【技术实现步骤摘要】
一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置
[0001]本专利技术涉及复合薄膜的制备
,更具体地说,本专利技术涉及一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置。
技术介绍
[0002]VI族元素及其Cd基三元化合物是优良的光电功能材料,以Cd(NO3)2
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4H2O、Na2SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在ITO玻璃基底上制备了CdSeTe,薄膜样品,在制备过程中需要采用制备装置进行混合制备操作。
[0003]而实际使用时,在制备过程中需要用到水浴加热,这样避免温度过高,而一般通过外部循环加热水,实现外部水浴加热操作,这样的加热方式会存在以下缺点;
[0004]在进行制备过程中,水浴加热仅仅只能在外部进行加热操作,这样导致在P型掺杂和N型掺杂过程中,对于水浴温度把握较为严谨,虽然可以控制外部水温,但是在掺杂循环过程中,温度导热流动性较差,导致循环效果较差,影响掺杂制备温度需要,从而均匀性较差,制备效果较差。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置,包括混合箱(1),其特征在于:所述混合箱(1)底端安装有控制阀(2),所述控制阀(2)底端连接有制备掺杂箱(3),所述制备掺杂箱(3)内部设置有水浴机构;所述水浴机构包括设置在制备掺杂箱(3)内部的环形管(4),所述环形管(4)外部连接有多个斜形分散管(5),所述斜形分散管(5)底端连接有外扩环形管(6),所述外扩环形管(6)内壁连接有多个凹形嵌入管(7),所述外扩环形管(6)底端安装有多个下流管(8),所述下流管(8)底端连接有环形汇集管(9),所述环形汇集管(9)底端连通有多个下流导向管(10),所述下流导向管(10)底端连接有回流汇集管(11),所述回流汇集管(11)顶端连接有第一输送管(12),所述第一输送管(12)一端安装有加热箱(13)。2.根据权利要求1所述的一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置,其特征在于:所述加热箱(13)顶端安装有吸入泵机(14),所述吸入泵机(14)输入端与加热箱(13)之间相连通,所述吸入泵机(14)输出端连接有注入管(15),所述注入管(15)与环形管(4)顶端相连通,所述加热箱(13)底端安装有电加热板(16)。3.根据权利要求1所述的一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置,其特征在于:多个斜形分散管(5)呈环形等距分布设置,所述凹形嵌入管(7)竖截面形状设置为凹形,所述凹形嵌入管(7)两端分别与外扩环形管(6)内壁和环形汇集管(9)内壁两两之间相连通。4.根据权利要求1所述的一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置,其特征在于:所述环形管(4)内部安装有第一旋转杆(17),所述第一旋转杆(17)外部且位于环形管(4)下方位置处设置有多个旋转转杆(18),所述旋转转杆(18)下方安装有旋转绞龙(19),所述第一旋转杆(17)底端连接有四个第二旋转杆(20),所述第二旋转杆(20)内部连接有分散板(21),所述第一旋转杆(17)顶端安装有驱动电机(47)。5.根据权利要求1所述的一种Cd基VI族化合物复合薄膜的制备装置,其特征在于:所述制备掺杂箱(3)外部一侧安装有掺杂机构,所述掺杂机构包括设置在制备掺杂箱(3)外部一侧的分流管(22),所述分流管(22)一侧设置有第一弧形掺杂管(23),所述第一弧形掺杂管(23)下方安装有第二弧形掺杂管(24),所述第二弧形掺杂管(24)下方安装有第三弧形掺杂管(25),所述第一弧形掺杂管(23)、第二弧形掺杂管(24)、第三...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾广瑞,吴宝嘉,李慧婷,金健,崔伟哲,管雪,戚庆碧,
申请(专利权)人:延边大学,
类型:发明
国别省市:
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