一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法技术

本发明专利技术提供一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法，用于解决现有星载计算机PROM程序区单比特数据错误的问题，降低空间环境单粒子翻转的风险，提高产品的可靠性。包括集成有EDAC纠检错功能的处理器、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM，PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；处理器的数据总线接用于存储程序的PROM，处理器的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。序区EDAC校验码的PROM。序区EDAC校验码的PROM。

【技术实现步骤摘要】
一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法


[0001]本专利技术涉及空间嵌入式计算机应用
，具体为一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法。

技术介绍

[0002]单粒子翻转是影响星载计算机产品可靠性的重要因素。单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)是宇宙中单个高能粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转：原来存储的“0”变为“1”，或者“1”变为“0”，从而导致系统功能紊乱，严重时会发生灾难性事故。SEU主要发生在存储器或指令相关的器件中，随着芯片集成度的增加，发生SEU错误的可能性也越来越高。典型的SEU是由于宇宙中高能粒子的轰击造成的，SEU已经成为星载计算机中最常见的错误。
[0003]现阶段，星载计算机系统SEU防护的主要措施是双机(或三机)冗余，程序区SEU防护的主要措施是基于Flash的三模冗余或直接采用PROM存储器，该方法可以满足一般星载产品对空间环境的要求，但不能完全满足空间环境极其恶劣的深空探测任务。由于深空探测任务空间高能粒子较多且飞行器在轨时间很长，而Flash存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，包括集成有EDAC纠检错功能的处理器(1)、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，所述SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM(3)和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM(4)，所述PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；所述处理器(1)的地址总线A[2:20]通过驱动器(2)分别接第一SRAM(3)和第二SRAM(4)的地址线A[0:18]，所述处理器(1)的地址总线A[2:16]通过驱动器(2)分别接PROM存储器的地址线A[0:14]；所述处理器(1)的数据总线接用于存储程序的PROM，所述处理器(1)的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。2.根据权利要求1所述的一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，所述第一SRAM(3)的数据总线接所述处理器(1)的数据总线D[0:31]，所述第二SRAM(4)的数据总线接所述处理器(1)的EDAC总线CB[0:7]。3.根据权利要求1所述的一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，所述第一SRAM(3)的读、写信号和第二SRAM(4)的读、写信号之间对应互联，并接到所述处理器(1)的全局读、写信号上；所述第一SRAM(3)和第二SRAM(4)的片选RAMCS#信号互联，并接所述处理器(1)SRAM区的片选信号。4.根据权利要求1所述的一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，所述PROM程序存储校验区包括4片8位PROM组成的32位程序存储区和1片8位PROM组成的8位EDAC校验区。5.根据权利要求1所述的一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，所述用于存储程序的PROM包括第一PROM(5)、第二PROM(6)、第三PROM(7)和第四PROM(8)，所述存储程序区EDAC校验码的PROM包括第五PROM(9)；其中，所述第一PROM(5)的数据总线接所述处理器(1)的数据总线D[0:7]，第二PROM(6)的数据总线接所述处理器(1)的数据总线D[8:15]，第三PROM(7)的数据总线接所述处理器(1)的数据总线D[16:23]，第四PRO...

【专利技术属性】
技术研发人员：全勇涛，路海全，刘曙蓉，杨文清，贾可辉，贾森，刘秀娜，曲翕，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：