具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用，该异质结材料包括依次叠加的锰氧化物层和铱氧化物层；所述锰氧化物层为La

【技术实现步骤摘要】
具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及存储器
，具体涉及具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)是一类利用电子自旋流代替电荷流实现信息存储的新型非易失性存储器，具有低功耗、长寿命、非波动性和抗极端温度等优点，更兼容当前互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)半导体工艺，是最有希望在微米尺度下取代半导体晶体管的一项新型技术路线。
[0003]SOT
‑
MRAM利用自旋轨道矩效应(Spin
‑
orbit Torque，SOT)，使得在垂直薄膜的方向由于自旋霍尔效应等机制产生电子自旋流能引起磁性隧道结中临近磁性层的磁矩翻转，完成信息的存储过程。SOT
‑
MRAM具有写入速度快，初始延迟短的特点，克服了当前存储器芯片带宽的限制，在边缘计算、AI等方向有着显著的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有自旋轨道矩效应的异质结材料，其特征在于：包括依次叠加的锰氧化物层和铱氧化物层；所述锰氧化物层为La
0.67
Sr
0.33
MnO3层；所述铱氧化物层为XIrO3层；所述铱氧化物层中铱氧化物为钙钛矿型氧化物；其中所述XIrO3层中X为碱土金属阳离子；所述锰氧化物层的厚度为3nm～8nm；所述铱氧化物层的厚度为5nm～12nm。2.根据权利要求1所述的具有自旋轨道矩效应的异质结材料，其特征在于：所述锰氧化物层的厚度为3nm～8nm；优选地，所述铱氧化物层的厚度为5nm～12nm。3.根据权利要求1所述的具有自旋轨道矩效应的异质结材料，其特征在于：所述锰氧化物层中的锰氧化物的晶面取向为(001)。4.根据权利要求1所述的具有自旋轨道矩效应的异质结材料，其特征在于：所述XIrO3层中X为钙离子或锶离子中的至少一种。5.一种制备如权利要求1至4任一项所述的具有自旋轨道矩效应的异质结材料的方法，其特征在于：在基片上依次沉积锰氧化物和铱氧化物，形成所述锰氧化物层和铱氧化物层。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：何洪涛，余涛，周良，陈平博，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：