一种实现高密度耦合的光发射机及光模块制造技术

技术编号:33278030 阅读:26 留言:0更新日期:2022-04-30 23:37
本实用新型专利技术涉及光通信技术领域,公开了一种实现高密度耦合的光发射机及光模块。所述光发射机包括:包括至少一个第一激光器芯片的第一激光器阵列、包括至少一个第二激光器芯片的第二激光器阵列、第一耦合单元、第二耦合单元,光子集成芯片;光子集成芯片包括设于表面的第一耦合器和设于端面的第二耦合器;第一耦合单元设于第一激光器阵列与第一耦合器之间,用于将第一激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第一耦合器内;所述第二耦合单元设于第二激光器阵列与第二耦合器之间,用于将第二激光器阵列发射出的光信号耦合到第二耦合器内。本实用新型专利技术实施例实现了两个维度上的光路耦合,有效提高了光路耦合密度,有利于实现光发射机小尺寸和低成本。寸和低成本。寸和低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种实现高密度耦合的光发射机及光模块


[0001]本技术涉及光通信
,尤其涉及一种实现高密度耦合的光发射机及光模块。

技术介绍

[0002]光发射器件是光通信模块中核心的部件,随着当前数据中心网络的快速建设与升级,数据中心对光模块提出了高密度、多通道、小尺寸、低成本、低功耗等诉求。
[0003]激光器与光子集成芯片的耦合是光发射器件的关键技术之一,尤其在未来高密度、多通道发射机中,发射光路的耦合有更高的复杂度和挑战。
[0004]目前,业内在光发射机的高密度、多通道耦合方向进行了一些研究和开发,有个别专利涉及相关内容。如专利“OPTICAL COMMUNICATION MODULES,Finisar Corporation,2018”,主要申明一种紧凑的多路光发射封装组件,以多路发射光源以及光纤阵列与一个斜置的硅光集成芯片实现耦合。但是该专利仅提及在一个维度上实现多路发射光源与硅光集成芯片的耦合,而光器件及模块的宽度往往是受限的,也会导致这种通道的扩展程度受限。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现高密度耦合的光发射机,其特征在于,所述光发射机包括:包括至少一个第一激光器芯片的第一激光器阵列、包括至少一个第二激光器芯片的第二激光器阵列、第一耦合单元、第二耦合单元,光子集成芯片;所述光子集成芯片包括设于表面的第一耦合器和设于端面的第二耦合器;所述第一耦合单元设于所述第一激光器阵列与所述第一耦合器之间,用于将所述第一激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第一耦合器内;所述第二耦合单元设于所述第二激光器阵列与所述第二耦合器之间,用于将所述第二激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第二耦合器内。2.根据权利要求1所述的实现高密度耦合的光发射机,其特征在于,所述光发射机还包括基板,所述第一激光器阵列和第二激光器阵列分别固定于所述基板上,且所述第一激光器阵列与第二激光器阵列之间在垂直于所述基板表面的方向上具有预设高度差。3.根据权利要求2所述的实现高密度耦合的光发射机,其特征在于,所述基板包括层叠设置的上基板和下基板,所述上基板与所述光子集成芯片的间距大于所述下基板与所述光子集成芯片的间距;所述第一激光器阵列设于所述上基板的表面,并与所述上基板上的金属线路电连接;所述第二激光器阵列设于所述下基板的突出于所述上基板之外的区域表面,并与所述下基板上的金属线路电连接。4.根据权利要求3所述的实现高密度耦合的光发射机,其特征在于,所述第一耦合单元,包括前准直透...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖振兴王会涛戈超钱银博
申请(专利权)人:东莞铭普光磁股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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