Q-调制半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Ｑ－调制半导体激光器，包含第一个光学腔和第二个光学腔，所述第一个光学腔是一个包含增益区域的谐振腔，所述第二个光学腔是一个包含调制器区域的反谐振腔；所述第二个光学腔通过一个部分反射的分隔元件与第一个光学腔相耦合，并作为激光器的后反射体；所述调制器区域的吸收系数通过一电致方法被调制并导致所述后反射体反射率和激光器Ｑ值的调制从而改变激光发射的阈值和输出能量。本实用新型专利技术有多种不同具体结构，其中第一个光学腔可分别基于分布反馈光栅、法布里－泊罗谐振腔、分布式布拉格光栅和波长可变的复合谐振腔结构。本实用新型专利技术的Ｑ－调制半导体激光器具有集成化、高速、高消光比、低波长啁啾和低成本等优点。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ｑ－调制半导体激光器，其特征在于包含第一个光学腔和第二个光学腔，所述的第一个光学腔是一个包含增益区域的谐振腔，所述的第二个光学腔是一个包含调制器区域的反谐振腔；所述的第二个光学腔位于激光器的后端并通过一个部分反射的分隔元件与第一个光学腔相耦合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何建军，
申请(专利权)人：何建军，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]