【技术实现步骤摘要】
LDO电源电路及功率放大器
[0001]本专利技术涉射频通讯
,尤其涉及一种LDO电源电路及功率放大器。
技术介绍
[0002]目前,功率放大器的功率控制方法分为电流控制和电压控制。
[0003]电流控制技术又称为基极控制技术,为闭环控制,通过检测功率放大器输出级的电流,此电流放到低压差线性稳压器(lowdropout regulator,LDO)电源电路的反馈端,同控制电压Vramp 电压合成后通过调整功率放大器的偏置电流来实现功率控制。
[0004]电压控制技术又称为集电极控制技术,控制电压Vramp控制 LDO电压,LDO电源电路为功率放大器提供电源。
[0005]相关技术中,对于控制电压Vramp控制时的功率放大器而言,无论是电压控制法还是电流控制法,控制电压Vramp的上升和下降斜率对于开关谱影响很大,需要控制好控制电压Vramp的斜率方可获得较好的开关谱。
[0006]因此,实有必要提供一种新的LDO电源电路及功率放大器解决上述问题。
技术实现思路
[0007 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LDO电源电路,其特征在于,包括:运算放大器、第一晶体管以及电阻反馈网络;所述运算放大器的负极输入端用于连接控制电压,所述运算放大器的正极输入端作为所述LDO电源电路的输入端,所述运算放大器的输出端连接至所述第一晶体管的栅极;所述第一晶体管的源极用于连接电源电压;所述第一晶体管的漏极作为所述LDO电源电路的输出端;所述电阻反馈网络连接至所述第一晶体管的漏极与所述运算放大器的正极输入端之间;所述电阻反馈网络包括相互并联的第一支路和第二支路,所述第一支路形成第一反馈系数,所述第二支路形成第二反馈系数,且所述第一反馈系数与所述第二反馈系数相异。2.根据权利要求1所述的LDO电源电路,其特征在于,所述电阻反馈网络包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第二晶体管;所述第一电阻的第一端连接至所述第一晶体管的漏极,所述第一电阻的第二端连接至所述运算放大器的正极输入端;所述第二电阻的第一端连接至所述第一电阻的第二端,所述第二电阻的第二端连接至接地;所述第三电阻的第一端连接至所述第一电阻的第二端,所述第三电阻的第二端连接至所述第二晶体管的漏极;所述第二晶体管的栅极用于连接所述控制电压,所述第二晶体管的源极连接至接地;所述第一电阻和所述第二电阻共同形成所述第一支路;所述第一电阻、所述第三电阻以及所述第二晶体管共同形成所述第二支路。3.根据权利要求2所述的LDO电源电路,其特征在于,所述第一晶体管为PMOS管,所述第二晶体管为NMOS管。4.根据权利要求1所述的LDO电源电路,其特征在于,所述LDO电源电路还包括稳压电容,所述稳压电容的第一端连接至所述第一晶体管的漏极,所述稳压电容的第二端连接至接地。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:周永峰,郭嘉帅,
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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