低电阻Ｔ形脊结构制造技术

本发明专利技术提供了一种用于提供低电阻互连的方法和装置。在牺牲层中靠近有源层界定孔洞。在孔洞中以及牺牲层与孔洞相邻的部分上形成过度生长层。在过度生长层中界定脊部分，并去除牺牲层的一些部分，以在脊部分下方的过度生长层中界定轴部分。所述脊部分具有比所述轴部分更大的横向尺寸，以减小有源层和将要被电耦合到脊部分的电互连之间的电阻。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体电路，更具体地说，本专利技术涉及用于降低在各种半导体器件中的串联电阻的低电阻T形脊结构。
技术介绍
半导体器件已经成为日常生活中不可或缺的一面。它们是集成电路(IC)技术开发和在市场中加以应用的基础构建单元。例如计算机、电信系统甚至家庭娱乐系统等都是使用半导体器件构建的。人们变得越来越依赖于IC技术以前所未有地提高他们的工作效率以及享受家庭娱乐。前面提到的IC应用已经稳步发展到了更小更快的封装阶段。在1965年，Gordon Moore发表了著名的言论，即每个IC的晶体管数量将成指数级增长。Moore的理论在今天也是正确的，并且每十八个月逻辑密度就大约翻一番。但是，随着IC逻辑密度的增加，热产生和热扩散已经成为技术进步以及继续实行Moore理论的主要障碍。的确，热扩散已经成为移动处理器(例如笔记本电脑)继续发展的主要限制因素。热产生的主要来源是半导体器件和它们的互连(interconnect)内的内部电阻。当电流流经具有相关电阻的半导体器件或互连时，就会产生热。热产生的一个不期望的副作用是电能和/或光能到热的转换，以及IC器件自身的热机械性破坏。这种不期本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在靠近有源层的牺牲层中界定孔洞；在所述孔洞中以及在所述牺牲层靠近所述孔洞的部分上方形成过度生长层；在所述过度生长层中界定脊部分；以及去除所述牺牲层的一些部分以在所述脊部分下方的所述过度生长层中界定轴部分，所述脊部分具有比所述轴部分更大的横向尺寸，以减小所述有源层和将被电耦合到所述脊部分的电互连之间的电阻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得J汉贝里，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]