显示装置制造方法及图纸

显示装置(2)具备与第1电源干配线(Mf)接触的第1金属凸部(T1)、以及与第2电源干配线(Ms)接触的第2金属凸部(T2)，规定有机密封膜(27)的端部的第1堤(BK1)包含：第1金属凸部(T1)及第2金属凸部(T2)；以及第1树脂凸部(Jf)，其以与第1金属凸部及第2金属凸部重叠的方式按框状形成于与边缘覆盖膜(23)相同的层。方式按框状形成于与边缘覆盖膜(23)相同的层。方式按框状形成于与边缘覆盖膜(23)相同的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术涉及显示装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了对包括驱动晶体管、电容器、发光元件(例如，有机发光二极管)的像素电路供应2个电源电压(ELVDD、EELVSS)的构成。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本公开专利公报“特开2015
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49335”
技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]当上述2个电源电压不稳定时，存在无法精度良好地控制发光元件的亮度的问题。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本专利技术的一方案的显示装置具备包含多个像素电路的显示区域、边框区域以及端子部，在上述显示装置中，以包围上述显示区域的方式设置有框状的第1堤，在基板的上侧设置有薄膜晶体管层、发光元件层以及密封层，上述薄膜晶体管层包含第1金属层、第1层间绝缘膜、第2金属层、第2层间绝缘膜、第3金属层、第1平坦化膜、第4金属层以及第2平坦化膜，上述发光元件层包含第1电极、边缘覆盖膜、发光层以及第2电极，上述密封层包含第1无机密封膜、有机密封膜、第2无机密封膜，各像素电路包含发光元件、驱动晶体管以及电容器，上述显示区域包含扫描信号线、数据信号线以及与上述电容器的一个电极电连接的电源电压线，上述有机密封膜的端部由上述第1堤规定，在上述显示区域和上述第1堤之间，设置有除去了上述第1平坦化膜、上述第2平坦化膜以及上述边缘覆盖膜而成的第1狭缝，上述第3金属层包含与上述电源电压线电连接的第1电源干配线、以及经由与上述第1电极同层的导电膜与上述第2电极电连接的第2电源干配线，上述第4金属层包含与上述第1电源干配线接触的第1金属凸部、以及与上述第2电源干配线接触的第2金属凸部，上述第1电源干配线及上述第2电源干配线与上述第1狭缝重叠，上述第1堤包含：上述第1金属凸部及上述第2金属凸部；以及第1树脂凸部，其以与上述第1金属凸部及上述第2金属凸部重叠的方式按框状形成于与上述边缘覆盖膜相同的层。
[0010]专利技术效果
[0011]通过设置与第1电源干配线接触的第1金属凸部、以及与第2电源干配线接触的第2金属凸部，从第1电源干配线供应的第1电源电压和从第2电源干配线供应的第2电源电压得以稳定化，能够精度良好地控制发光元件的亮度。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式1的显示装置的构成的俯视图。
[0013]图2的(a)是图1的a
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a截面图，图2的(b)是图1的b
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b截面图。
[0014]图3是实施方式1的像素电路的电路图。
[0015]图4是示出实施方式1的显示装置的制造方法的流程图。
[0016]图5是示出实施方式1的显示装置的变形例的俯视图。
[0017]图6是示出本实施方式2的显示装置的构成的俯视图。
[0018]图7的(a)是图6的a
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a截面图，图7的(b)是图6的b
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b截面图。
具体实施方式
[0019][实施方式1][0020]图1是示出实施方式1的显示装置的构成的俯视图。图2的(a)是图1的a
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a截面图，图2的(b)是图1的b
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b截面图。
[0021]如图1、图2所示，在显示装置2中，在基板12上按顺序形成有阻挡层3、薄膜晶体管层4、顶部发光(向上层侧发光)类型的发光元件层5以及密封层6，在显示区域DA中形成有分别包含自发光型的发光元件X的多个像素电路PK。在包围显示区域DA的边框区域NA设置有端子部TA。
[0022]基板12是玻璃基板或者以聚酰亚胺等树脂为主要成分的挠性基板，例如，也能够由两层的聚酰亚胺膜和被它们夹着的无机膜构成基板12。阻挡层(底涂层)3是防止水、氧等异物侵入的无机绝缘层，例如能够使用氮化硅、氧化硅等构成。
[0023]如图2所示，薄膜晶体管层4包含：半导体层PS，其比阻挡层3靠上层；栅极绝缘膜16，其比半导体层PS靠上层；第1金属层(包含扫描信号线Gn)，其比栅极绝缘膜16靠上层；第1层间绝缘膜18，其比第1金属层靠上层；第2金属层(包含初始化电压线IL)，其比第1层间绝缘膜18靠上层；第2层间绝缘膜20，其比第2金属层靠上层；第3金属层(包含数据信号线DL)，其比第2层间绝缘膜20靠上层；第1平坦化膜21a，其比第3金属层靠上层；第3层间绝缘膜21b，其比第1平坦化膜21a靠上层；第4金属层(包含电源电压线PL)，其比第3层间绝缘膜21b靠上层；以及第2平坦化膜21c，其比第4金属层靠上层。
[0024]半导体层PS例如是低温形成的多晶硅(LTPS)，各种晶体管以包含与扫描信号线Gn同层的栅极电极及半导体层PS的方式构成。关于半导体层PS，也可以是晶体管的沟道区域以外的区域被导体化。
[0025]第1金属层、第2金属层、第3金属层以及第4金属层例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛以及铜中的至少1者的金属的单层膜或多层膜构成。
[0026]栅极绝缘膜16、第1层间绝缘膜18、第2层间绝缘膜20以及第3层间绝缘膜21b例如能够由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或者它们的层叠膜构成。第1平坦化膜21a及第2平坦化膜21c例如能够由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的有机材料构成。
[0027]发光元件层5包含：第1电极(下部电极)22，其比平坦化膜21靠上层；绝缘性的边缘覆盖膜23，其覆盖第1电极22的边缘；EL(电致发光)层24，其比边缘覆盖膜23靠上层；以及第2电极(上部电极)25，其比EL层24靠上层。边缘覆盖膜23例如通过在涂敷聚酰亚胺、丙烯酸树脂等有机材料后利用光刻进行图案化来形成。
[0028]在发光元件层5例如形成发出不同颜色的多个发光元件X，各发光元件包含岛状的
第1电极22、EL层24(包含发光层)以及第2电极25。第2电极25是在多个发光元件中共用的满面状的共用电极。
[0029]发光元件X例如可以是包含有机层作为发光层的OLED(有机发光二极管)，也可以是包含量子点层作为发光层的QLED(量子点发光二极管)。
[0030]EL层24例如通过从下层侧起按顺序层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层来构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法或光刻法在边缘覆盖膜23的开口(按每个发光元件)形成为岛状。其它层形成为岛状或满面状(共用层)。另外，也能够设为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的1个以上的层的构成。
[0031]第1电极22(阳极)例如是通过ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)与Ag(银)或包含Ag的合金的层叠而构成的光反射电极。第2电极25(阴极)例如由镁银合金等金属薄膜构成，具有光透射性。
[0032]在发光元件X为OLED的情况下，通过第1电极22和第2电极25之间的驱动电流，空穴与电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，具备包含多个像素电路的显示区域、边框区域以及端子部，上述显示装置的特征在于，以包围上述显示区域的方式设置有框状的第1堤，在基板的上侧设置有薄膜晶体管层、发光元件层以及密封层，上述薄膜晶体管层包含第1金属层、第1层间绝缘膜、第2金属层、第2层间绝缘膜、第3金属层、第1平坦化膜、第4金属层以及第2平坦化膜，上述发光元件层包含第1电极、边缘覆盖膜、发光层以及第2电极，上述密封层包含第1无机密封膜、有机密封膜、第2无机密封膜，各像素电路包含发光元件、驱动晶体管以及电容器，上述显示区域包含扫描信号线、数据信号线以及与上述电容器的一个电极电连接的电源电压线，上述有机密封膜的端部由上述第1堤规定，在上述显示区域和上述第1堤之间，设置有除去了上述第1平坦化膜、上述第2平坦化膜以及上述边缘覆盖膜而成的第1狭缝，上述第3金属层包含与上述电源电压线电连接的第1电源干配线、以及经由与上述第1电极同层的导电膜与上述第2电极电连接的第2电源干配线，上述第4金属层包含与上述第1电源干配线接触的第1金属凸部、以及与上述第2电源干配线接触的第2金属凸部，上述第1电源干配线及上述第2电源干配线与上述第1狭缝重叠，上述第1堤包含：上述第1金属凸部；上述第2金属凸部；以及第1树脂凸部，其与上述第1金属凸部及上述第2金属凸部重叠，并且按框状形成于比上述第1电极靠上的层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，上述第1树脂凸部与上述边缘覆盖膜同层并且由与上述边缘覆盖膜相同的材料构成。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，上述第1金属凸部设置在上述端子部和与上述端子部相对的上述显示区域的一个边之间。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，上述第2金属凸部以沿着与上述端子部相对的上述显示区域的一个边的一部分、以及上述显示区域的余下的三个边的方式设置。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的显示装置，其中，上述第1堤包含岛状金属凸部，上述岛状金属凸部在上述第1金属凸部和上述第2金属凸部之间形...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，斋田信介，市川伸治，郡司辽佑，井上彬，仲田芳浩，神村浩治，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：