【技术实现步骤摘要】
CNF
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MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法
[0001]本专利技术属于复合薄膜制备
，具体涉及CNF
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MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法。
技术介绍
[0002]目前，高性能的电磁干扰(EMI)屏蔽材料在控制或减轻电磁辐射污染方面起着至关重要的作用，电磁辐射污染严重影响着人类健康和灵敏的电子仪器和系统的正常功能。此外，便携式和可穿戴式智能电子产品的迅速普及，对更轻、更薄、更灵活、屏蔽效率更高的EMI屏蔽材料提出了更加严格的要求。然而，目前的大多数材料不能同时整合这些优异的特性。与传统的易腐蚀和重金属材料相比，碳纳米材料，特别是石墨烯片和碳纳米管，由于其高长径比、出色的电、热和机械性能，以及其组装成宏观薄膜或结构的有利能力，在EMI屏蔽应用中更有前景。然而，尽管在碳基屏蔽材料方面已经取得了一些有希望的进展，但要在小厚度下实现出色的EMI屏蔽性能仍然是一个巨大的挑战。
[0003]对于复合膜，通常通过电磁波的反射，吸收和多次反射来实现EMI屏蔽。电磁波首先被复...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.CNF
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MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，采用HCl/LiF对Ti3AlC2进行蚀刻分层制备得到MXene分散液；步骤2，将AgNWs分散液与PVA粘结剂充分混合，得到混合分散液，再与MXene分散液进行充分混合，通过机械搅拌，得到均匀的MXene/AgNWs混合分散液；步骤3，将CNF超声分散在去离子水中，得到分散均匀的CNF分散液；步骤4，采用真空抽滤的方法，将CNF分散液、MXene/AgNWs混合分散液过滤到混合纤维膜上，得到夹层结构的复合薄膜；步骤5，将步骤4得到CNF、MXene/AgNWs、CNF三层复合薄膜在液氮下进行纵向冷冻，直到薄膜完全冷冻，将完全冷冻的复合薄膜进行真空干燥，得到CNF
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MXene/银纳米线多孔复合薄膜。2.根据权利要求1所述的CNF
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MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，具体为：将LiF和HCl混合反应30min后，将Ti3AlC2粉末缓慢加入LiF和HCl的均匀混合物中，在35℃的条件下搅拌24h，得到充分反应后的混合分散液；之后以3500rpm的离心速度用去离子水上述混合分散液进行洗涤，直至上层清液的pH达到6.0为止，在180W下超声处理20min，最后在3500rpm的速率下离心1h，得到MXene分散液。3.根据权利要求1所述的...
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