电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法，包括硅烷搅拌桶，所述硅烷搅拌桶通过管道一与硅烷供给桶连接，所述管道一上设有蠕动泵，所述硅烷供给桶通过管道二与过滤器的入口连接，所述管道二上设有离心泵二，所述离心泵二与离心泵一并联，所述过滤器的出口分别通过管道与表面处理机的入口、轻元素X射线荧光分析仪的入口连接。本发明专利技术能够实现硅浓度范围为600

【技术实现步骤摘要】
电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法


[0001]本专利技术涉及铜箔表面处理
，具体来说，涉及一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法。

技术介绍

[0002]覆铜板作为一种多功能的电子层压复合材料，它是由不同的树脂、增强材料、填料、助剂、铜箔等多种材料组合而成的。由于各种材料的结构、性能差异巨大，各材料间的表面张力、相容性、 界面结合力等不同，使覆铜板的性能、稳定性、可靠性、均匀性及各项性能均受到影响。为了消除上述影响，提高覆铜板的综合性能就必须在铜箔加工及覆铜板的制造过程中引入偶联剂，以期解决基体树脂与玻纤布、填料及铜箔之间的界面结合的问题。
[0003]在表面硅烷化处理生产过程中，为了获得均匀、稳定的硅烷处理层产品，需要保持硅烷溶液浓度及活性的稳定。现有生产过程是通过补加硅烷原液来控制硅烷浓度，但是线上常因更换周期不明确而导致硅烷活性不稳定。硅烷原液补加过多，会造成硅烷原液浪费而导致铜箔硅烷涂层过厚，进而造成抗剥离指标低下，硅烷的过多聚合还会造成设备管路卡垢。补加过少，则会因硅浓度不足而造成铜箔硅烷涂层过薄和抗剥离指标低下。目前还有部分铜箔厂家通过化验数据来调整硅烷浓度，这种方法常因过程控制滞后，化验人员工作压力大，生产任务繁重等缺点，而无法保证工作按时按量完成。因此如何实现硅浓度的自动平衡调节成为了PCB客户们急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述技术问题，本专利技术提出一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法，能够克服现有技术的上述不足。
[0005]为实现上述技术目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，包括硅烷搅拌桶，所述硅烷搅拌桶通过管道一与硅烷供给桶连接，所述管道一上设有蠕动泵，所述硅烷供给桶通过管道二与过滤器的入口连接，所述管道二上设有离心泵二，所述离心泵二与离心泵一并联，所述过滤器的出口分别通过管道与表面处理机的入口、轻元素X射线荧光分析仪的入口连接，所述表面处理机的出口、所述轻元素X射线荧光分析仪的出口分别通过管道与所述硅烷供给桶连接；位于所述表面处理机入口端的管道上设有截止阀一和超声波流量计，位于所述轻元素X射线荧光分析仪入口端的管道上设有所述截止阀二，所述硅烷供给桶上设有温度传感器和压差变送器一，所述硅烷搅拌桶上设有压差变送器二，所述超声波流量计、所述轻元素X射线荧光分析仪、所述温度传感器、所述压差变送器一及所述压差变送器二均与DCS系统通信连接，所述DCS系统与PLC控制器连接。
[0006]进一步地，所述蠕动泵、所述离心泵二和所述离心泵一两端分别设有截止阀，所述蠕动泵、所述离心泵二和所述离心泵一均采用变频电机VFD驱动。
[0007]进一步地，，所述过滤器的顶部设有截止阀三，所述管道二靠近所述过滤器的一端上设有截止阀四。
[0008]一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制方法，包括如下步骤：S1 配置硅烷原液，控制室内温度为25℃，泡制用纯水，开启搅拌3小时；S2 搅拌均匀后，硅烷原液通过离心泵运送到硅烷供给桶中，温度传感器监测其温度，压差变送器监测其液位；S3 硅烷原液通过离心泵运送至过滤器进行过滤，过滤后的硅烷原液分成两路，一路通过超声波流量计监控运送到表面处理机进行铜箔的涂覆，另一路运送到轻元素X射线荧光分析仪，轻元素X射线荧光分析仪实时检测硅烷浓度，经过处理后的两路硅烷原液回到硅烷供给桶循环使用；S4 轻元素X射线荧光分析仪监测硅烷浓度，并输出4
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20mA电信号给DCS系统，DCS系统通过负反馈PID运算输出合适电信号使得蠕动泵调整功率来补加硅烷原液流量。
[0009]进一步地，S3中所述铜箔的厚度为12
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105μm。
[0010]进一步地，所述硅烷原液中硅烷浓度为600
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2500ppm。
[0011]本专利技术的有益效果：通过本专利技术的恒浓度控制装置及方法能够实现硅浓度范围为600
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2500ppm硅烷溶液的检测及自动调节，而且自动调节精度高、可靠性强、过程能力提升显著，能大幅度提升电子电路铜箔抗剥离性能，满足覆铜板客户对电子电路铜箔更低粗糙度、更高抗剥离强度的物理性能指标的要求。设备安装操作简单、维护容易，运行数据可视化，还可进行历史趋势监测，在不影响生产的情况下完成校准、调试等工作，大大地提高了工作效率。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是根据本专利技术实施例所述的恒温度控制装置连接示意图；图中：1、硅烷搅拌桶，2、管道一，3、硅烷供给桶，4、蠕动泵，5、截止阀一，6、管道二，7、过滤器，8、截止阀二，9、表面处理机，10、轻元素X射线荧光分析仪，11、超声波流量计，12、温度传感器，13、压差变送器一，14、变频电机VFD，15、离心泵一，16、离心泵二，17、压差变送器二，18、截止阀三，19、截止阀四。
具体实施方式
[0014]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0015]如图1所示，根据本专利技术实施例所述的一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，包括硅烷搅拌桶1，所述硅烷搅拌桶1通过管道一2与硅烷供给桶3连接，所述
管道一2上设有蠕动泵4，所述硅烷供给桶3通过管道二6与过滤器7的入口连接，所述管道二6上设有离心泵二16，所述离心泵二16与离心泵一15并联，所述过滤器7的出口分别通过管道与表面处理机9的入口、轻元素X射线荧光分析仪10的入口连接，所述表面处理机9的出口、所述轻元素X射线荧光分析仪10的出口分别通过管道与所述硅烷供给桶3连接；位于所述表面处理机9入口端的管道上设有截止阀一5和超声波流量计11，位于所述轻元素X射线荧光分析仪10入口端的管道上设有所述截止阀二8，所述硅烷供给桶3上设有温度传感器12和压差变送器一13，所述硅烷搅拌桶1上设有压差变送器二17，所述超声波流量计11、所述轻元素X射线荧光分析仪10、所述温度传感器12、所述压差变送器一13及所述压差变送器二17均与DCS系统通信连接，所述DCS系统与PLC控制器连接。
[0016]实施例中，所述蠕动泵4、所述离心泵二16和所述离心泵一15两端分别设有截止阀，所述蠕动泵4、所述离心泵二16和所述离心泵一15均采用变频电机VFD14驱动。
[0017]实施例中，所述过滤器7的顶部设有截止阀三18，所述管道二6靠近所述过滤器7的一端上设有截止阀四19本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，其特征在于，包括硅烷搅拌桶（1），所述硅烷搅拌桶（1）通过管道一（2）与硅烷供给桶（3）连接，所述管道一（2）上设有蠕动泵（4），所述硅烷供给桶（3）通过管道二（6）与过滤器（7）的入口连接，所述管道二（6）上设有离心泵二（16），所述离心泵二（16）与离心泵一（15）并联，所述过滤器（7）的出口分别通过管道与表面处理机（9）的入口、轻元素X射线荧光分析仪（10）的入口连接，所述表面处理机（9）的出口、所述轻元素X射线荧光分析仪（10）的出口分别通过管道与所述硅烷供给桶（3）连接；位于所述表面处理机（9）入口端的管道上设有截止阀一（5）和超声波流量计（11），位于所述轻元素X射线荧光分析仪（10）入口端的管道上设有所述截止阀二（8），所述硅烷供给桶（3）上设有温度传感器（12）和压差变送器一（13），所述硅烷搅拌桶（1）上设有压差变送器二（17），所述超声波流量计（11）、所述轻元素X射线荧光分析仪（10）、所述温度传感器（12）、所述压差变送器一（13）及所述压差变送器二（17）均与DCS系统通信连接，所述DCS系统与PLC控制器连接。2.根据权利要求1所述的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，其特征在于，所述蠕动泵（4）、所述离心泵二（16）和所述离心泵一（15）两端分别设有截止阀，所述蠕动泵（4）、所述离心泵二（16...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，龚凯凯，黄耀纬，黄先彬，洪秀发，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：