本发明专利技术公开了一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，所述的T型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。本发明专利技术磁场装置结构科学合理，其磁场的有效磁路长，可使音圈线圈区永不逃逸出磁缸或碰缸底，从而形成一个均衡的超强磁场的匀强磁场。磁场的匀强磁场。磁场的匀强磁场。
【技术实现步骤摘要】
一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置
[0001]本专利技术涉及扬声器领域，具体地来说，提供一种用于扬声器的磁场装置，此装置也可以应用于其他需要匀强磁场的地方。
[0002]
技术介绍
:磁场设计千变万化，理论涉及面广，应用中呈现的效果也是五花八门。由于磁场的特性，做一个匀强磁场也不难，但是做一个高强度高品质高利用率的匀强磁场就很难，特别是永磁材料组成一个高强度高品质高利用率的磁场就更难。(如扬声器的磁路即磁场)我们经过多年研究与实践，专利技术了一种扬声器(喇叭)用高品质高强磁场高利用率的匀强磁场。
[0003]
技术实现思路
：本专利技术的目的是提供一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置。
[0004]本专利技术的技术方案：一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，其特征在于，所述的T型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。
[0005]作为优选，所述环状永磁材料内侧设置有磁屏蔽材料。
[0006]作为优选，所述内空柱体的根部和磁柱的根部具有环状凹槽。
[0007]作为优选，所述凹槽为方形凹槽或孤形凹槽。
[0008]作为优选，所述内空柱体顶端与磁柱根部之间的距离为磁缸间隙1.2～3倍。
[0009]本专利技术的有益效果：本专利技术磁场装置结构科学合理，其磁场的有效磁路长，可使音圈线圈区永不逃逸出磁缸或碰缸底，从而形成一个均衡的超强磁场的匀强磁场。
[0010]附图说明:图1是本专利技术实施例一的结构示意图；图2是本专利技术实施例二的结构示意图；图3是本专利技术实施例三的结构示意图；图4是本专利技术实施例四的结构示意图。
[0011]图中： 1、匀强磁场，2、盖板， 3、磁柱，4、环状永磁材料，5、内空柱体，6、底板，7、凹槽，8、孤形凹槽，9、圆角，10圆弧结构，11、磁屏蔽材料，12、U型导磁体，13、柱型磁性材料，14、凸台，15、弧形槽。
具体实施方式
[0012]实施例1如图1所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的T型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙1.2倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。本匀强磁场装置还具有外壳，T型磁缸底板导
磁体、T型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
[0013]实施例2如图2所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的T型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙2倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。所述内空柱体的根部具有环状凹槽，所述磁柱的根部具有环状凹槽。本匀强磁场装置还具有外壳，T型磁缸底板导磁体、T型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
[0014]实施例3如图3所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料4，所述的T型磁缸底板导磁体由底板6和磁柱3构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板2和内空柱体5构成，内空柱体5的顶端与磁柱3根部之间的距离为磁缸间隙3倍（磁缸间隙为匀强磁场的两极之间的距离）。所述环状永磁材料4的内侧设置有磁屏蔽材料11。所述磁柱的根部具有环状凹槽，凹槽转角处具有圆角。所述内空柱体的根部具有环状凹槽，凹槽转角处具有圆角。或者所述磁柱的根部具有孤形槽。或者所述内空柱体的根部具有环状孤形槽。本匀强磁场装置还具有外壳，T型磁缸底板导磁体、T型柱内空磁缸上盖板与环状永磁材料4组装后置于外壳中。内空柱体5与磁柱3之间形成匀强磁场1。
[0015]实施例4如图4所示，一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由柱型磁性材料13与U型导磁体12构成。U型导磁体12为盖板和底板的统一体。柱型磁性材料13位于U型导磁体12的正中央，U型导磁体12的底部具有凸台14，柱型磁性材料13的底部放置在凸台14上，柱型磁性材料13底部大于凸台14约1毫米以上。U型导磁体12底部与柱型磁性材料13底部的磁极型相反。柱型磁性材料13与U型导磁体12内壁之间的间隙为匀强碰场1。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，其特征在于，所述的T型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。2.根据权利要求1所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述环状永磁材料内侧设置有磁屏蔽...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑治龙，覃仕明，
申请(专利权)人：张家界龙仕高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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