一种建立低剂量率水平辐射质的方法技术

本发明专利技术提供了一种建立低剂量率水平辐射质的方法，包括：使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到谱仪的道址与标准放射源的能量的转换关系；在标准辐射质下进行电离室刻度，得到标准辐射质的第一刻度系数；将光机的管电压分别设置为多个预设电压值，并在每个预设电压值下，调整管电流，并在多个预设管电流下，在距光机出口预设距离处通过谱仪测量能谱，通过电离室测量剂量率，并从多个待用过滤片中确定附加过滤，使得剂量率不大于预设的剂量率阈值；每个预设电压值对应一个新辐射质；能谱包括能量和计数率；根据计数率和能量，计算每个预设电压值对应的新辐射质的平均能量；根据标准辐射质的第一刻度系数，得到新辐射质的第二刻度系数。系数。系数。

【技术实现步骤摘要】
一种建立低剂量率水平辐射质的方法


[0001]本专利技术涉及辐射测量
，尤其涉及一种建立低剂量率水平辐射质的方法。

技术介绍

[0002]X射线标准辐射质的建立为X射线标准化使用提供参考，辐射质是对X射线注量谱进行描述的一种形式，目前GB12162.1，等同采用ISO4037，中建议的标准X射线辐射质包括低空气比释动能X射线辐射质系列(L系列)，窄谱系列(N系列)，宽谱系列(W系列)，高空气比释动能系列(H系列)。不同系列辐射质的分辨率，空气比释动能范围均不相同，这些辐射质按照增大过滤的顺序为：高空气比释动能系列，宽谱系列，窄谱系列，低空气比释动能系列。这四种系列X射线的剂量率值相对于X/γ射线能谱测量类仪器来说是较高的，难以覆盖10μGy/h以下剂量率级别的应用场景。
[0003]目前全国范围内，在上述标准辐射质条件下，在4～5m处剂量率均不低于5μGy/h，这给X射线低剂量率测量与溯源带来困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种建立低剂量率水平辐射质的方法，以解决现有技术中的X射线低剂量率测量的问题。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供了一种建立低剂量率水平辐射质的方法，所述方法包括：
[0006]使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到谱仪的道址与标准放射源的能量的转换关系；
[0007]在标准辐射质下进行电离室刻度，得到标准辐射质的第一刻度系数；
[0008]将光机的管电压分别设置为多个预设电压值，并在每个预设电压值下，调整管电流，并在多个预设管电流下，在距光机出口预设距离处通过谱仪测量能谱，通过电离室测量剂量率，并从多个待用过滤片中确定附加过滤，使得剂量率不大于预设的剂量率阈值；每个预设电压值对应一个新辐射质；所述能谱包括能量和计数率；
[0009]根据所述计数率和所述能量，计算每个预设电压值对应的新辐射质的平均能量；
[0010]根据所述标准辐射质的第一刻度系数，得到新辐射质的第二刻度系数。
[0011]在一种可能的实现方式中，方法之前还包括：
[0012]确定多个待用过滤片。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述确定多个待用过滤片具体包括：
[0014]测量每个过滤片的两个面中的每个面的第一数量个位置的厚度值，得到第二数量个厚度值；所述第二数量为第一数量的两倍；
[0015]计算第二数量个厚度值的平均值和标准偏差，当所述标准偏差小于等于预设比例阈值时，将所述平均值作为过滤片的厚度，并将所述过滤片作为一个待用过滤片；当所述标准偏差大于预设比例阈值时，剔除所述过滤片。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到谱仪的道址与标准放射源的能量的转换关系具体包括：
[0017]将标准放射源的全能峰位与能谱的道址对应，得到道址与能量的转换关系。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述在标准辐射质下进行电离室刻度，得到标准辐射质的第一刻度系数具体包括：
[0019]将10L球空腔电离室放置在距光机预设距离处，通过静电计进行计数；
[0020]在多个标准辐射质条件下，通过静电计读取电离电流，将电离电流与每个标准辐射质的标准剂量率进行对应，得到10L球空腔电离室在每个标准辐射质下的第一刻度系数。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述根据所述计数率和所述能量，计算每个预设电压值对应的新辐射质的平均能量具体包括：
[0022]根据公式计算每个新辐射质的平均能量；
[0023]其中，为平均能量；E为能谱分布中的能量，dE为能量宽度，n为探测能谱中能量落在E
±
dE范围内的计数率；i为探测器能谱中能量划分的道址序号，m为总道址数目。E
i
为探测器能谱中对应道址i的中心能量，n
i
为探测器能谱中落到道址i内的计数率。
[0024]在一种可能的实现方式中，所述根据所述标准辐射质的第一刻度系数，得到新辐射质的第二刻度系数具体包括：
[0025]根据公式计算第二刻度系数；
[0026]其中，E0和E1分别为与新辐射质相邻的标准辐射质的平均能量，c0和c1分别为与新辐射质相邻的两个标准辐射质的第一刻度系数，E
i
为新辐射质的平均能量，c为新辐射质的第二刻度系数。
[0027]在一种可能的实现方式中，多个预设电压值包括70KV、90KV、100KV、125KV和140KV，预设距离为4m。
[0028]在一种可能的实现方式中，所述预设的剂量率阈值为10μGy/h。
[0029]本专利技术实施例提供的建立低剂量率水平辐射质的方法，通过能量刻度和电离室刻度，实现利用谱仪、剂量仪完成特定位置处的能谱、剂量率的初测，并根据能谱计算其平均能量，之后结合插值算法实现电离室对该辐射质剂量率的准确测量，从而确定低剂量率水平辐射质，由此确定的辐射质能谱、剂量率水平等更加准确。进一步的，调节附加过滤Al、Sn、Cu片的厚度，使得距光机4m处的剂量率在设定的剂量率范围实现≤10μGy/h的覆盖。
附图说明
[0030]图1为本专利技术实施例提供的建立低剂量率水平辐射质的方法流程图之一；
[0031]图2为本专利技术实施例提供的建立低剂量率水平辐射质的方法流程图之二；
[0032]图3A为本专利技术实施例提供的70KV射线标准能谱图之一；
[0033]图3B为本专利技术实施例提供的70KV射线标准能谱图之二；
[0034]图4A为本专利技术实施例提供的90KV射线标准能谱图之一；
[0035]图4B为本专利技术实施例提供的90KV射线标准能谱图之二；
[0036]图5A为本专利技术实施例提供的100KV射线标准能谱图之一；
[0037]图5B为本专利技术实施例提供的100KV射线标准能谱图之二；
[0038]图6A为本专利技术实施例提供的125KV射线标准能谱图之一；
[0039]图6B为本专利技术实施例提供的125KV射线标准能谱图之二；
[0040]图7A为本专利技术实施例提供的140KV射线标准能谱图之一；
[0041]图7B为本专利技术实施例提供的140KV射线标准能谱图之二。
具体实施方式
[0042]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0043]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
[0044]图1为本专利技术实施例提供的用于建立低剂量率水平辐射质的方法流程示意图之一；如图1所示，该方法包括以下步骤：
[0045]步骤110，使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种建立低剂量率水平辐射质的方法，其特征在于，所述方法包括：使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到谱仪的道址与标准放射源的能量的转换关系；在标准辐射质下进行电离室刻度，得到标准辐射质的第一刻度系数；将光机的管电压分别设置为多个预设电压值，并在每个预设电压值下，调整管电流，并在多个预设管电流下，在距光机出口预设距离处通过谱仪测量能谱，通过电离室测量剂量率，并从多个待用过滤片中确定附加过滤，使得剂量率不大于预设的剂量率阈值；每个预设电压值对应一个新辐射质；所述能谱包括能量和计数率；根据所述计数率和所述能量，计算每个预设电压值对应的新辐射质的平均能量；根据所述标准辐射质的第一刻度系数，得到新辐射质的第二刻度系数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，方法之前还包括：确定多个待用过滤片。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定多个待用过滤片具体包括：测量每个过滤片的两个面中的每个面的第一数量个位置的厚度值，得到第二数量个厚度值；所述第二数量为第一数量的两倍；计算第二数量个厚度值的平均值和标准偏差，当所述标准偏差小于等于预设比例阈值时，将所述平均值作为过滤片的厚度，并将所述过滤片作为一个待用过滤片；当所述标准偏差大于预设比例阈值时，剔除所述过滤片。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用标准放射源对谱仪进行能量刻度，得到谱仪的道址与标准放射源的能量的转换关系具体包括：将标准放射源的全能峰位与能谱的道址对应，得到道址与能量的转换关系。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在标准辐射质下进...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建微，曹蕾，杨扬，李德红，张璇，张晓乐，刘博，成建波，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：