开关电路制造技术

本公开提供一种开关电路。开关电路包含P型晶体管开关、以及第一P型控制晶体管。P型晶体管开关包含第一控制端、第一输出端、以及第一输入端，第一输入端接收逻辑电平为一的第一输入信号。第一P型控制晶体管耦接第一输入端、以及第一控制端。第一P型控制晶体管包含第二控制端，第二控制端接收逻辑电平为零的第二输入信号，以导通第一P型控制晶体管，第一P型控制晶体管在导通时，传输第一输入信号至P型晶体管开关的第一控制端，以关闭P型晶体管开关。以关闭P型晶体管开关。以关闭P型晶体管开关。

【技术实现步骤摘要】
开关电路


[0001]本公开涉及一种开关电路。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体(MOS)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的晶体管。金属氧化物半导体依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常分别称为N型金属氧化物半导体(NMOS)以及P型金属氧化物半导体(PMOS)。NMOS以及PMOS皆可透过栅极(Gate)接收输入信号的逻辑电平为零或一，以控制NMOS以及PMOS的导通或关闭，其中，NMOS的栅极根据接收逻辑电平为一的输入信号导通，NMOS的栅极根据接收逻辑电平为零的输入信号关闭；PMOS的栅极根据接收逻辑电平为零的输入信号导通，PMOS的栅极根据接收逻辑电平为一的输入信号关闭。
[0003]当开关电路设置PMOS且开关电路的电源关闭时，基于PMOS的特性，PMOS的栅极的逻辑电位为零而使PMOS为导通状态，PMOS无法完全关闭，因此导致寄生电路漏电以及PMOS漏电，漏电电流可能从PMOS的源极(Source)漏电至基极(Body)或漏极(Drain)。
专利
技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，包含：P型晶体管开关，包含：第一控制端；第一输出端；以及第一输入端，用以接收逻辑电平为一的第一输入信号；以及第一P型控制晶体管，耦接所述第一输入端以及所述第一控制端，包含：第二控制端，用以接收逻辑电平为零的第二输入信号，以导通所述第一P型控制晶体管，所述第一P型控制晶体管在导通时传输所述第一输入信号至所述P型晶体管开关的所述第一控制端，以关闭所述P型晶体管开关。2.根据权利要求1所述的开关电路，还包含：N型晶体管开关，耦接所述第一输入端以及所述第一输出端，包含：第三控制端，用以接收第一输入反相信号，所述第一输入反相信号与所述第一输入信号互为反相。3.根据权利要求2所述的开关电路，所述开关电路以芯片来实现，所述第一控制端以及所述第三控制端位于所述芯片的内部，所述第一输入端以及所述第二控制端为所述芯片的输入端，所述第一输入信号以及所述第二输入信号来自耦接所述芯片的外部电路。4.根据权利要求2所述的开关电路，还包含：反相器，耦接所述第三控制端以及所述第一控制端，包含：P型晶体管，包含：第二输入端，用以接收所述第二输入信号；第四控制端，耦接所述第三控制端；以及第二输出端，耦接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宗延，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：