一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及光电转换与存储领域，具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方，密封于反应釜中，放入烘箱中加热处理，待冷却至室温后取出基体，用去离子水清洗并烘干，得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜；进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛下热处理，得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。从而，为基于金属化合物纳米片单晶阵列薄膜构筑高效光电转化与存储器件提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及光电转换与存储领域，具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]二维材料在电子结构方面具有独特的物理化学性质(例如：从间接带隙到直接带隙，从金属到半导体的转变)，还包括光学吸收、载流子传输、分子和离子的吸附等方面的独特型，除此之外，其具有高的比表面积、多的反应活性位点等结构优势。这些特性使得二维材料有望成为太阳能驱动光催化系统的活性组分。为此，除了石墨烯之外，许多二维材料已经被用于构建各种光催化剂和光电极，这些光催化剂和光电极显著提高了太阳能转换效率和/或表现出一些独特的特征。同时垂直排列的纳米片具有较强的集光能力和良好的形貌，为进一步的异质结构制备提供了良好的条件，因此在太阳能转换方面具有较大的应用潜力。同时二维纳米材料具有与石墨烯相似的性质，对可充电锂离子电池而言具有高效率和循环性能，此外由二维结构组装成的三维导电基底在储能和传感器方面也有很大的优势，使得二维材料就有很好的应用价值和商业化价值。然而非原位生长在基底上的二维材料(粉体形式存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方，密封于反应釜中，放入烘箱中加热处理，待冷却至室温后取出基体，用去离子水清洗并烘干，得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜；或者，进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛热处理，得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。2.按照权利要求1所述的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，前驱体为各种形态的金属或合金基体以及各种表面沉积金属或合金涂层的基体。3.按照权利要求1所述的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液中，水和乙二醇的质量比例为0～0.5，卤化物的摩尔浓度为1mM～1000mM，卤化物包括各种卤化物盐或氢卤酸，卤化物盐为NaF、KF或NaCl，氢卤酸为HF、HCl或HBr。4.按照权利要求1所述的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，烘箱加热处理温度为80～220℃，加热处理时间为0.5h～24h。5.按照权利要求1所述的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，含...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岗，徐伟，甄超，成会明，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：