图像传感器制造技术

本公开涉及一种制造光电元件的方法，该光电元件包括具有能够捕获辐射的有机光电二极管的光学传感器。该光学传感器覆盖具有MOS晶体管(102)的电子电路(101)。该方法包括：在光学传感器上，在该光学传感器的与光电元件相反的侧面上形成对辐射透明的第一层(201)，该第一层在与该光学传感器相反的侧面上具有平面表面；以及在该表面上形成第二层(301)，该第二层是不透氧气和水的。层是不透氧气和水的。层是不透氧气和水的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像传感器
[0001]本专利申请案要求法国专利申请FR19/08017的优先权权益，该申请以引用方式并入本文。


[0002]本公开一般涉及基于光学传感器的光电组件，该光学传感器包括集成在MOS晶体管的基材上的有机光电二极管。

技术介绍

[0003]已知在透明屏幕下集成光学传感器的许多技术，例如，用于将指纹传感器集成在手机中或者用于将光学传感器集成在手机屏幕中以用于面部辨识。
[0004]某些传感器经集成于包括MOS晶体管的基材上，从而形成光电二极管的控制电子元件。

技术实现思路

[0005]一个实施例解决了已知光电元件的全部或一些缺点。
[0006]一实施例提供了一种制造光电元件的方法，该光电元件包括具有能够捕获辐射的有机光电二极管的光学传感器，该光学传感器覆盖具有MOS晶体管的电子电路，该方法包括以下连续步骤：
[0007]a)在光学传感器上，在该光学传感器的与电子电路相反的侧面上形成对所述辐射透明的第一层，该第一层在与光学传感器相反的侧面上具有平面表面；以及
[0008]b)在该表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造光电元件的方法，所述光电元件包括具有能够捕获辐射的有机光电二极管(107)的光学传感器，所述光学传感器覆盖具有MOS晶体管(102)的电子电路(101)，所述方法包括以下连续步骤：a)在所述光学传感器上，在所述光学传感器的与所述电子电路相反的侧面上形成对所述辐射透明的第一层(201)，所述第一层在与所述光学传感器相反的侧面上具有平面表面(202)；以及b)在所述表面上形成第二层(301；505；702)，所述第二层是不透氧气和水的，其中所述电子电路(101)在其表面处包括至少一个电传导垫片(109)，所述方法进一步包括以下步骤：c)在所述第一层(201)中形成至少第一开口(404；503；605；704)以暴露所述垫片。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：d)在所述第二层(201)中形成至少面向所述垫片的第二开口(404；503；605；704)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一开口(404；503；704)的所述形成通过反应离子蚀刻来达成。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一开口(404；503；704)的所述形成通过激光消融来达成。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一开口(605)的所述形成通过纳米压印微影技术来达成。6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一层(201)由对电磁辐射感光的材料制成，并且其中，所述第一开口的所述形成包括将所述第一层暴露于所述电磁辐射的步骤。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，步骤b)在步骤c)之前，在步骤b)与步骤c)之间，所述方法包括在所述第二层(301；702)中形成第二开口(403；703)的步骤，在步骤c)处形成的所述第一开口与所述第二开口对齐。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：形成面向所述电传导垫片(109)的抗蚀剂块(504；701)，所述块包括顶部和侧面；进行步骤c)，其中所述第二层(505；...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾米琳，
申请(专利权)人：爱色乐居，
类型：发明
国别省市：