一种解决碱抛亮角装置制造方法及图纸

技术编号:33236334 阅读:63 留言:0更新日期:2022-04-27 17:36
本实用新型专利技术属于PERC太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种解决碱抛亮角装置,包括辊筒输送线,辊筒输送线包括沿水平方向依次转动设置的若干滚筒,沿辊筒输送线的输送方向依次设有第一水膜喷淋机构、第二水膜喷淋机构和去PSG槽体,去PSG槽体设在辊筒输送线的下方;第一水膜喷淋机构包括第一喷淋管,第二水膜喷淋机构包括第二喷淋管,第一喷淋管和第二喷淋管均设在辊筒输送线的上方,且第一喷淋管和第二喷淋管均沿辊筒输送线的宽度方向设置,第一喷淋管沿辊筒输送线的宽度方向依次开设有若干第一喷淋孔,第二喷淋管沿辊筒输送线的宽度方向依次开设有若干第二喷淋孔,第一喷淋管和第二喷淋管均设在对应的相邻两个滚筒之间。二喷淋管均设在对应的相邻两个滚筒之间。二喷淋管均设在对应的相邻两个滚筒之间。

【技术实现步骤摘要】
一种解决碱抛亮角装置


[0001]本技术属于PERC太阳能电池制备
,尤其涉及一种解决碱抛亮角装置。

技术介绍

[0002]随着科技的发展,尤其是晶硅技术的发展,PERC太阳能电池片外观要求比较严格。在电池片背面刻蚀过程中,背面去除PSG时,在电池片正面采用水膜保护的条件下对电池片背面扩散后形成的PSG进行去除;去PSG中要防止正面过刻,否则后续进一步碱抛时会破坏pn结,易导致碱抛后电池片正面的边缘和角部过刻,形成电池片正面亮角等问题。
[0003]而现有在电池片背面去除PSG前只设置一道水膜喷淋装置,使电池片正面形成水膜保护后,再对电池片背面去除PSG,如目前使用的捷佳创的PSG机台,或者现有专利CN201620544100.5,其公开了一种刻蚀印消除装置,具体披露了沿着输送架的输送方向依次设置的水膜喷淋装置、去PSG槽、水膜减薄装置和刻蚀槽。即均是在电池片背面去除PSG前只设置一道水膜喷淋装置,导致现有水膜喷淋装置存在形成的水膜厚度较薄,以及水膜喷淋不均匀的缺陷。对电池片背面去除PSG时水膜不能很好地保护电池片边缘和角部,易导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决碱抛亮角装置,其特征在于:包括辊筒输送线(1),所述辊筒输送线(1)包括沿水平方向依次转动设置的若干滚筒(11),沿所述辊筒输送线(1)的输送方向依次设置有第一水膜喷淋机构(2)、第二水膜喷淋机构(3)和去PSG槽体(4),所述去PSG槽体(4)设置在辊筒输送线(1)的下方;所述第一水膜喷淋机构(2)包括第一喷淋管(21),所述第二水膜喷淋机构(3)包括第二喷淋管(31),所述第一喷淋管(21)和第二喷淋管(31)均设置在辊筒输送线(1)的上方,且所述第一喷淋管(21)和第二喷淋管(31)均沿辊筒输送线(1)的宽度方向设置,所述第一喷淋管(21)沿辊筒输送线(1)的宽度方向依次开设有若干第一喷淋孔(22),所述第二喷淋管(31)沿辊筒输送线(1)的宽度方向依次开设有若干第二喷淋孔(32),所述第一喷淋管(21)和第二喷淋管(31)均设置在对应的相邻两个所述滚筒(11)之间。2.根据权利要求1所述的解决碱抛亮角装置,其特征在于:所述第二喷淋孔(32)的直径大于第一喷淋孔(22)的直径,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张辉孟鑫朱颜斌
申请(专利权)人:江苏润阳悦达光伏科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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