带低辐射层积膜的玻璃板和玻璃产品制造技术

技术编号:33234396 阅读:17 留言:0更新日期:2022-04-27 17:32
本发明专利技术提供提高了玻璃产品所需要的特性的带低辐射层积膜的玻璃板。本发明专利技术中的带低辐射层积膜的玻璃板(10)具备玻璃板(1)、以及由玻璃板(1)支承的低辐射层积膜(2)。低辐射层积膜(2)具有配置在低辐射层积膜(2)的最外侧的含有ZrO2的层(3)、以及配置在玻璃板(1)与含有ZrO2的层(3)之间的透明导电层(4)。含有ZrO2的层(3)中的ZrO2的含量为8mol%以上100mol%以下。含有ZrO2的层(3)中的SiO2的含量为0mol%以上92mol%以下。含有ZrO2的层(3)的表面(3a)的算术平均粗糙度Ra为12nm以下且小于透明导电层(4)的表面(4a)的算术平均粗糙度Ra。电层(4)的表面(4a)的算术平均粗糙度Ra。电层(4)的表面(4a)的算术平均粗糙度Ra。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带低辐射层积膜的玻璃板和玻璃产品


[0001]本专利技术涉及带低辐射层积膜的玻璃板和玻璃产品。

技术介绍

[0002]对于玻璃板,根据其用途,要求具有绝热性。玻璃板的绝热性例如可通过在其表面形成低辐射(Low

E(Low Emissivity))膜而提高。低辐射膜代表性地具备透明导电层,根据情况进一步具备配置在透明导电层上的SiO2层(例如专利文献1和2)。
[0003]SiO2层例如可以如下制造:通过所谓的溶胶凝胶法将硅醇盐等水解性硅化合物进行水解和缩聚,由此来制造该SiO2层。SiO2层例如也可以如下制造:将钠的硅酸盐和/或钾的硅酸盐的水溶液与锂硅酸盐的水溶液的混合物涂布至玻璃板,将所得到的涂膜干燥,进一步进行加热处理,由此来制造该SiO2层。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开第2006/098285号
[0007]专利文献2:日本特表2014

514997号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]但是,现有的带低辐射膜的玻璃板中,关于玻璃产品所需要的特性、例如耐久性、耐擦伤性、表面防污性等特性还有改善的余地。
[0010]因此,本专利技术的目的在于提供提高了玻璃产品所需要的特性的带低辐射层积膜的玻璃板。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术人进行了深入研究,结果发现,低辐射膜的表面的算术平均粗糙度对耐擦伤性和表面防污性带来影响。本专利技术人基于该技术思想进行了研究,从而完成了本专利技术。
[0013]本专利技术提供一种带低辐射层积膜的玻璃板,其具备玻璃板、以及
[0014]由上述玻璃板支承的低辐射层积膜,
[0015]上述低辐射层积膜具有配置在上述低辐射层积膜的最外侧的含有ZrO2的层、以及配置在上述玻璃板与上述含有ZrO2的层之间的透明导电层,
[0016]上述含有ZrO2的层中的ZrO2的含量为8mol%以上100mol%以下,
[0017]上述含有ZrO2的层中的SiO2的含量为0mol%以上92mol%以下,
[0018]上述含有ZrO2的层的表面的算术平均粗糙度Ra为12nm以下且小于上述透明导电层的表面的算术平均粗糙度Ra。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本专利技术,能够提供提高了玻璃产品所需要的特性的带低辐射层积膜的玻璃板。
附图说明
[0021]图1是本专利技术的一个实施方式中的带低辐射层积膜的玻璃板的示意性截面图。
[0022]图2是示出带低辐射层积膜的玻璃板中的透明导电层的表面附近的放大截面图。
[0023]图3是示出玻璃产品的一例的示意性截面图。
[0024]图4A是用于说明设置于室外温度比室内低的环境中的现有的玻璃产品的温度分布的图。
[0025]图4B是用于说明设置于室外温度比室内低的环境中的图3的玻璃产品的温度分布的图。
[0026]图5是示出变形例1的玻璃产品的示意性截面图。
[0027]图6是示出变形例2的玻璃产品的示意性截面图。
[0028]图7是示出变形例3的玻璃产品的示意性截面图。
[0029]图8是示出变形例4的玻璃产品的示意性截面图。
[0030]图9是示出将玻璃产品用作运输工具的天窗的状态的图。
具体实施方式
[0031]以下对本专利技术的详细情况进行说明,但以下的说明并非旨在将本专利技术限定于特定的实施方式。
[0032]<带低辐射层积膜的玻璃板的实施方式>
[0033]如图1所示,本实施方式的带低辐射层积膜的玻璃板10具备玻璃板1和低辐射层积膜2。低辐射层积膜2被玻璃板1支承。低辐射层积膜2例如与玻璃板1相接,覆盖玻璃板1的主表面(具有最宽广面积的表面)。低辐射层积膜2例如与外部气氛(代表性地为空气)接触。
[0034]低辐射层积膜2具有包含ZrO2的层(含有ZrO2的层3)和透明导电层4。含有ZrO2的层3配置在低辐射层积膜2的最外侧,与外部气氛接触。透明导电层4配置在玻璃板1与含有ZrO2的层3之间,例如与含有ZrO2的层3相接。透明导电层4与玻璃板1可以相接、也可以不相接。
[0035]本实施方式的带低辐射层积膜的玻璃板10中,含有ZrO2的层3的表面(外部气氛侧的表面3a)的算术平均粗糙度Ra为12nm以下且小于透明导电层4的表面(含有ZrO2的层3侧的表面4a)的算术平均粗糙度Ra。表面3a的算术平均粗糙度Ra优选为10nm以下、更优选为8nm以下、特别优选为6nm以下。对于表面3a的算术平均粗糙度Ra的下限值没有特别限定,例如为1nm。表面3a的算术平均粗糙度Ra可以通过依据JIS B0601:2013的规定的方法来确定。
[0036]带低辐射层积膜的玻璃板10中,透明导电层4的表面4a的算术平均粗糙度Ra只要大于含有ZrO2的层3的表面3a的算术平均粗糙度Ra就没有特别限定,例如为14nm以上。对于表面4a的算术平均粗糙度Ra的上限值没有特别限定,可以为50nm、也可以为25nm。表面4a的算术平均粗糙度Ra例如可以通过下述方法确定。首先,利用扫描型电子显微镜(SEM)对带低辐射层积膜的玻璃板10的截面进行观察。图2示出了利用SEM观察得到的透明导电层4的表面4a附近的电子显微镜图像的一例。由所得到的电子显微镜图像确定表面4a的粗糙度曲线。可以通过JIS B0601:2013中规定的计算方法根据所得到的粗糙度曲线确定表面4a的算术平均粗糙度Ra。需要说明的是,关于表面4a的算术平均粗糙度Ra,可以在未形成含有ZrO2的层3(透明导电层4的表面4a露出到外部)的状态下通过依据JIS B0601:2013的规定的方
法来确定。需要说明的是,透明导电层4的表面4a也可以不完全被含有ZrO2的层3覆盖,其一部分可以露出到外部。这种情况下,从充分得到本专利技术的效果的方面出发,优选含有ZrO2的层3的表面3a以及露出到外部的透明导电层4的表面4a的一部分的算术平均粗糙度Ra均为12nm以下。
[0037](玻璃板)
[0038]玻璃板1可以为浮法平板玻璃、也可以为压花玻璃。浮法平板玻璃的表面具有优异的平滑性。浮法平板玻璃的表面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下、更优选为0.5nm以下。
[0039]压花玻璃的表面具有肉眼能确认的尺寸的宏观的凹凸。宏观的凹凸是平均间隔RSm为毫米数量级程度的凹凸。平均间隔RSm是指由粗糙度曲线与平均线交叉的点求出的峰谷一周期的间隔的平均值。宏观的凹凸可以在将粗糙度曲线中的评定长度设定为厘米数量级的情况下进行确认。压花玻璃的表面的凹凸的平均间隔RSm可以为0.3mm以上、0.4mm以上或0.45mm以上。平均间隔RSm可以为2.5mm以下、2.1mm以下、2.0mm以下或1.5mm以下。压花玻璃板的表面的凹凸优选具有上本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种带低辐射层积膜的玻璃板,其中,其具备玻璃板、以及由所述玻璃板支承的低辐射层积膜,所述低辐射层积膜具有配置在所述低辐射层积膜的最外侧的含有ZrO2的层、以及配置在所述玻璃板与所述含有ZrO2的层之间的透明导电层,所述含有ZrO2的层中的ZrO2的含量为8mol%以上100mol%以下,所述含有ZrO2的层中的SiO2的含量为0mol%以上92mol%以下,所述含有ZrO2的层的表面的算术平均粗糙度Ra为12nm以下且小于所述透明导电层的表面的算术平均粗糙度Ra。2.如权利要求1所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述透明导电层的所述表面的所述算术平均粗糙度Ra为14nm以上。3.如权利要求1或2所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述透明导电层实质上由含氟氧化锡构成。4.如权利要求1或2所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述透明导电层为实质上由含氟氧化锡构成且具有200nm以上400nm以下的厚度的层。5.如权利要求1或2所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述透明导电层为实质上由含氟氧化锡构成且具有400nm以上800nm以下的厚度的层。6.如权利要求1或2所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述透明导电层包含:实质上由含锑氧化锡构成且具有100nm以上300nm以下的厚度的第1透明导电层;以及实质上由含氟氧化锡构成且具有150nm以上400nm以下的厚度的第2透明导电层。7.如权利要求1~6中任一项所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述低辐射层积膜进一步具有配置在所述玻璃板与所述透明导电层之间的基底层。8.如权利要求7所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述基底层为包含碳氧化硅作为主成分且具有20nm以上120nm以下的厚度的层。9.如权利要求7所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述基底层包含:实质上由氧化锡构成且具有10nm以上90nm以下的厚度的第1基底层;以及实质上由SiO2构成且具有10nm以上90nm以下的厚度的第2基底层。10.如权利要求7所述的带低辐射层积膜的玻璃板,其中,所述基底层包含:实质上由SiO2构成且具有10nm以上30nm以下的厚度的第1基底层;实质上由氧化锡构成且具有10nm以上90nm以下的厚度的第2基底层;以及实质上由SiO2构成且具...

【专利技术属性】
技术研发人员:山本透田口雅文薮田武司
申请(专利权)人:日本板硝子株式会社
类型:发明
国别省市:

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