【技术实现步骤摘要】
半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备
[0001]本专利技术涉及半导体装备
，特别是涉及一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备。
技术介绍
[0002]随着半导体行业的飞速发展，对半导体热处理设备的生产效率及良品率等性能提出了更高的要求。半导体热处理设备通常用于晶圆(wafer)的氧化、化学气相沉积、扩散、退火等工艺处理，对温度控制的准确性要求较高。
[0003]半导体热处理设备中的加热空间通常被划分为多个温控区域，在加热空间中，通常会在距晶圆不同距离的位置分别设置多个温度传感器，以采集不同位置的温度值。在工艺处理过程中，可以根据不同的温控需求，选择其中一个位置的温度传感器采集到的温度值作为温控过程中的控制温度，对温控区域进行温度控制。由于不同位置处的温度传感器采集到的温度值与晶圆表面的温度存在差偏差，为了获取到更准确的控制温度，需要根据温度传感器所在的位置和参考温度获取对应的温度补偿值，对温度传感器采集的温度值进行补偿。
[0004]在先技术中，半导体热处理设备以参考温度为目标温度，进行加热...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法，其特征在于，所述半导体热处理设备中用于容纳晶圆的加热空间被划分为多个温控区域；在所述温控区域中，从靠近所述晶圆的目标位置起，沿远离所述晶圆的方向，间隔设置有多个温度传感器；所述方法包括：确定需要获取第一目标温度补偿值的参考温度；通过与所述参考温度对应、且与所述温控区域对应的辅助温度补偿值对所述温控区域内第一温度传感器采集的温度值进行补偿；所述第一温度传感器为所述温控区域内与所述晶圆相距最近的温度传感器；所述辅助温度补偿值对应所述加热空间中目标区域内的温度稳定在所述参考温度对应的温度波动区间内时，所述第一温度传感器采集的温度值与所述参考温度之间的偏差；以所述参考温度为目标温度，通过补偿后的温度值对所述第一温度传感器所在的温控区域进行恒温控制，并在所述温控区域内的当前温度稳定的情况下，获取所述温控区域内相邻的两个所述温度传感器采集的温度值之间的第一温度差值；将所述第一温度差值作为与所述参考温度对应、且与所述温控区域对应的第一目标温度补偿值保存，以在对所述晶圆进行工艺处理时通过所述第一目标温度补偿值对所述温度传感采集的温度值进行补偿。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热空间中设置有工艺管，所述晶圆容纳于所述工艺管中；在所述确定需要获取第一目标温度补偿值的参考温度之前，所述方法还包括：通过与所述参考温度对应、且与所述温控区域对应的临时温度补偿值对所述温控区域内第二温度传感器采集的温度值进行补偿，并以所述参考温度为目标温度，通过补偿后的温度值对所述温控区域进行恒温控制；所述第二温度传感器为所述温控区域内与所述工艺管相距最近的温度传感器；在达到预设的采集条件的情况下，移动多个所述温控区域内的第一温度传感器，采集所述目标区域内不同位置的温度值，以判断所述目标区域内的温度是否稳定在所述温度波动区间内；在所述目标区域内的温度未稳定在所述温度波动区间内的情况下，调整所述临时温度补偿值，并通过调整后的临时温度补偿值重复执行对所述第二温度传感器采集的温度值进行补偿，并根据补偿后的温度值进行恒温控制的步骤，以及采集所述目标区域内不同位置的温度值的步骤，直至所述目标区域内的温度值温度稳定在所述温度波动区间；在所述目标区域内的温度稳定在所述温度波动区间内的情况下，获取所述第一温度传感器采集的温度值与所述参考温度之间的第二温度差值；基于所述第二温度差值，确定与所述参考温度对应、且与所述温控区域对应的所述辅助温度补偿值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述参考温度为多个；所述基于所述第二温度差值，确定与所述参考温度对应、且与所述温控区域对应的所述辅助温度补偿值，包括：将多个所述参考温度作为待定函数的自变量，并将与所述温控区域对应、且与所述参考温度对应的第二温度差值作为所述待定函数的因变量，基于所述待定函数进行曲线拟合，确定与所述温控区域对应的目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：张云龙，王艾，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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