结合剂及其用途制造技术

本发明专利技术涉及结合至消皮素D并抑制消皮素D介导的细胞死亡和炎症的抑制剂。所述抑制剂可为蛋白质性的，例如抗原结合蛋白，或为非蛋白质性的，诸如适体。本发明专利技术公开了一种结合至SEQ ID NO:9:KREGSGRFSLPGATC的肽的抗体。在一个实施方案中，该抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D与脂质的缔合，诸如其中该抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与脂质的缔合，任选地其中该抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D与磷脂酰肌醇4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结合剂及其用途


[0001]本文所提供的公开内容涉及结合至消皮素D(gasdermin D)并抑制消皮素D介导的细胞死亡和炎症的抑制剂。

技术介绍

[0002]细胞焦亡是一种高度炎性类型的程序性细胞死亡，其由多种不同威胁诱发，包括微生物病原体或胞质溶胶的宿主来源扰动。细胞焦亡在形态学上和机制上不同于其它形式的细胞死亡，并且依赖于蛋白消皮素D的激活和募集以形成细胞膜中的多聚体孔。这些多聚体孔的形成破坏了细胞的膜电位，从而使细胞离子梯度消散，并且造成渗透压的净增加、水内流、细胞溶胀和最终渗透裂解。消皮素D孔能够释放炎性细胞因子，诸如白介素(IL)
‑
1α、IL
‑
1β和IL
‑
18，并且由渗透裂解诱发的细胞死亡会诱发炎性细胞因子及警报素(alarmin)诸如HMGB1和ATP的进一步释放。因此细胞焦亡的特征包括快速质膜破裂和炎性细胞因子释放，这进一步募集免疫效应细胞，从而激活宿主中的更大炎性反应(Pandeya等人，2019年，Med.Chem.Commun.，10(5):660
‑
667)。
[0003]因此细胞焦亡是抵御感染并诱导病理性炎症的主要细胞反应。然而，炎性反应的失调是如下疾病的关键驱动因素：与急性和慢性炎症相关的许多衰竭性疾病，诸如败血病、动脉粥样硬化、炎性肠病、非酒精性脂肪性肝炎、肺癌、家族性地中海热以及自身炎症性疾病诸如冷炎素(cryopyrin)相关周期性综合征。因此特异性地靶向细胞焦亡的抑制剂可能在诊所中对于这些疾病的治疗具有治疗用途。
[0004]NLRP3炎性小体和半胱天冬酶1是细胞焦亡的关键炎性反应引发剂。其它炎性小体诸如AIM2、NLRC4和NLRP1还可诱导半胱天冬酶
‑
1、消皮素D和细胞焦亡的激活。一旦被炎性小体复合体激活，半胱天冬酶1就通过细胞因子诸如IL
‑
1β和IL
‑
18的切割和激活以及蛋白消皮素D的切割来引发促炎反应。半胱天冬酶1非依赖性细胞焦亡也可经由半胱天冬酶4、5和8进行，其也可切割消皮素D(Bergsbaken等人，2009年，Nat Rev Microbiol，7(2):99
‑
109；Frank和Vince，2019年，Cell Death and Differentiation，26:99
‑
114)。
[0005]消皮素D也称为GSDMD、DF5L、DFNA5L、GSDMDC1和FKSG10，它是由N端结构域和C端结构域构成的约53kDa蛋白。N端结构域(GSDMD
N端
)为31kDa并且由接头与C端结构域(GSDMD
C端
)分开，该C端结构域为22kDa。全长蛋白处于自动抑制状态，其中C端结构域向后折叠并且分子内结合至N端结构域。促炎蛋白酶在结构域间接头的区域中切割全长消皮素D，使得消皮素D的N端结构域和C端结构域分开，从而解除自动抑制。GSDMD
N端
本身能够诱导细胞焦亡。
[0006]目前市场上没有直接靶向消皮素D以治疗败血病或其它炎性疾病的治疗剂。靶向消皮素D的研究仅聚焦于能够与消皮素D的位置Cys191处的游离巯基反应的小分子抑制剂(Rathekey等人，2018年，Sci.Immunology，3,eaat2738)。因此，需要新的治疗方式。

技术实现思路

[0007]本专利技术提供了一种结合至消皮素D并抑制消皮素D的消皮素D抑制剂，诸如其中该
ID NO:8或SEQ ID NO:9的表位，诸如其中本专利技术的抑制剂结合至包含SEQ ID NO:9的表位。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9，诸如其中本专利技术的抑制剂结合至SEQ ID NO:9。
[0025]在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D的N端结构域并结合至SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9的分离的肽，诸如其中本专利技术的抑制剂结合至SEQ ID NO:9的分离的肽。
[0026]消皮素D插入到质膜中需要消皮素D的N端结构域与细胞膜的脂质的缔合。因此，在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D并抑制所述消皮素D与脂质的缔合，诸如其中该抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与脂质的缔合。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D与磷脂酰肌醇4
‑
磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5
‑
二磷酸的缔合，诸如其中该抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与磷脂酰肌醇4
‑
磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5
‑
二磷酸的缔合。
[0027]消皮素D的N端结构域插入细胞膜中引起消皮素D亚基的低聚，其中其充当多聚体孔复合体。本专利技术人已确定可通过防止孔形成来破坏消皮素D的功能。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D的低聚，诸如其中该抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D的低聚。该机制由此防止孔的形成。
[0028]消皮素D亚基低聚形成孔需要消皮素D亚基之间的相互作用。因此破坏消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用将抑制孔形成。因此，在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂抑制消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用，诸如其中该抑制剂中和消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。该机制由此防止低聚。
[0029]消皮素D多聚体孔复合体的形成引起细胞因子的释放和细胞离子梯度的破坏。已经在细胞表面上形成的孔的破坏和抑制可抑制一个或多个消皮素D活性，诸如通过细胞焦亡进行的细胞死亡。因此，在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D多聚体孔。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D多聚体孔并阻断该孔。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至消皮素D多聚体孔并破坏该孔的亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至多聚体孔的消皮素D亚基。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至多聚体孔的消皮素D亚基，并阻断该孔。在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂结合至多聚体孔的消皮素D亚基，并破坏该孔的亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。
[0030]在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂抑制IL
‑
1β和/或IL
‑
18的释放，诸如其中该抑制剂中和IL
‑
1β和/或IL
‑
18的释放。
[0031]消皮素D的活性和/或功能的抑制可引起因细胞焦亡所致的细胞死亡的抑制。因此，在一些实施方案中，本专利技术的抑制剂可抑制由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种消皮素D抑制剂，所述消皮素D抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D。2.一种消皮素D抑制剂，所述消皮素D抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D。3.根据权利要求1或2所述的消皮素D抑制剂，其中消皮素D的抑制和/或中和是如下的抑制和/或中和：i)消皮素D的活性，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的活性；和/或ii)消皮素D的功能，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的功能。4.根据权利要求1至3中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂：i)是细胞外抑制剂；ii)结合至细胞表面上的消皮素D；和/或iii)结合至消皮素D，并且除非其结合至消皮素D，否则不跨越细胞膜。5.根据权利要求1至4中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂是大分子，诸如其中所述抑制剂具有>2kDa、>3kDa、>4kDa、>5kDa、>6kDa、>7kDa、>8kDa、>9kDa或>10kDa的分子量。6.根据权利要求1至5中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D的N端结构域。7.根据权利要求1至6中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至包含SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9的表位，诸如其中所述抑制剂结合至包含SEQ ID NO:9的表位。8.根据权利要求7所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至包含SEQ IDNO:9的表位。9.根据权利要求1至8中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9，诸如其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:9。10.根据权利要求9所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:9。11.根据权利要求1至10中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制所述消皮素D与脂质的缔合，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与脂质的缔合，任选地其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制所述消皮素D与磷脂酰肌醇4
‑
磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5
‑
二磷酸的缔合，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与磷脂酰肌醇4
‑
磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5
‑
二磷酸的缔合。12.根据权利要求1至11中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D的低聚，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的低聚，任选地其中所述抑制剂抑制消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。13.根据权利要求1至11中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D多聚体孔，诸如其中：i)所述抑制剂阻断所述孔；或者ii)所述抑制剂破坏所述孔的消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。14.根据权利要求13所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至所述多聚体孔的消皮素D亚基，诸如其中：i)所述抑制剂阻断所述孔；或者
ii)所述抑制剂破坏所述孔的消皮素D亚基之间的蛋白
‑
蛋白相互作用。15.根据权利要求1至14中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂抑制IL
‑
1β和/或IL
‑
18的释放。16.根据权利要求1至15中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂是蛋白质性的，例如抗原结合蛋白，诸如其中所述抗原结合蛋白是抗体或抗体的抗原结合片段。17.一种用于抑制和/或中和消皮素D的活性和/或功能的方法，包括使根据权利要求1至16中任一项所述的消皮素D抑制剂与消皮素D接触。18.根据权利要求1至16中任一项所述的消皮素D抑制剂用于抑制和/或中和消皮素D的活性和/或功能的用途。19.根据权利要求1至16中任一项所述的抑制剂，所述抑制剂用于抑制和/或中和消皮素D，诸如中和消皮素D，任选地其中消皮素D的抑制和/或中和是如下的抑制和/或中和：i)消皮素D的活性，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的活性；和/或ii)消皮素D的功能，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：詹森药业有限公司，
类型：发明
国别省市：