一种制备半导体量子点材料的方法技术

一种低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法，其特征在于，以无机盐作为原料，原料为含有镉离子的乙酸镉、氯化镉或者氧化镉，选用高沸点、强极性的溶剂作为反应介质，选用表面活性剂油酸、磷脂、卵磷脂、聚乙烯基吡啶对量子点的表面进行修饰，在玻璃烧瓶反应容器内，较低的反应温度１１０～１７０℃下反应３ｍｉｎ～６０ｍｉｎ，即可得到尺寸可调谐且单分散的半导体量子点材料。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺蓉，古宏晨，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：