直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置以及操作其的方法制造方法及图纸

技术编号:33191503 阅读:16 留言:0更新日期:2022-04-24 00:19
本发明专利技术揭露一种直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置,以及操作其的方法。该直接记忆体存取控制器用来存取一记忆体,该记忆体包含一特权区域及一普通区域。该操作直接记忆体存取控制器的方法包含:找出该直接记忆体存取控制器中处于一闲置状态的一直接记忆体存取通道;设定该直接记忆体存取通道之一模式暂存器的一暂存值,以令该直接记忆体存取通道操作于一特权模式;设定该直接记忆体存取通道之一地址暂存器及一计数暂存器;以及控制该直接记忆体存取通道基于该地址暂存器及该计数暂存器进行数据搬移。器进行数据搬移。器进行数据搬移。

【技术实现步骤摘要】
直接记忆体存取控制器、使用其之电子装置以及操作其的方法


[0001]本专利技术是关于直接记忆体存取(direct memory access,DMA)控制器,尤其是关于共用DMA控制器,以及操作DMA控制器的方法。

技术介绍

[0002]电子装置通常会将高优先权的数据储存于记忆体中的特权区域(privilege area)(亦称为特权记忆体(privilege memory)),并且将普通(即低优先权)的数据储存于记忆体中的普通区域(normal area)(亦称为普通记忆体(normal memory))。因此,可操作于特权模式及普通模式的系统单芯片(System on a Chip,SoC)通常会为两种模式使用独立的DMA控制器或是独立的DMA通道(DMA channel)。然而,由于DMA控制器或DMA通道不会时时刻刻被同一特权级别(即特权模式或普通模式)使用,所以这样的做法比较耗费资源。

技术实现思路

[0003]鉴于先前技术之不足,本专利技术之一目的在于提供直接记忆体存取控制器、使用直接记忆体存取控制器之电子装置以及操作直接记忆体存取控制器的方法。
[0004]本专利技术揭露一种直接记忆体存取控制器,用来存取一记忆体,该记忆体包含一特权区域及一普通区域。该直接记忆体存取控制器包含一直接记忆体存取通道、一模式暂存器、一设定接口以及一控制电路。该模式暂存器用来储存一暂存值。当该暂存值为一第一数值时,该直接记忆体存取通道操作于一特权模式,以及当该暂存值为一第二数值时,该直接记忆体存取通道操作于一普通模式。设定接口用来接收一控制命令。控制电路耦接于该直接记忆体存取通道,用来根据该控制命令设定该模式暂存器之该暂存值。当该直接记忆体存取通道操作于该特权模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该特权区域及该普通区域,以及当该直接记忆体存取通道操作于该普通模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该普通区域,但无法存取该特权区域。
[0005]本专利技术另揭露一种电子装置,包含一处理器、一记忆体以及一直接记忆体存取控制器。该处理器用来产生一控制命令,该控制命令用来设定该直接记忆体存取控制器之一操作模式。该记忆体包含一特权区域及一普通区域。该直接记忆体存取控制器透过一总线耦接该处理器及该记忆体,并且包含一直接记忆体存取通道、一设定接口以及一模式暂存器。该直接记忆体存取控制器透过该设定接口接收该控制命令。该模式暂存器用来储存对应于该控制命令的一暂存值。当该暂存值为一第一数值时,该直接记忆体存取通道操作于一特权模式,以及当该暂存值为一第二数值时,该直接记忆体存取通道操作于一普通模式。当该直接记忆体存取通道操作于该特权模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该特权区域及该普通区域,以及当该直接记忆体存取通道操作于该普通模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该普通区域,但无法存取该特权区域。
[0006]本专利技术另揭露一种操作一直接记忆体存取控制器的方法。该直接记忆体存取控制
integrated circuit,ASIC)),并且藉由执行储存在记忆体中的程序代码或程序指令来完成控制电路110的功能。
[0020]DMA通道120可以操作在特权模式或普通模式,而且DMA通道0(120-0)与DMA通道1(120-1)互相独立。举例来说,DMA通道0(120-0)及DMA通道1(120-1)可以同时操作在特权模式或普通模式,也可以一者操作在特权模式,另一者操作在普通模式。当DMA通道120的模式暂存器122的暂存值为第一数值(例如逻辑1)时,该DMA通道120操作在特权模式,且当DMA通道120的模式暂存器122的暂存值为第二数值(例如逻辑0)时,该DMA通道120操作在普通模式。
[0021]当DMA控制器100或DMA通道120被设定为特权模式时,则DMA控制器100或该DMA通道120操作于特权模式,且之后的所有设定或者读取操作,都需要使用特权模式的控制命令来进行。如果是普通模式的控制命令试图读取DMA控制器100或者DMA通道120,或者试图设定DMA控制器100或者DMA通道120来进行数据搬移,则操作于特权模式的DMA控制器100或者操作于特权模式的DMA通道120会拒绝这些操作。在一些实施例中,当普通模式的软体或硬体企图读取操作于特权模式的DMA控制器100的设定或操作于特权模式的DMA通道120的设定时,操作于特权模式的DMA控制器100或操作于特权模式的DMA通道120不回复真实的值,而是回复「0」、保留值(reserved value)或是随机值,以避免普通模式的软体或硬体得知操作于特权模式的DMA控制器100的设定或操作于特权模式的DMA通道120的设定。
[0022]设定接口130及主接口140透过总线200与处理器300(例如中央处理器、微处理器、微处理单元、数字信号处理器或特殊应用集成电路)、特权记忆体400及普通记忆体500耦接。总线200也可以是连线(interconnect)或总线矩阵。特权记忆体400及普通记忆体500可以是两个独立的实体记忆体(例如动态随机存取记忆体(dynamic random access memory,DRAM)),或是同一个实体记忆体的不同区块或区域(即特权/普通区块,或特权/普通区域)。处理器300透过总线200传送控制命令CM,且DMA控制器100透过设定接口130接收该控制命令CM。控制命令CM可以用来设定DMA通道120的模式暂存器122的暂存值。控制命令CM包含特权属性(privilege attribute),处理器300藉由控制特权属性的值来产生特权模式的控制命令CM或是普通模式的控制命令CM。更明确地说,操作于特权模式的处理器300所产生的控制命令CM的特权属性为第一逻辑值(例如逻辑1),而操作于普通模式的处理器300所产生的控制命令CM的特权属性为第二逻辑值(例如逻辑0)。
[0023]在一些实施例中,控制电路110根据控制命令CM设定目标DMA通道120的模式暂存器122,更明确地说,控制电路110基于该特权属性来设定目标DMA通道120的模式暂存器122。举例来说,当控制命令CM的特权属性为第一逻辑值(例如逻辑1)时,控制电路110将目标DMA通道120的模式暂存器122的暂存值设为第一逻辑值,且当控制命令CM的特权属性为第二逻辑值(例如逻辑0)时,控制电路110将目标DMA通道120的模式暂存器122的暂存值设为第二逻辑值。在一些实施例中,设定接口130可以是先进外围总线(Advanced Peripheral Bus,APB),且该特权属性为之一保护讯号(Protection signal,Pprot)的其中一比特(例如比特值为0,即Pprot[0])。在其他的实施例中,设定接口130可以是先进高性能总线(Advanced High-performance Bus,AHB)或其他接口。
[0024]操作于特权模式的处理器300可以读取另一个处理器(图未示)对DMA控制器100或DMA通道120所做的设定,该另一个处理器操作于普本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直接记忆体存取控制器,用来存取一记忆体,该记忆体包含一特权区域及一普通区域,该直接记忆体存取控制器包含:一直接记忆体存取通道;一模式暂存器,用来储存一暂存值,其中当该暂存值为一第一数值时,该直接记忆体存取通道操作于一特权模式,以及当该暂存值为一第二数值时,该直接记忆体存取通道操作于一普通模式;一设定接口,用来接收一控制命令;以及一控制电路,耦接于该直接记忆体存取通道,用来根据该控制命令设定该模式暂存器之该暂存值;其中,当该直接记忆体存取通道操作于该特权模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该特权区域及该普通区域,以及当该直接记忆体存取通道操作于该普通模式时,该直接记忆体存取通道可以存取该普通区域,但无法存取该特权区域。2.根据权利要求1所述之直接记忆体存取控制器,其中该设定接口系一先进外围总线。3.根据权利要求2所述之直接记忆体存取控制器,其中该控制命令包含一特权属性,且该特权属性系对应于该先进外围总线之一保护讯号的其中一比特。4.根据权利要求1所述之直接记忆体存取控制器,其中该直接记忆体存取控制器接收由一处理器所产生之一查询命令,该直接记忆体存取通道回应该查询命令产生一回复内容,该回复内容包含该直接记忆体存取通道之一当前状态。5.根据权利要求4所述之直接记忆体存取控制器,其中当该处理器操作于该特权模式时,该回复内容更包含该直接记忆体存取通道之一当前操作模式。6.根据权利要求1所述之直接记忆体存取控制器,其中该直接记忆体存取控制器接收由一处理器所产生之一查询命令,该直接记忆体存取通道回应该查询命令产生一回复内容,当该直接记忆体存取通道操作于该特权模式且处于一闲置状态,而且该处理器操作于该普通模式时,该回复内容指示该直接记忆体存取通道处于一忙碌状态。7.根据权利要求1所述之直接记忆体存取控制器,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:林振东陈月峰
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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