包括叠加标记的电子装置、包括叠加标记的存储器装置及相关方法制造方法及图纸

一种电子装置，其包括：至少一个高纵横比特征，其在基底材料堆叠中；叠加标记，其仅在所述基底材料堆叠的上部中或上；及额外材料堆叠，其邻近所述基底材料堆叠，所述额外材料堆叠包括所述至少一个高纵横比特征。公开额外电子装置及存储器装置，还公开在电子装置中形成高纵横比特征的方法。高纵横比特征的方法。高纵横比特征的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括叠加标记的电子装置、包括叠加标记的存储器装置及相关方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年8月21日申请的题为“包括叠加标记的电子装置、包括叠加标记的存储器装置及相关方法(Electronic Devices Comprising Overlay Marks,Memory Devices Comprising Overlay Marks,and Related Methods)”的序列号为16/546,759的美国专利申请案的申请日期的权益。


[0003]本文中公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定来说，本公开的实施例涉及包括高纵横比特征的电子装置上的叠加标记、包括高纵横比特征的存储器装置上的叠加标记，且还涉及在电子装置中形成高纵横比特征的方法。

技术介绍

[0004]电子装置(例如，微电子装置、存储器装置)设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的分离距离来提高电子装置内的特征(例如，组件)的集成度或密度。电子装置设计者还希望设计不仅是紧凑的而且提供性能优点以及简化设计的架构。减小特征的尺寸及间隔对用于形成电子装置的方法提出了越来越高的要求。一种解决方案是形成三维(3D)电子装置，其中特征是竖直布置而非水平布置。为了形成特征，高纵横比(HAR)开口形成于材料堆叠中，其中一或多种材料随后形成于HAR开口中以产生HAR特征。
[0005]也称为对准标记或配准标记的叠加标记定位于材料堆叠上且用于在初始(例如，基底)材料堆叠之上形成一或多个材料堆叠(例如，层面)。常规3D电子装置的堆叠对用于常规对准及叠加工艺中的辐射的波长可为透明的。对准测量系统(例如，计量系统)通过用测量辐射束照射叠加标记、接收从叠加标记散射的测量辐射束的至少一部分及从经散射辐射确定叠加标记的位置来测量叠加标记的位置。切割道叠加标记特征与有源存储器阵列同时创建，且通常导致堆叠的透明材料与叠加标记的材料之间的不良光学对比。此导致常规3D电子装置出现大叠加误差及高良率损失。初始层面上的叠加对准标记用于以严格的叠加规范叠加随后层面。叠加标记由计量系统来检测，所述计量系统由光刻系统用于对准初始层面之上的随后形成的层面。随着3D电子装置中的HAR特征的纵横比增加，层面之间的叠加误差增加且产生不可校正的错误。另外，随着3D电子装置中的层面数增加，HAR特征沿着HAR特征的长度展现缺陷，例如倾斜、扭曲及临界尺寸(CD)变化。叠加对准标记展现类似于HAR特征的图案且沿着其长度包含类似缺陷。当辐射(例如，来自计量系统的检测信号)被叠加对准标记反射时，叠加对准标记中的缺陷致使由堆叠的块状体积(例如，下部及中间部分)引起的对准信号不同于由堆叠的上部引起的对准信号。因为堆叠是透明的，因此被叠加标记反射且被计量系统检测的辐射的显著部分由堆叠的块状体积促成，其包含缺陷的相对大百分比。由于从堆叠的其它部分接收到不正确信息，因此对准信号的差异导致叠加对准标记的错误且受损的检测。堆叠的上部与堆叠的其它部分之间的对准信号的差异导致叠加对准
标记的错误且受损的检测。随着3D电子装置的多层面结构中的堆叠数增加，大叠加误差及高良率损失将继续增加。为了图案化厚存储器堆叠的层，使用厚牺牲硬掩模，其对用于常规对准及叠加工艺中的辐射的波长可为不透明的，且因此，需要额外半导体处理来实现叠加形貌转移。

技术实现思路

[0006]公开一种电子装置，且所述电子装置包括基底材料堆叠中的至少一个高纵横比特征。叠加标记仅在所述基底材料堆叠的上部中或上。额外材料堆叠在所述基底材料堆叠之上且包括所述至少一个高纵横比特征。
[0007]还公开另一电子装置。所述电子装置包括基底材料堆叠的阵列区中的至少一个高纵横比特征。叠加标记在所述基底材料堆叠的上部中或上。一或多个额外材料堆叠邻近所述基底材料堆叠且包括所述至少一个高纵横比特征。
[0008]还公开存储器装置。所述存储器装置包括包含材料堆叠的多层面结构中的至少一个高纵横比特征。叠加标记仅在所述材料堆叠的初始堆叠的上部中或上。
[0009]公开一种在电子装置中形成高纵横比特征的方法。所述方法包括形成包括至少一个高纵横比开口的基底材料堆叠及仅在所述基底材料堆叠的上部中的叠加标记。邻近所述基底材料堆叠形成一或多个额外材料堆叠。所述一或多个额外材料堆叠包括与所述基底材料堆叠中的所述至少一个高纵横比开口基本上对准的至少一个高纵横比开口。在所述基底材料堆叠中及在所述一或多个额外材料堆叠中的所述至少一个高纵横比开口中形成特征材料或牺牲材料以形成高纵横比特征。
附图说明
[0010]图1到11及14到17是在叠加标记区的上部中包含根据本公开的实施例的叠加标记且在阵列区中包含HAR特征的电子装置的横截面图；
[0011]图12及13是包含具有金属化表面的根据本公开的实施例的叠加标记的电子装置的横截面图；
[0012]图18到20是展示根据本公开的实施例的形成图6及7的电子装置的叠加标记的各个阶段的横截面图；
[0013]图21是在叠加标记区的上部中包含根据本公开的实施例的叠加标记且在阵列区中包含HAR特征的电子装置的横截面图；
[0014]图22是说明根据本公开的实施例的包含电子装置中的一或多者的存储器装置的示意性框图；及
[0015]图23是说明根据本公开的实施例的包含电子装置中的一或多者的电子系统的示意性框图。
具体实施方式
[0016]公开在材料堆叠(例如，层面)的上部中包含一或多个叠加标记的电子装置(例如，设备、半导体装置、存储器装置)。一或多个叠加标记可包含光学对比材料(例如，反射材料、不透明材料)。取决于用于叠加标记中的材料，叠加标记可将从计量系统发射的辐射反射到
光刻系统以进行检测或可基本上防止(例如，基本上阻挡)辐射从堆叠的其它部分(例如，中间部分、下部)反射。因此，根据本公开的实施例的叠加标记提供来自堆叠的上部的经改进光学信号，而来自堆叠的其它部分的光学信号被大幅减少或消除。电子装置包含具有多个层面(即，多层面结构)的三维(3D)电子装置，其中一或多个层面形成于包含叠加标记的初始层面(例如，第一层面、初始堆叠、基底堆叠)之上。材料堆叠可对用于随后实施的对准及叠加工艺中的辐射的波长透明。3D电子装置的层面包含高纵横比(HAR)开口，其中HAR特征最终将形成于电子装置的阵列区中。叠加标记形成于电子装置的叠加标记区中。通过将一或多个叠加标记定位于初始层面的上部中，叠加标记提供邻近于初始层面(例如，初始层面之上)的随后形成的层面的稳定且准确的叠加。来自初始层面的其它部分的光学信号可基本上或至少部分被阻挡。叠加标记因此在HAR开口形成期间基本上防止或基本上减少叠加误差，从而使HAR特征能以严格公差形成。
[0017]通过将叠加标记定位于堆叠的上部中，叠加标记提供相较于由具有透明材料堆叠及常规叠加标记的常规电子装置提供的光学对比度有所增加的光学对比度。根据本公开的实施例的叠加标记在随后实施的光刻动作期间提供增本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，其包括：至少一个高纵横比特征，其在基底材料堆叠中；叠加标记，其仅在所述基底材料堆叠的上部中或上；及额外材料堆叠，其邻近所述基底材料堆叠，所述额外材料堆叠包括所述至少一个高纵横比特征。2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括不仅在所述基底材料堆叠的所述上部中或上的其它叠加标记。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述叠加标记包括较低纵横比特征。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括反射材料。5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括不透明材料。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述基底材料堆叠包括光学透明材料。7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述至少一个高纵横比特征存在于所述电子装置的阵列区中，且所述叠加标记存在于所述电子装置的叠加标记区中。8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述至少一个高纵横比特征存在于所述电子装置的裸片区中，且所述叠加标记存在于所述电子装置的切割道区中。9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述至少一个高纵横比特征及所述叠加标记存在于所述电子装置的裸片区中。10.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记的相应叠加标记在所述至少一个高纵横比特征中。11.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述叠加标记包括多晶硅材料之上的金属硅化物材料。12.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括叠加标记区中的所述基底材料堆叠的所述上部中的光学对比材料，且所述叠加标记延伸到所述光学对比材料。13.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括叠加标记区中的所述基底材料堆叠的所述上部上的光学对比材料。14.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括所述基底材料堆叠的所述上部中及叠加标记区中的高纵横比特征之上的光学对比材料。15.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述光学对比材料包括所述基底材料堆叠的所述上部中及所述叠加标记区中的高纵横比特征之上的反射材料，且所述反射材料不存在于阵列区中的所述基底材料堆叠的所述上部中。16.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括在所述基底材料堆叠的所述上部中且包围叠加标记区中的高纵横比特征的光学对比材料。17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述光学对比材料包括在所述基底材料堆叠的所述上部中且包围所述叠加标记区中的所述高纵横比特征的不透明材料，所述不透明
材料不存在于阵列区中的所述基底材料堆叠的所述上部中。18.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括所述叠加标记区中的阳形貌。19.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括所述叠加标记区中的阴形貌。20.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠加标记包括小于所述阵列区中的所述至少一个高纵横比特征的临界尺寸的叠加标记区中的临界尺寸。21.一种电子装置，其包括：至少一个高纵横比特征，其在基底材料堆叠的阵列区中；叠加标记，其在所述基底材料堆叠的叠加标记区的上部中或上；及一或多个额外材料堆叠，其邻近所述基底材料堆叠，所述一或多个额外材料堆叠包括所述至少一个高纵横比特征。22.一种存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：