一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法，包括以下步骤：在惰性气体(氩气)保护下，按原子计量比Bi:Se＝2:3的比例称取适量的Bi粉末、Se粉末，混合均匀后，封装入硬质合金模具中，在液压压片机中加压制得预制坯；将制得的预制坯装入发热体置于铰链式六面顶压机腔体中，在0.5GPa～1.5GPa压力下进行高压合成，设定加热速率为50～100K/min，高压合成的温度控制在1000K～1100K，保温30～60min，获得Bi2Se3层状块体材料。本发明专利技术工艺简单、能耗低，可有效稳定获得层状Bi2Se3块体材料，同时制备过程引入压力，可有效缩短制备周期和防止反应物被污染及氧化。止反应物被污染及氧化。止反应物被污染及氧化。

【技术实现步骤摘要】
一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法


[0001]本专利技术属于热电块体材料制备
，涉及一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法。

技术介绍

[0002]化石能源消耗日益增长和废热损失及衍生出的地球环境恶化问题严重制约了人类社会的稳定可持续发展，因而研究和开发环境友好型新能源解决全球能源环境问题已经刻不容缓。目前，对新能源的研究和开发主要集中在太阳能、风能、水能、热能等能源的二次发电利用上。热电材料作为废热回收生产优质电能及电能制冷技术的基础材料，制得的热电转换器件具有无传动部件、故障率低、可靠性高、使用寿命长、系统体积灵活、适用温度范围广、无噪音、无污染等特点，得到了各国能源材料科学家的广泛关注和研究。但是，由于其高昂的制备成本，目前仅仅应用于军事、航天等高精尖技术中而无法实现广泛的民用商用。因此，降低制备成本从而实现热电器件的广泛应用成为迫在眉睫的需要。
[0003]Bi2Se3的结构为六方晶系(空间群为)，属于窄禁带半导体(禁带宽度约为0.3eV)，相比于Bi2Te3热电材料具有更宽的温度使用范围和相对优异的电性能。同时，全球硒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、预制坯的制备：在惰性气体(氩气)保护下，按原子计量比Bi:Se＝2:3的比例称取适量高纯Bi粉末、Se粉末，混合均匀后，装入硬质合金模具中，液压压块制得预制坯；S2、块体材料的制备：将制得的预制坯装入发热体置于铰链式六面顶压机腔体中，在0.5GPa～1.5GPa压力下进行高压合成，高压合成的温度控制在1000K～1100K，保温30～60min，获得Bi2Se3层状块体材料。2.如权利要求1所述的一种硒化铋层状块体热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：康宇龙，郭丽，曹雄，
申请(专利权)人：康宇龙，
类型：发明
国别省市：