背面入射型摄像元件制造技术

一种背面入射型摄像元件，具备：半导体基板，其具有表面及上述表面的相反侧的背面，且被赋予接地电位；及半导体层，其形成于上述表面上；上述半导体层具有：第1元件部，其包含根据来自上述背面侧的入射光而产生信号电荷的受光部，且输出与上述信号电荷对应的信号电压；及第2元件部，其包含将自上述第1元件部输出的上述信号电压转换为数字信号的模拟

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面入射型摄像元件


[0001]本专利技术涉及一种背面入射型摄像元件。

技术介绍

[0002]目前，已知有在1个芯片内形成承担受光与电荷传送的CCD部、及承担模拟数字转换等信号处理的CMOS部的单片式(monolithic)CCD
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CMOS传感器。在非专利文献1中记载有CCD
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CMOS传感器。在该CCD
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CMOS传感器中，可进行背面照射。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：Pierre Boulenc,Jo Robbelein,Linkun Wu,Vasyl Motsnyi,Luc Haspeslagh,Stefano Guerrieri,JonathanBorremans,Maarten Rosmeulen“High Speed Backside Illuminated TDI CCD
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CMOSSensor”[令和1年7月本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种背面入射型摄像元件，其中，具备：半导体基板，其具有表面及所述表面的相反侧的背面，且被赋予接地电位；及半导体层，其形成于所述表面上，所述半导体层具有：第1元件部，其包含根据来自所述背面侧的入射光而产生信号电荷的受光部，且输出与所述信号电荷对应的信号电压；及第2元件部，其包含将自所述第1元件部输出的所述信号电压转换为数字信号的模拟
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数字转换器，与所述表面及所述背面交叉的第1方向上的所述半导体基板的厚度，与自所述第1方向观察与所述受光部对应的所述半导体基板的第1区域相比，在自所述第1方向观察与所述模拟
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数字转换器对应的所述半导体基板的第2区域中相对较厚。2.如权利要求1所述的背面入射型摄像元件，其中，所述半导体基...

【专利技术属性】
技术研发人员：村松雅治，高木慎一郎，米田康人，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：