【技术实现步骤摘要】
一种IGBT并联驱动均衡电路
[0001]本技术涉及电力电子变化器
，更具体地，涉及一种IGBT并联驱动均衡电路。
技术介绍
[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于光伏逆变器领域。
[0003]随着光伏逆变器额定功率越来越大，单管IGBT已不能满足更大电流与散热热需求，并联的形式使IGBT具有更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势；但是，静态和动态均流问题的存在，限制了IGBT通流能力的利用率。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的不足，本技术提供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，包括IGBT驱动电路组、并联IGBT组和驱动均衡电路，所述IGBT驱动电路组包括多个并联的IGBT驱动电路，所述并联IGBT组包括多颗并联的IGBT，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT一一对应连接，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的连接处连接有所述驱动均衡电路。2.根据权利要求1所述的一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，所述驱动均衡电路包括多个首尾连接的背靠背二极管组，每一所述IGBT驱动电路与每一所述IGBT的门极连接，每两个所述IGBT的门极之间连接有一个所述背靠背二极管组。3.根据权利要求2所述的一种IGBT并联驱动均衡电路，其特征在于，所述IGBT驱动电路组包括第一IGBT驱动电路和第二IGBT驱动电路，所述第一IGBT驱动电路包括第一电阻（R1）、第一二极管（D1）、第三电阻（R3）以及第六电阻（R6），所述第二IGBT驱动电路包括第二电阻（R2）、第二二极管（D2）、第四电阻（R4）以及第五电阻（R5），所述并联IGBT组包括第一IGBT（Q1）和第二IGBT（Q2），所述驱动均衡电路包括一个背靠背二极管组，所述背靠背二极管组包括第三二极管（D3）和第四二极管（D4）；所述第一二极管（D1）与所述第一电阻（R1）串联组成第一加速关断电路，所述第一加速关断电路与所述第三电阻（R3）并联；所述第三电阻（R3）的一端连接驱动信号DRI_PWM，另一端分别连接所述第六电阻（R6...
【专利技术属性】
技术研发人员：万腾飞，高荣，郑佳星，杨云涛，吴茂盛，
申请(专利权)人：麦田能源有限公司，
类型：新型
国别省市：
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