一种保护电路制造技术

本公开涉及一种保护电路，包括：第一引脚，用于连接需要保护的MOS管的漏极；第二引脚，用于输出控制信号；第三引脚，用于连接需要保护的MOS管的栅极；第四引脚，用于连接外部电路以调节所述保护电路的钳位电压；第一高压MOS管，所述第一高压MOS管的源极和栅极短接；钳位模块，用于将电路的电压由高压转换为低压；第一三极管和防止所述第一三极管损坏的第一MOS管；电流镜；第三三极管；钳位压降模块，用于调整所述第一三极管的发射极与第三三极管的发射极间压降与所述电流镜和所述第三三极管之间的压降相等。间的压降相等。间的压降相等。

【技术实现步骤摘要】
一种保护电路


[0001]本公开涉及电路
，更为具体来说，本公开涉及一种保护电路。

技术介绍

[0002]Clamp钳位电路是一个典型MOS开关管保护电路，经常用于保护具有高电压、大电流特性的功率开关管，广泛应用于汽车电子和消费电子领域。在汽车电子领域中，开关管的漏端电压可能达到40V以上，而开关管的栅端驱动电压只有5V，由于MOS管的寄生效应，常常会因为漏端的高压而损坏开关管。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术的Clamp钳位电路因为漏端的高压而损坏开关管不能满足用户需求的技术问题。
[0004]为实现上述技术目的，本公开提供了一种保护电路，包括：
[0005]第一引脚，用于连接需要保护的MOS管的漏极；
[0006]第二引脚，用于输出控制信号；
[0007]第三引脚，用于连接需要保护的MOS管的栅极；
[0008]第四引脚，用于连接外部电路以调节所述保护电路的钳位电压；
[0009]第一高压MOS管，所述第一高压MOS管的源极和栅极短接；/>[0010]所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：第一引脚，用于连接需要保护的MOS管的漏极；第二引脚，用于输出控制信号；第三引脚，用于连接需要保护的MOS管的栅极；第四引脚，用于连接外部电路以调节所述保护电路的钳位电压；第一高压MOS管，所述第一高压MOS管的源极和栅极短接；所述第一高压MOS管的源极和栅极连接所述第一引脚；第二高压MOS管，所述第二高压MOS管的漏极和所述第一高压MOS管的漏极相连接；钳位模块，用于将电路的电压由高压转换为低压；第一三极管和防止所述第一三极管损坏的第一MOS管；所述第一三极管的发射极和所述第二高压MOS管的栅极相连接；电流镜；第三二极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；第三MOS管；所述电流镜经过所述第二三极管与所述第三引脚相连接；所述第一三极管的发射极和所述第三二极管之间连接所述第二引脚；钳位压降模块，用于调整所述第一三极管的发射极与第三三极管的发射极间压降与所述电流镜和所述第三三极管之间的压降相等；所述钳位压降模块依次与所述第三三极管、所述第三MOS管相连接；所述第三MOS管的漏极接地；所述第三MOS管的栅极经过所述第四三极管连接所述第四引脚。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述钳位模块具体包括：至少一个二极管以及与所述二极管数量相对应的至少一个三极管；所述二极管和所述三极管依次串联连接，所述二极管与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏洪森，王云，郝炳贤，张建华，薛静，张梦，楼玥，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：