半导体器件几何方法和系统技术方案

描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息；以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像，可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如，不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件几何方法和系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月30日递交的美国申请号62/894,474、于2020年2月24日递交的美国申请号62/980,520、和于2020年6月23日递交的美国申请号63/042,654的优先权，这些美国申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本文的描述总体涉及半导体制造方法和系统中的光刻。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供与IC的单层对应的图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如穿过图案形成装置上的图案辐射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、在一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案在一个操作中被转印到一个目标部分上。这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一个或更多个非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质储存机器学习预测模型和指令，所述指令当由一个或更多个处理器执行时使所述一个或更多个处理器执行：接收输入信息，所述输入信息包括用于图案的几何形状信息和/或过程信息；和使用所述机器学习预测模型基于所述输入信息来预测多维输出衬底几何形状，所述预测包括基于所述输入信息和/或所述输出衬底几何形状来确定与所述图案的一个或更多个特征相关联的边缘放置误差(EPE)指标。2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述EPE指标对于所述图案的所述一个或更多个特征是对称或不对称的。3.根据权利要求2所述的非暂时性计算机可读介质，其中使用不对称分布的训练数据来训练所述机器学习预测模型，使得训练后的机器学习预测模型的权重和/或参数促成对对称或不对称的所述EPE指标的确定。4.根据权利要求3所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述不对称分布的训练数据包括根据与不对称分布的临界尺寸(CD)值相关联的多维概率图像而确定的不对称分布的EPE指标。5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述多维输出衬底几何形状指示所述图案的特征的形状的变化性。6.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述多维输出衬底几何形状指示给定几何形状占据衬底上的给定部位的概率。7.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述多维输出衬底几何形状包括呈多维的图案概率表示。8.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述指令还被配置成使所述一个或更多个处理器利用所述机器学习预测模型，基于所述多维输出衬底几何形状来预测(1)对称或不对称随机边缘放置误差带和(2)随机失效率中的一者或两者。9.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：