一种IGBT并联驱动均衡电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电力电子变化器技术领域，具体公开了一种IGBT并联驱动均衡电路，包括IGBT驱动电路组、并联IGBT组和驱动均衡电路，所述IGBT驱动电路组包括多个并联的IGBT驱动电路，所述并联IGBT组包括多颗并联的IGBT，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT一一对应连接，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的连接处连接有所述驱动均衡电路。本实用新型专利技术提供的IGBT并联驱动均衡电路，可以极大提高IGBT驱动电路一致性性能，大大提高并联IGBT静态均流能力，降低IGBT损耗，提高电路效率。提高电路效率。提高电路效率。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT并联驱动均衡电路


[0001]本技术涉及电力电子变化器
，更具体地，涉及一种IGBT并联驱动均衡电路。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于光伏逆变器领域。
[0003]随着光伏逆变器额定功率越来越大，单管IGBT已不能满足更大电流与散热热需求，并联的形式使IGBT具有更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势；但是，静态和动态均流问题的存在，限制了IGBT通流能力的利用率。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的不足，本技术提供了一种IGBT并联驱动均衡电路，以解决相关技术中存在的IGBT并联静态均流的问题。
[0005]作为本技术的第一个方面，提供一种IGBT并联驱动均衡电路，包括IGBT驱动电路组、并联IGBT组和驱动均衡电路，所述IGBT驱动电路组包括多个并联的IGBT驱动电路，所述并联IGBT组包括多颗并联的IGBT，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT一一对应连接，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的连接处连接有所述驱动均衡电路。
[0006]进一步地，所述驱动均衡电路包括多个首尾连接的背靠背二极管组，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的门极连接，每两个所述IGBT的门极之间连接有一个所述背靠背二极管组。
[0007]进一步地，所述IGBT驱动电路组包括第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路，所述第一IGBT驱动电路包括第一电阻、第一二极管、第三电阻以及第六电阻，所述第二IGBT驱动电路包括第二电阻、第二二极管、第四电阻以及第五电阻，所述并联IGBT组包括第一IGBT和第二IGBT，所述驱动均衡电路包括一个背靠背二极管组，所述背靠背二极管组包括第三二极管和第四二极管；
[0008]所述第一二极管与所述第一电阻串联组成第一加速关断电路，所述第一加速关断电路与所述第三电阻并联；所述第三电阻的一端连接驱动信号DRI_PWM，另一端分别连接所述第六电阻和所述第一IGBT的门极，所述第六电阻为所述第一IGBT的输入电阻；
[0009]所述第二二极管与所述第二电阻串联组成第二加速关断电路，所述第二加速关断电路与所述第四电阻并联；所述第四电阻的一端连接所述驱动信号DRI_PWM，另一端分别连接所述第五电阻和所述第二IGBT的门极，所述第五电阻为所述第二IGBT的输入电阻；
[0010]所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极均与所述第二IGBT的门极相连，
所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阳极均与所述第一IGBT的门极相连。
[0011]进一步地，所述背靠背二极管组为2颗独立的二极管背靠背连接。
[0012]进一步地，所述背靠背二极管组为单颗封装的二极管组。
[0013]进一步地，所述二极管为肖特基二极管。
[0014]进一步地，所述IGBT驱动电路为磁隔、光隔或容隔驱动电路。
[0015]进一步地，所述并联IGBT组为2颗IGBT并联或多颗IGBT并联。
[0016]进一步地，所述IGBT为NPN型IGBT或PNP型IGBT。
[0017]本技术提供的IGBT并联驱动均衡电路具有以下优点：可以极大提高IGBT驱动电路一致性性能，大大提高并联IGBT静态均流能力，降低IGBT损耗，提高电路效率。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。
[0019]图1为本技术提供的IGBT并联驱动均衡电路的结构框图。
[0020]图2为本技术提供的IGBT并联驱动均衡电路的一种具体实施方式结构示意图。
具体实施方式
[0021]为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的便于散热的光伏逆变器其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。显然，所描述的实施例为本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
[0022]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0023]在本技术的解释中，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，除非是特殊标明。例如，连接可以是固定连接，也可以是通过特殊的接口连接，也可以是中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]在本实施例中提供了一种IGBT并联驱动均衡电路，如图1所示，所述IGBT并联驱动均衡电路包括IGBT驱动电路组、并联IGBT组和驱动均衡电路，所述IGBT驱动电路组包括多个并联的IGBT驱动电路，所述并联IGBT组包括多颗并联的IGBT，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT一一对应连接，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的连接处连接有所述驱动均衡电路。
[0025]具体地，所述IGBT驱动电路组包括IGBT驱动电路1、IGBT驱动电路2和IGBT驱动电
路n，所述并联IGBT组包括IGBT1、IGBT2和IGBT_N，所述驱动均衡电路包括背靠背二极管组3001、背靠背二极管组3002和背靠背二极管组3003；所述IGBT驱动电路1分别与IGBT1的门极G和发射极E连接，所述IGBT驱动电路2分别与IGBT2的门极G和发射极E连接，所述IGBT驱动电路n分别与IGBT_N的门极G和发射极E连接；驱动均衡电路3001分别与IGBT1的门极G和IGBT2的门极G相连，驱动均衡电路3002分别与IGBT1的门极G和IGBT_N的门极G相连，驱动均衡电路3003分别与IGBT2的门极G和IGBT_N的门极G相连。
[0026]优选地，所述驱动均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，包括IGBT驱动电路组、并联IGBT组和驱动均衡电路，所述IGBT驱动电路组包括多个并联的IGBT驱动电路，所述并联IGBT组包括多颗并联的IGBT，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT一一对应连接，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的连接处连接有所述驱动均衡电路。2.根据权利要求1所述的一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，所述驱动均衡电路包括多个首尾连接的背靠背二极管组，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的门极连接，每两个所述IGBT的门极之间连接有一个所述背靠背二极管组。3.根据权利要求2所述的一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，所述IGBT驱动电路组包括第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路，所述第一IGBT驱动电路包括第一电阻（R1）、第一二极管（D1）、第三电阻（R3）以及第六电阻（R6），所述第二IGBT驱动电路包括第二电阻（R2）、第二二极管（D2）、第四电阻（R4）以及第五电阻（R5），所述并联IGBT组包括第一IGBT（Q1）和第二IGBT（Q2），所述驱动均衡电路包括一个背靠背二极管组，所述背靠背二极管组包括第三二极管（D3）和第四二极管（D4）；所述第一二极管（D1）与所述第一电阻（R1）串联组成第一加速关断电路，所述第一加速关断电路与所述第三电阻（R3）并联；所述第三电阻（R3）的一端连接驱动信号DRI_PWM，另一端分别连接所述第六电阻（R6...

【专利技术属性】
技术研发人员：万腾飞，高荣，郑佳星，杨云涛，吴茂盛，
申请(专利权)人：麦田能源有限公司，
类型：新型
国别省市：