【技术实现步骤摘要】
层叠体的制造方法及处理方法、用于该制造方法及处理方法的感光性树脂组合物
[0001]本专利技术涉及层叠体的制造方法及处理方法、用于该制造方法及处理方法的感光性树脂组合物。
技术介绍
[0002]近年来,随着数码机器等的高功能化,所搭载的可挠式显示器、半导体芯片(chip)等已薄型化,而难以利用以往的自动搬运来搬运因薄型化而强度降低的可挠式显示器、半导体芯片(chip)等。
[0003]因此,正检讨用以轻易地搬运经薄型化的可挠式显示器、半导体芯片(chip)等的方法。例如,对于在玻璃基板等支撑体上具有通过粘合剂层固定有半导体晶圆等被附着体的层叠体,从支撑体侧朝向粘合剂层照射光线,据此使粘合剂层改质或分解以降低粘合力,将支撑体与被附着体分离的方法。
[0004]例如,专利文献1中记载了一种电子装置的制层方法,其包含:将元件配置于形成有树脂层的基板上的步骤;及通过对树脂层进行激光照射,将配置于基板上的元件从上述基板分离再配置于另一基板上的步骤。根据专利文献1,于树脂层使用玻璃转移温度与热分解温度的差值为150℃以下 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种层叠体的制造方法,包含:在支撑体与被附着体的任一者或两者的表面形成粘合剂层的步骤;及通过前述所形成的粘合剂层,使前述支撑体与被附着体粘合的步骤;其中,前述粘合剂层由施加荷重50mN时的复原率为60%以上90%以下的材料所构成,前述层叠体会因对前述粘合剂层照射光而使前述支撑体与前述被附着体分离。2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法,其中,前述支撑体具有激光穿透性。3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法,其中,前述层叠体会因对前述粘合剂层照射波长为10nm以上400nm以下的前述光而使前述支撑体与前述被附着体分离。4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体的制造方法,其中,在前述进行粘合的步骤中,会因光硬化或热硬化而使前述粘合剂层硬化。5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体的制造方法,其中,前述粘合剂层由与玻璃基板的界面中的剪切强度(粘合强度)为5MPa以上40MPa以下的材料所构成。6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体的制造方法,其中,前述粘合剂层含有下述通式(1)所示的含不饱和基的碱可溶性树脂,式(1)中,Ar分别独立地为碳数6至14的芳香族烃基,键结的氢原子的一部分也可经选自由碳数1至10的烷基、碳数6至10的芳基或芳烷基、碳数3至10的环烷基或环烷基烷基、碳数1至5的烷氧基及卤基所成组中的取代基所取代;R1分别独立地为碳数2至4的亚烷基,l分别独立地为0至3的数;G分别独立地为(甲基)丙烯酰基、下述通式(2)或下述通式(3)所示的取代基,Y为4价的羧酸残基;Z分别独立地为氢原子或下述通式(4)所示的取代基,1个以上为下述通式(4)所示的取代基;n是平均值为1至20的数值;式(2)、(3)中,R2为氢原子或甲基,R3为碳数2至10的2价的亚烷基或烷基亚芳基,R4为碳数2至20的2价饱和或不饱和的烃基,p为0至10的数值;
式(4)中,W为2价或3价的羧酸残基,m为1或2的数值。7.一种层叠体的处理方法,包含:准备具有支撑体、粘合剂层及被附着体的层叠体的步骤;及对前述层叠体照射光线而将前述支撑体与前述被附着体分离的步骤;其中,前述粘合剂层由施加荷重50mN时的复原率为60%以上90%以下的材料所构成。8.根据权利要求7所述的层叠体的处理方法,在前述进行分离的步骤之前,包含对前述准备的前述层叠体进行加工的步骤。9.根据权利要求7或8所述的层叠体的处理方法,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:内田一幸,高野正臣,
申请(专利权)人:日铁化学材料株式会社,
类型:发明
国别省市:
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