用于高阶模抑制的方法、系统和装置制造方法及图纸

一种激光二极管，包括横向波导和侧向波导，横向波导正交于侧向波导，侧向波导包括位于n型波导层和p型波导层之间的有源层，其中，横向波导由n侧上的n型覆层和p侧上的p型覆层界定，侧向波导沿纵向方向在第一端处由高反射器(HR)涂覆面界定且在第二端处由部分反射器(PR)涂覆面界定，侧向波导进一步包括掩埋的高阶模抑制层(HOMSL)，其被设置在p型覆层下方且在侧向波导内或在侧向波导的一侧或两侧上或其组合，其中，HOMSL沿纵向方向从HR面延伸的长度小于HR面与PR面之间的距离。度小于HR面与PR面之间的距离。度小于HR面与PR面之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高阶模抑制的方法、系统和装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年8月13日提交的美国临时专利申请第62/885,946号的权益。


[0003]本文公开的技术涉及二极管激光器，更具体地涉及用于二极管激光器中的高阶模抑制的方法、系统和装置。

技术介绍

[0004]激光器是发光设备。激光器中的光发射是电磁辐射受激发射的光放大的结果。一些激光器发射出空间和时间相干光，这允许激光器发射窄的光带宽的光，其可在长距离上窄聚焦。激光器种类繁多，例如，气体激光器、化学激光器、染料激光器、金属蒸汽激光器、固态激光器和半导体激光器。激光二极管是电泵浦半导体激光器，其中，有源层由半导体二极管的p
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n结形成。激光二极管通常包括设置在p型半导体材料层和n型半导体材料层之间的有源层。许多激光二极管是在诸如砷化镓等的半导体衬底上制造的，该半导体衬底掺杂有诸如铝、硅、锌、碳或硒等元素，以产生n型和p型半导体层。有源层通常是未掺杂的砷化镓铟，且可能只有几纳米厚。
[0005]激光二极管通过在具有允许选择本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光二极管，包括：横向波导，所述横向波导正交于侧向波导，所述侧向波导包括位于n型波导层和p型波导层之间的有源层，其中所述横向波导由n侧上的n型覆层和p侧上的p型覆层界定；以及侧向波导，所述侧向波导沿纵向方向在第一端处由高反射器(HR)涂覆面界定且在第二端处由部分反射器(PR)涂覆面界定，所述侧向波导进一步包括掩埋的高阶模抑制层(HOMSL)，所述HOMSL被设置在所述p型覆层下方且在所述侧向波导内或在所述侧向波导的一侧或两侧上或其组合，其中，所述HOMSL沿纵向方向从所述HR面延伸的长度小于所述HR面与所述PR面之间的距离。2.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，被设置在所述侧向波导的一侧或两侧上的所述HOMSL的折射率高于所述p型波导层和所述p覆层。3.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，被设置在所述侧向波导内的所述HOMSL的折射率低于所述n型波导层或所述p型波导层或其组合。4.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述HOMS的厚度基于在所述激光二极管的操作期间由所述侧向波导内的热透镜效应引起的所述侧向波导内的折射率对比度的量值来选择。5.根据权利要求4所述的激光二极管，其中，所述HOMSL的厚度被进一步选择以在操作期间减小所述侧向波导的所述折射率对比度的量值。6.根据权利要求5所述的激光二极管，其中，所述折射率对比度的量值在10
‑5<Δn<10
‑3的范围内。7.根据权利要求5所述的激光二极管，其中，所述侧向波导支持少于十个的侧向模。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：恩耐公司，
类型：发明
国别省市：