一种塑壳断路器的复位电路制造技术

本实用新型专利技术适用于断路器电路技术领域，涉及一种塑壳断路器的复位电路，包括：按键开关K1通过二极管D1、电阻R4连接到MCU的IO口，按键开关K1通过二极管D1、电阻R5、二极管D2、电阻R6连接到12V转3.3V电路的使能脚，按键开关K1通过二极管D3、电阻R8、电阻R1连接到NMOS管V1的栅极，电阻R2、NMOS管V1串联后与电容C1并联连接到电阻R5和二极管D2；按键开关K2通过二极管D4、电阻R12连接到MCU的IO口，按键开关K2通过二极管D4、电阻R13、二极管D2、电阻R6连接到12V转3.3V电路的使能脚，按键开关K2通过二极管D5、电阻R14、电阻R11连接到NMOS管V2的栅极，电阻R9、NMOS管V2串联后与电容C2并联连接到电阻R13和二极管D2。本实用新型专利技术操作安全方便的同时不会影响现场维护和用户供电。时不会影响现场维护和用户供电。时不会影响现场维护和用户供电。

【技术实现步骤摘要】
一种塑壳断路器的复位电路


[0001]本技术属于断路器电路
，尤其涉及一种塑壳断路器的复位电路。

技术介绍

[0002]随着塑壳断路器智能化的发展，塑壳断路器所具备的功能越来越多，线路板越来越复杂，但由于异常干扰导致的系统死机风险也随之增加。在彻底解决干扰死机问题前，通常快速恢复现场运行的方式有三种，第一种方式可以采用掉电重启，此种方法不具备专门的复用电路，由于塑壳断路器同时具有电压取电和CT取电两种取电方式，现场维护过程中将塑壳断路器掉电重启就需要切断用户供电，此种方式给现场维护与居民用电带来诸多不便；第二种方式可采用单独的按键复位控制器进行恢复，但在此种方式下若复位控制器发生内部死锁的情况时将无法复位系统；第三种方式还可采用单独的按键复位电源方法进行恢复，但是此种方法容易引起误触发的情况。
[0003]因此，如何提供一种操作安全方便的同时不会影响现场维护和用户供电的复位电路是本
人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种塑壳断路器的复位电路，以解决现有技术中塑壳断路器维护时要切断用户电源导致影响现场维护以及居民用电的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用了如下的技术方案：
[0006]本技术提供了一种塑壳断路器的复位电路，包括：二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻 R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C1、电容C2、NMOS管V1、NMOS管 V2、按键开关K1和按键开关K2；其中，所述按键开关K1通过所述二极管D1、电阻R4连接到微控制单元MCU的IO口，所述按键开关K1通过所述二极管 D1、电阻R5、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.3V电路的使能脚，所述按键开关K1通过所述二极管D3、电阻R8、电阻R1连接到所述NMOS管 V1的栅极，所述电阻R2、NMOS管V1串联后与所述电容C1并联连接到所述电阻R5和所述二极管D2；所述按键开关K2通过所述二极管D4、电阻R12连接到微控制单元MCU的IO口，所述按键开关K2通过所述二极管D4、电阻 R13、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.3V电路的使能脚，所述按键开关K2通过所述二极管D5、电阻R14、电阻R11连接到所述NMOS管V2的栅极，所述电阻R9、NMOS管V2串联后与所述电容C2并联连接到所述电阻R13 和所述二极管D2。
[0007]进一步的，所述按键开关K1还通过所述二极管D1、电阻R4、电阻R3连接到3.3V电源。
[0008]进一步的，所述按键开关K2还通过所述二极管D4、电阻R12、电阻R10 连接到3.3V电源。
[0009]进一步的，所述按键开关K1还通过所述二极管D1、电阻R5、二极管D2、电阻R6、电阻
R7接地。
[0010]进一步的，所述按键开关K2通过所述二极管D4、电阻R13、二极管D2、电阻R6、电阻R7接地。
[0011]进一步的，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4和二极管D5均为共阴极双二极管，型号均为BAT54C。
[0012]进一步的，所述电阻R1、电阻R3、电阻R4、电阻R8、电阻R10、电阻 R11、电阻R14的阻值为10K，所述电阻R2、电阻R6、电阻R9的阻值为1K，所述阻值R5、电阻R7、电阻R13的阻值为100K。
[0013]进一步的，所述电容C1、电容C2的大小为10μF。
[0014]进一步的，所述NMOS管V1、NMOS管V2的型号为IRLML2502。
[0015]本技术提供的塑壳断路器的复位电路与现有技术相比，至少具有如下有益效果：
[0016]本技术操作安全方便的同时不会影响现场维护和用户供电。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的图作一个简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的一种塑壳断路器的复位电路的电路图；
[0019]图2为本技术实施例提供的一种塑壳断路器的复位电路的应用场景示意图。
具体实施方式
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有技术和科学术语与属于本技术
的技术人员通常理解的含义相同；本文在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术，例如，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。
[0021]本技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含；本技术的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。本技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中，当元件被称为“固定于”或“安装于”或“设置于”或“连接于”另一个元件上，它可以是直接或间接位于该另一个元件上。例如，当一个元件被称为“连接于”另一个元件上，它可以是直接或间接连接到该另一个元件上。
[0022]此外，在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0023]本技术提供了一种塑壳断路器的复位电路，应用于塑壳断路器的维护中，塑壳断路器的复位电路包括：
[0024]二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C1、电容C2、NMOS 管V1、NMOS管V2、按键开关K1和按键开关K2；其中，按键开关K1通过二极管D1、电阻R4连接到微控制单元MCU的IO口，按键开关K1通过二极管D1、电阻R5、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.3V电路的使能脚，按键开关K1通过二极管D3、电阻R8、电阻R1连接到NMOS管V1的栅极，电阻R2、NMOS管V1串联后与电容C1并联连接到电阻R5和二极管D2；按键开关K2通过二极管D4、电阻R12连接到微控制单元MCU的IO口，按键开关K2通过二极管D4、电阻R13、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种塑壳断路器的复位电路，其特征在于，包括：二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C1、电容C2、NMOS管V1、NMOS管V2、按键开关K1和按键开关K2；其中，所述按键开关K1通过所述二极管D1、电阻R4连接到微控制单元MCU的IO口，所述按键开关K1通过所述二极管D1、电阻R5、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.3V电路的使能脚，所述按键开关K1通过所述二极管D3、电阻R8、电阻R1连接到所述NMOS管V1的栅极，所述电阻R2、NMOS管V1串联后与所述电容C1并联连接到所述电阻R5和所述二极管D2；所述按键开关K2通过所述二极管D4、电阻R12连接到微控制单元MCU的IO口，所述按键开关K2通过所述二极管D4、电阻R13、二极管D2、电阻R6连接到外部12V转3.3V电路的使能脚，所述按键开关K2通过所述二极管D5、电阻R14、电阻R11连接到所述NMOS管V2的栅极，所述电阻R9、NMOS管V2串联后与所述电容C2并联连接到所述电阻R13和所述二极管D2。2.根据权利要求1所述的一种塑壳断路器的复位电路，其特征在于，所述按键开关K1还通...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴旭毅，石云烽，苏西蒙，
申请(专利权)人：威胜电气有限公司，
类型：新型
国别省市：