【技术实现步骤摘要】
一种电平位移电路及电子设备
[0001]本申请属于电子电路
,具体涉及一种电平位移电路及电子设备。
技术介绍
[0002]半导体芯片内部不同电源电压的电路模块之间信号的变换,会涉及到电平位移电路的使用。目前比较常用的一种集成的高压电平位移电路如图1所示。其中,L1、L2、L3是由逻辑电路部分产生的低压时序控制信号,输入范围是GND~VDD,L1和L2的逻辑相反;N1管、N2管、N3管为高压NMOS器件,P1管、P2管、P3管为高压PMOS器件,由P1管、P2管和N1管、N2管构成的电平位移单元,将L1、L2的低压逻辑信号转变为可以控制P3管的高压电平(输出范围是GND~HV),与L3一起控制由P3和N3组成的反向输出级,从而实现从低压逻辑信号到高压驱动输出的转换。。而高压器件的设计和工艺制造比较复杂,并且随着高压部分的工作电压越来越高,高压器件的隔离将变得更加困难,成本也越来越高。此外,在设计过程中,若没有这种耐高压的晶体管,将会导致整个设计无法进行。
技术实现思路
[0003]鉴于此,本申请的目的在于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电平位移电路,其特征在于,包括:恒流源、限压模块,所述限压模块与所述恒流源串接,形成电压抬升电路;所述电压抬升电路的第一连接端用于连接电源,所述电压抬升电路的第二连接端接地,所述限压模块与所述恒流源相连接的位置为第三连接端;所述限压模块,用于限制所述第三连接端输出的电压大小;所述第一连接端用于输出高位电压VDDH,所述第三连接端用于输出中位电压VB,所述第一连接端和所述第三连接端用于为负载供电,使得所述负载的耐压差为VDDH
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VB。2.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,所述限压模块包括:串接的多个二极管;所述多个二极管中的第一个二极管的阳极与所述第一连接端连接,所述第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极连接,所述第二个二极管的阴极与第三极管的阳极连接,以此类推,最后一个二极管的阴极与所述第三连接端连接;或者,所述多个二极管中的第一个二极管的阳极与所述第三连接端连接,所述第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极连接,所述第二个二极管的阴极与第三极管的阳极连接,以此类推,最后一个二极管的阴极与所述第二连接端连接。3.根据权利要求2所述的电平位移电路,其特征在于,所述限压模块包括:串接的多个电阻。4.根据权利要求3所述的电平位移电路,其特征在于,所述限压模块包括:串接的多个开关管;所述多个开关管中的第一个开关管的第一端与所述第一连接端连接,所述第一个开关管的第二端与其第三端连接,并与第二个开关管的第一端连接,所述第二个开关管的第二端与其第三端连接,并与第三个开关管的第一端连接,以此类推,最后一个开关管的第二端与其第三端连接,并与所述第三连接端连接;或者,所述多个开关管中的第一个开关管的第一端与所述第三连接端连接,所述第一个开关管的第二端与其第三端连接,并与第二个开关管的第一端连接,所述第二个开关管的第二端与其第三端连接,并与第三个开关管的第一端连接,以此类推,最后一个...
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