【技术实现步骤摘要】
一种低噪声高增益宽带全差分跨阻放大器
[0001]本专利技术属于光互连通信
,特别涉及一种低噪声高增益宽带全差分跨阻放大器。
技术介绍
[0002]近年来,随着智能手机、平板电脑、超高清电视(UHDTV)以及相关网络服务(如高质量视频流和社交网络)的普及,全球数据流量一直在快速增长。相应地,数据中心通信已成为一个飞速发展的市场,收集和传输着海量信息。因此,更高速率和更大容量的数据处理和传输变得尤为重要。与电互连相比,光互连有着明显的优势,如通信容量大、频带宽、损耗极低、串扰小、抗电磁干扰、低抖动等,因此能够为数据中心和高性能计算(HPC)等提供低功耗、超高速率的数据互连。
[0003]在光互连通信系统中,光接收机作为其关键组成部分,对整个光互连通信系统有着重要的影响。而在光接收机整体电路中,跨阻放大器(TIA)作为第一级电路位于最前端,其噪声占系统总噪声的绝大部分,其性能的好坏几乎决定了整个光接收机系统的整体性能。目前,随着硅基纳米光电子工艺和集成电路设计技术的不断发展,设计出可用于超高速光接收机的SiGe B ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低噪声高增益宽带全差分跨阻放大器,其特征在于:包括输入电路和放大电路,该放大器将光电探测器产生的第一差分光电流输入信号(I
inp
)和第二差分光电流输入信号(I
inn
)进行转换并放大为第一差分电压信号(V
outp
)和第二差分电压信号(V
outn
),用于驱动后级差分匹配阻抗为100Ω的电路;输入电路包括第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4),第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R
E1
)、第四电阻(R
E2
),第一晶体管(Q1)和第二晶体管(Q2)的基极均接入第一偏置电压(V
b1
),第一晶体管(Q1)和第二晶体管(Q2)的发射极分别接入第一差分光电流输入信号(I
inp
)和第二差分光电流输入信号(I
inn
),第一晶体管(Q1)和第二晶体管(Q2)的集电极分别经第一电阻(R1)、第二电阻(R2)接电源电压(V
DD
),第一晶体管(Q1)和第二晶体管(Q2)的发射极分别接第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)的集电极;第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)的基极均接入第二偏置电压(V
b2
),第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)的发射极分别经第三电阻(R
E1
)、第四电阻(R
E2
)接地;放大电路包括第五晶体管(Q5)、第六晶体管(Q6)、第七晶体管(Q7)、第八晶体管(Q8)、第九晶体管(...
【专利技术属性】
技术研发人员:何进,张书豪,万佳龙,
申请(专利权)人:武汉珞芯微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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