阵列基板和显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板和显示装置。该阵列基板包括数据线和信号线，各子像素单元包括像素电极，像素电极与数据线之间的距离为第一距离D1，像素电极与信号线之间的距离为第二距离D2，像素电极靠近数据线的边长为L1，靠近信号线的边长为L2；各子像素单元还包括驱动晶体管，驱动晶体管的源极与数据线和信号线中的一个相连，漏极与像素电极相连；驱动晶体管的漏极与源极的距离为第三距离D3，漏极与数据线和信号线中的另一个的距离为第四距离D4，源极在第二方向上的尺寸为L3，漏极在第二方向上的尺寸为L4，(E1*L1/D1+E2*L3/D3)和(E1*L2/D2+E2*L4/D4)的比值范围为0.9

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示装置


[0001]本公开实施例涉及一种阵列基板和显示装置。

技术介绍

[0002]随着技术的不断发展，显示面板被广泛地应用于各种电子设备，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、车载导航等。通常的显示面板可分为液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)。液晶显示面板具有响应速度快、分辨率高、集成度高、功耗小、成本低等优点，因而占据较大的市场份额。
[0003]通常，液晶显示面板通常包括阵列基板、对置基板、液晶层、第一偏光片和第二偏光片；阵列基板和对置基板相对设置，液晶层位于阵列基板和对置基板之间，第一偏光片位于阵列基板远离对置基板的一侧，第二偏光片位于对置基板远离阵列基板的一侧。阵列基板上设置有薄膜晶体管(TFT)和像素电极，液晶显示面板可通过薄膜晶体管向像素电极提供驱动电压以产生电场，该电场可使液晶层中液晶分子的分子排列改变，配合设置在液晶显示面板两侧的第一偏光片和第二偏光片，可形成液晶光阀，从而实现显示功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；多个子像素单元，位于所述衬底基板上，且沿第一方向和第二方向阵列设置，以形成在所述第一方向上延伸的子像素行和在所述第二方向上延伸的子像素列；栅线，位于所述衬底基板上，沿所述第一方向延伸并被配置为给所述子像素行提供栅极信号；数据线，位于所述衬底基板上，沿所述第二方向延伸；以及信号线，位于所述衬底基板上，沿所述第二方向延伸；其特征在于，所述数据线和所述信号线分别位于所述子像素列在所述第一方向上的两侧，各所述子像素单元包括像素电极，所述像素电极与所述数据线之间的距离为第一距离D1，所述像素电极与所述信号线之间的距离为第二距离D2，所述像素电极靠近所述数据线的边长为L1，所述像素电极靠近所述信号线的边长为L2，各所述子像素单元还包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括源极和漏极，所述源极与所述数据线和所述信号线中的一个相连，所述漏极与所述像素电极相连，所述漏极与所述源极在所述第一方向上的距离为第三距离D3，所述漏极与所述数据线和所述信号线中的另一个的距离为第四距离D4，所述源极在所述第二方向上的尺寸为L3，所述漏极在所述第二方向上的尺寸为L4，其中，(E1*L1/D1+E2*L3/D3)和(E1*L2/D2+E2*L4/D4)的比值范围为0.9
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1.1，E1为所述像素电极与所述数据线或所述信号线之间的膜层的介电常数，E2为所述信号线与所述源极或所述漏极之间的膜层的介电常数。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，(E1*L1/D1+E2*L3/D3)和(E1*L2/D2+E2*L4/D4)的比值范围为0.95
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1.05。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，(E1*L1/D1+E2*L3/D3)＝(E1*L2/D2+E2*L4/D4)。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述信号线均被配置为传输数据信号，所述子像素列中的部分所述子像素单元的所述源极与所述数据线相连，所述子像素列中的另一部分所述子像素单元的所述源极与所述信号线相连。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于第j个所述子像素列在所述第一方向上的一侧的所述数据线被配置向第j个所述子像素列提供数据信号，位于第j个所述子像素列在所述第一方向上的另一侧的所述信号线被配置为向第j+1个所述子像素列提供数据信号，所述j为大于等于1的正整数。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，位于第j个所述子像素列在所述第一方向上的一侧的所述信号线与位于第j+1个所述子像素列在所述第一方向上的一侧的所述数据线被配置为连接至同一信号端。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线被配置为传输公共电极信号。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述漏极的连接部位于所述像素电极在所述第一方向上的面积平分线上。
9.根据权利要求1
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7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极靠近所述数据线的边长L1和所述像素电极靠近所述信号线的边长L2相等，所述第一距离D1与所述第二距离D2相等。10.根据权利要求1
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7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源极在所述第二方向上的尺寸L3和所述漏极在所述第二方向上的尺寸L4相等，所述第三距离D3和所述第四距离D4相等。11.根据权利要求1
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7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，各所述子像素单元包括沿所述第二方向依次设置的第一区域和第二区域，所述像素电极位于所述第一区域，所述驱动晶体管位于第二区域。12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和与所述源极相连的所述数据线或所述信号线相对间隔设置，所述阵列基板还包括导电连接块，所述源极通过所述导电连接块和与所述源极相连的所述数据线或所述信号线相连，所述源极和与所述源极相连的所述数据线或所述信号线之间的距离为第五距离D5，所述第五距离D5与所述第四距离D4相等。13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素单元在所述第一方向上的宽度为Wpixel，所述驱动晶体管包括有源层，所述有源层的沟道区在所述第一方向上的长度为L，所述有源层的沟道区在所述第二方向上的长度为W，所述源极在所述第一方向上的宽度为Wsource，所述漏极在所述第一方向上的宽度为Wdrain，所述数据线和所述信号线在所述第一方向上的宽度为Wdata，所述有源层的沟道区在所述第一方向上的长度为L满足以下公式：Wsource+Wdrain＜L＜(Wpixel
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2Wdata
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Wsource
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Wdrain)/3。14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的沟道区在所述第一方向上的长度为L满足以下公式：Wsource+Wdrain＜L＜(Wpixel
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2Wdata
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Wsource
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Wdrain)/4。15.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述源极为与所述源极相连的所述数据线或所述信号线的一部分。16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素单元在所述第一方向上的宽度为Wpixel，所述驱动晶体管包括有源层，所述有源层的沟道区在所述第一方向上的长度为L，所述有源层的沟道区在所述第二方向上的长度为W，所述源极在所述第一方向上的宽度为Wsource，所述漏极在所述第一方向上的宽度为Wdrain，所述数据线和所述信号线在所述第一方向上的宽度为Wdata，所述有源层的沟道区在所述第一方向上的长度为L满足以下公式：Wsource+Wdrain＜L＜(Wpixel
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2Wdata
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Wdrain)/2。17.根据权利要求1
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7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影关于所述像素电极在所述第一方向上的面积平分线呈轴对称。18.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括第一畴、第二畴、第三畴和第四畴，所述第一畴和所述第二畴关于所述像素电极在所述第一方向上的面积平分线呈轴对
称，所述第三畴和所述第四畴关于所述像素电极在所述第一方向上的面积平分线呈轴对称，所述第一畴和所述第三畴沿所述第二方向依次设置，所述第二畴和所述第四畴沿所述第二方向依次设置。19.根据权利要求18所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括中间部，沿所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李必奇，先建波，江亮亮，周茂秀，程敏，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：新型
国别省市：