在线判断晶圆是否发生了粘片，防止了在晶圆发生粘片的情况下，顶针盲目升起而导致晶圆偏移甚至腔室破片的现象。至腔室破片的现象。至腔室破片的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种升降针机构、控制方法和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种升降针机构的控制方法、一种升降针机构和一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在等离子体刻蚀设备中，静电卡盘(Electrostatic Chuck，ESC)是一种用来固定晶圆使其在刻蚀过程中不发生移动的重要装置，它可以通过在晶圆背面施加较高的直流偏压，实现对晶圆的可靠吸附，称之为吸附过程。当工艺腔中工艺结束之后，ESC会根据工艺配方来进行解吸附流程，待解吸附完成之后三针结构便会将晶圆顶起，方便真空手将晶圆从工艺腔室中取出。
[0003]尽管现有的解吸附流程已经趋于完善，但经常会有意外情况发生，例如晶圆发生粘片。轻微的粘片会导致晶圆在三针结构升起过程中偏离既定位置，无法正常传出工艺腔室，当粘片较为严重时，会导致晶圆在三针升起过程中破碎，碎片污染腔室，产生颗粒，严重耽误机台量产。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种升降针机构的控制方法、一种升降针机构和一种半导体工艺设备。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种升降针机构的控制方法，用于半导体工艺设备，所述升降针机构包括：用于支撑晶圆顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括：
[0006]获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；
[0007]根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。
[0008]可选地，所述根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起，包括：
[0009]判断所述实际压力值是否符合预设压力参考信息；
[0010]若所述实际压力值不符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构停止升起所述顶针；
[0011]若所述实际压力值符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构升起所述顶针。
[0012]可选地，所述预设压力参考信息包括参考压力变化信息；所述判断所述实际压力值是否符合预设压力参考信息，包括：
[0013]根据所述顶针的升起过程中预设时间段内的实际压力值，确定实际压力变化信息；
[0014]判断所述实际压力变化信息，是否符合所述参考压力变化信息。
[0015]可选地，所述判断所述实际压力变化信息，是否符合所述参考压力变化信息，包括：
[0016]判断所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例是否在预设比例范围内；
[0017]若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例在预设范围内，则确定所述实际压力变化信息符合参考压力变化信息；
[0018]若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例不在预设比例范围内，则确定所述实际压力变化信息不符合参考压力变化信息。
[0019]可选地，还包括：
[0020]基于预设压力参考模型，获取参考压力值与时间的关系；所述预设压力参考模型为基于顶针正常升起过程中检测的实际压力值训练得到的模型；
[0021]根据所述参考压力值与时间的关系，确定参考压力变化信息。
[0022]可选地，还包括：
[0023]采用所述实际压力值，更新所述预设压力参考模型。
[0024]本专利技术实施例还公开了一种升降针机构，用于半导体工艺设备，包括：
[0025]用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；
[0026]所述升降结构采用入上的控制方法进行控制。
[0027]可选地，所述升降结构包括：波纹管、穿过所述波纹管与所述顶针连接的导向轴，以及与所述导向轴连接的连接件；所述压力传感器设于所述导向轴与所述连接件之间。
[0028]可选地，所述升降结构包括：波纹管、穿过所述波纹管与所述顶针连接的导向轴，以及波纹管套筒，所述波纹管套筒内壁设有用于对所述波纹管进行限位的限位部，所述压力传感器设于所述波纹管与所述限位部之间。
[0029]本专利技术实施例还公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、升降针机构和控制器，所述工艺腔室内设有基座，所述升针机构与所述基座连接，所述升降针机构采用如上所述的升降针机构：
[0030]所述控制器，用于获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。
[0031]可选地，所述控制器用于判断所述实际压力值是否符合预设压力参考信息；若所述实际压力值不符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构停止升起所述顶针；若所述实际压力值符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构升起所述顶针。
[0032]可选地，所述控制器用于根据所述顶针的升起过程中预设时间段内的实际压力值，确定实际压力变化信息；判断所述实际压力变化信息，是否符合所述参考压力变化信息。
[0033]可选地，所述控制器用于判断所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例是否在预设比例范围内；若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例在预设范围内，则确定所述实际压力变化信息符合参考压力变化信息；若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数
值的比例不在预设比例范围内，则确定所述实际压力变化信息不符合参考压力变化信息。
[0034]可选地，所述控制器用于基于预设压力参考模型，获取参考压力值与时间的关系；所述预设压力参考模型为基于顶针正常升起过程中检测的实际压力值训练得到的模型；根据所述参考压力值与时间的关系，确定参考压力变化信息。
[0035]可选地，所述控制器用于采用所述实际压力值，更新所述预设压力参考模型。
[0036]本专利技术实施例公开的所述升降针机构包括：用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括通过获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。本专利技术实施例解决了目前升降针机构无法判断晶圆在解吸附流程后是否发生了粘片现象的问题，实现了在解吸附流程后，在线判断晶圆是否发生了粘片，防止了在晶圆发生粘片的情况下，顶针盲目升起而导致晶圆偏移甚至腔室破片的现象。
附图说明
[0037]图1是本专利技术实施例的一种升降针机构的控制方法的步骤流程图；
[0038]图2是本专利技术实施例的另一种升降针机构的控制方法的步骤流程图；
[0039]图3是本专利技术实施例的一种升降针机构的控制方法的信号流向图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种升降针机构的控制方法，用于半导体工艺设备，其特征在于，所述升降针机构包括：用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括：获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起，包括：判断所述实际压力值是否符合预设压力参考信息；若所述实际压力值不符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构停止升起所述顶针；若所述实际压力值符合所述预设压力参考信息，则控制所述升降结构升起所述顶针。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设压力参考信息包括参考压力变化信息；所述判断所述实际压力值是否符合预设压力参考信息，包括：根据所述顶针的升起过程中预设时间段内的实际压力值，确定实际压力变化信息；判断所述实际压力变化信息，是否符合所述参考压力变化信息。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断所述实际压力变化信息，是否符合所述参考压力变化信息，包括：判断所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例是否在预设比例范围内；若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例在预设范围内，则确定所述实际压力变化信息符合参考压力变化信息；若所述实际压力变化信息的数值，与所述参考压力变化信息对应的数值的比例不在预设比例范围内，则确定所述实际压力变化信息不符合参考压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凌峰，张涛，王京，张郢，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：