连接结构和形成连接结构的方法技术

一种连接结构包含：第一电子组件、缓冲层、异向性导电胶膜、和第二电子组件。第一电子组件包含第一基板和在第一基板上的第一导电元件。缓冲层设置在第一导电元件的上表面上。异向性导电胶膜包含绝缘胶层和在绝缘胶层中的第一导电粒子，绝缘胶层在缓冲层上。第二电子组件设置在第一电子组件上方并在异向性导电胶膜上且包含第二基板和在第二基板之下的第二导电元件，第一导电粒子电性连接第一导电元件和第二导电元件。缓冲层的热膨胀系数介于第一导电元件的热膨胀系数和绝缘胶层的热膨胀系数之间。在此亦提供形成连接结构的方法。系数之间。在此亦提供形成连接结构的方法。系数之间。在此亦提供形成连接结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
连接结构和形成连接结构的方法


[0001]本揭示内容系关于具有异向性导电胶膜的连接结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]异向性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，简称ACF)广泛用于不适合高温焊接的制程，例如积体电路(IC)与液晶显示器(LCD)、软性印刷电路板(FPC)与LCD、IC与薄膜之间的压合接合，以实现信号的传输与画面的显示。异向性导电胶膜是同时具有黏接、导电、绝缘三大特性的透明高分子连接材料，其显著特点是在Z方向(垂直方向)导通而在XY方向(水平方向)绝缘，可以解决一些连接器无法处理的细微导线连接问题。
[0003]异向性导电胶膜的贴合完整性和可靠性尤为重要。然而，习知的异向性导电胶膜的连接结构在使用一段时间后、或者进行例如压力蒸煮试验的可靠性测试时，发现在异向性导电胶膜的介面处容易发生开裂，造成电性失效。

技术实现思路

[0004]本揭示内容的一些实施方式提供了一种连接结构，包含第一电子组件、缓冲层、异向性导电胶膜、以及第二电子组件。第一电子组件包含第一基板和在第一基板之上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接结构，其特征在于，包含：第一电子组件，包含第一基板和在所述第一基板之上的第一导电元件；缓冲层，设置在所述第一电子组件的所述第一导电元件的上表面上；异向性导电胶膜，包含绝缘胶层和在所述绝缘胶层中的第一导电粒子，其中所述绝缘胶层设置在所述第一电子组件的所述第一基板和所述第一导电元件上方并且在所述缓冲层上；以及第二电子组件，设置在所述异向性导电胶膜上，所述第二电子组件包含第二基板和在所述第二基板之下的第二导电元件，其中所述第一导电粒子电性连接所述第一导电元件和所述第二导电元件；其中所述缓冲层的热膨胀系数介于所述第一导电元件的热膨胀系数和所述异向性导电胶膜的所述绝缘胶层的热膨胀系数之间。2.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述缓冲层的热膨胀系数为约20ppm/K至约50ppm/K。3.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述缓冲层包含有机薄膜、金属镀层、或其组合。4.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述缓冲层包含有机薄膜，并且所述第一导电粒子穿过所述缓冲层而电性连接所述第一导电元件。5.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述异向性导电胶膜还包含在所述绝缘胶层中的第二导电粒子，所述第二导电粒子不接触所述第一导电元件和所述第二导电元件，并且所述缓冲层的厚度为所述第二导电粒子的高度的约1/20至约1/5。6.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为锌、铝、镁、铅、镉、或其组合。7.如权利要求1所述的连接结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠君，姚念，
申请(专利权)人：业成光电深圳有限公司业成光电无锡有限公司英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：