导热性有机硅组合物及其制造方法、以及半导体装置制造方法及图纸

导热性有机硅组合物，其含有：(A)分子链两末端被羟基封闭的二有机聚硅氧烷：100质量份，(B)1分子中具有至少1个水解性甲硅烷基的特定结构的有机聚硅氧烷：150～600质量份，(C)交联剂成分：0.1～100质量份，(D)平均粒径为0.1μm以上且2μm以下、且激光衍射型粒度分布中粒径10μm以上的粗粉的含有比例为(D)成分整体的1体积％以下的氧化锌粒子：1500～6500质量份，和(E)粘着促进剂：0.01～30质量份，其中，(D)成分的含量相对于组合物整体为45～70体积％，所述导热性有机硅组合物具有比以往高的导热率，且能够压缩至厚度为10μm以下，还兼具高耐久性。性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导热性有机硅组合物及其制造方法、以及半导体装置


[0001]本专利技术涉及导热性有机硅组合物。详细而言，涉及有效地冷却电子部件的导热性有机硅组合物及其制造方法，以及半导体装置。
技术背景
[0002]电子部件在使用中的发热以及由此引起的性能的降低为众所知，作为用于解决其的手段，使用了各种散热技术。一般地，在发热部附近配置冷却构件(散热器等)，通过使两者紧密接触，由冷却构件高效地进行除热，由此进行散热。此时，如果发热构件与冷却构件之间存在间隙，则由于存在导热性差的空气，热阻增大，发热构件的温度无法充分下降。为了防止这样的现象，使用导热率高、对构件的表面具有追随性的散热材料、例如液状散热材料、散热片。特别是，根据装置的不同，存在间隙为10μm以下的非常窄的情况，使用能够压缩至10μm以下的液状散热材料(日本专利第2938428号公报、日本专利第2938429号公报、日本专利第3580366号公报、日本专利第3952184号公报、日本专利第4572243号公报、日本专利第4656340号公报、日本专利第4913874号公报、日本专利第4917380号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.导热性有机硅组合物，其含有下述(A)～(E)成分：(A)由下述通式(1)表示的有机聚硅氧烷：100质量份，[化1]通式(1)中，R为碳原子数1～20的未取代或取代的1价烃基；多个R彼此可以相同，也可以不同；n为10以上的整数，(B)由下述通式(2)表示的、1分子中具有至少1个水解性甲硅烷基的有机聚硅氧烷：150～600质量份，[化2]通式(2)中，R1独立地为未取代或取代的1价烃基；X1和X3独立地为R1或由
‑
R2‑
SiR
3g
(OR4)3‑
g
表示的基团；X2为由
‑
R2‑
SiR
3g
(OR4)3‑
g
表示的基团，分子中具有至少1个
‑
R2‑
SiR
3g
(OR4)3‑
g
；R2为氧原子或碳原子数1～4的亚烷基，R3独立地为不含有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基，R4独立地为碳原子数1～4的烷基、或碳原子数2～4的烷氧基烷基、烯基或酰基，g为0～2的整数；a和b分别为1≤a≤1000、0≤b≤1000，各重复单元可无规地键合，其中，X1和X3均为R1时，b为1≤b≤1000，(C)1分子中具有1个选自碳原子数1～4的烷基、碳原子数2～4的烯基和碳原子数6～8的芳基中的未取代的1价烃基、且具有3个水解性基团的水解性有机硅烷化合物和/或其部分水解缩合物的交联剂成分：0.1～100质量份，(D)平均粒径为0.1μm以上且2μm以下、且激光衍射型粒度分布中粒径10μm以上的粗粉的含有比例为(D)成分整体的1体积％以下的氧化锌粒子：1500～6500质量份，和(E)不包含(C)成分的粘着促进剂：0.01～30质量份，其中，(D)成分的含量相对于组合物整体为45～70体积％，所述导热性有机硅组合物根据热盘法在2...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口贵大，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：