显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板中相邻的第一子像素组和第二子像素组中，第一子像素组的第一薄膜晶体管的栅极，以及第二子像素组的第二薄膜晶体管的栅极均连接第一栅极信号线。即第一子像素组中的第一薄膜晶体管的栅极，以及第二子像素组中的第二薄膜晶体管的栅极共用第一栅极信号线。由此可以节省显示面板的空间，便于预留出指纹识别区，能够使得显示面板实现屏下指纹识别的功能，提高显示面板的屏占比。屏占比。屏占比。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]显示面板包括衬底基板，以及位于衬底基板的一侧的多个子像素。每个子像素包括像素电路以及发光单元，像素电路用于驱动发光单元发光。
[0003]相关技术中，低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide，LTPO)显示面板中子像素的像素电路包括至少一个氧化物薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)显示面板中子像素的像素电路包括的TFT均为LTPS TFT。由于氧化物TFT相比LTPS TFT而言，可以节省电量，降低显示装置的功耗，因此现有的显示面板通常设计为LTPO显示面板。
[0004]但是，LTPO显示面板的工艺较复杂，且信号线较多，因此难以预留出指纹识别区以用于放置指纹识别装置，进而无法使得LTPO显示面板实现屏下指纹(fingerprint sensor on display)识别的功能，LTPO显示面板的屏占比较低。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决相关技术中显示面板的屏占比较低的问题。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
[0007]衬底基板；
[0008]位于所述衬底基板的一侧，且沿第一方向排布的多个子像素组；每个所述子像素组包括：沿第二方向排布的多个子像素，所述第二方向与所述第一方向相交；每个所述子像素包括像素电路以及与所述像素电路连接的发光单元；每个所述子像素的像素电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
[0009]其中，所述多个子像素组中存在相邻的第一子像素组和第二子像素组，所述第一子像素组中的第一薄膜晶体管的栅极与第一栅极信号线连接，且所述第二子像素组中的第二薄膜晶体管的栅极与第一栅极信号线连接。
[0010]可选的，所述第一薄膜晶体管的第一极与第一复位电源线连接；
[0011]所述第二薄膜晶体管的第一极与数据信号线连接。
[0012]可选的，在所述第一方向上，所述第一子像素组中第一薄膜晶体管与所述第二子像素组中第二薄膜晶体管之间的第一距离，小于所述第一子像素组中第一薄膜晶体管与所述第二子像素组中除所述第二薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第二距离。
[0013]可选的，每个所述子像素组中存在相邻的第一子像素和第二子像素；
[0014]所述第一子像素与所述第二子像素对称设置。
[0015]可选的，每个所述像素电路还包括第三薄膜晶体管；所述第一子像素中第三薄膜晶体管的第一极和所述第二子像素中第三薄膜晶体管的第一极均通过第一连接部与驱动
电源线连接；
[0016]其中，在所述第二方向上，所述第一子像素中第三薄膜晶体管与所述第二子像素中第三薄膜晶体管之间的第三距离，小于所述第一子像素中第三薄膜晶体管与所述第二子像素中除所述第三薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第四距离。
[0017]可选的，每个所述像素电路还包括第四薄膜晶体管；每个所述子像素组中存在与所述第一子像素相邻的第三子像素，所述第三子像素位于所述第一子像素远离所述第二子像素的一侧；
[0018]所述第一子像素中第四薄膜晶体管的第一极和所述第三子像素中第四薄膜晶体管的第一极均通过第二连接部与第二复位电源线连接；
[0019]其中，在所述第二方向上，所述第一子像素中第四薄膜晶体管与所述第三子像素中第四薄膜晶体管之间的第五距离，小于所述第一子像素中第四薄膜晶体管与所述第三子像素中除所述第四薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第六距离。
[0020]可选的，每个所述子像素的像素电路还包括：第五薄膜晶体管，第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管；
[0021]其中，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述发光单元连接；
[0022]所述第二薄膜晶体管的第二极与第一节点连接；
[0023]所述第三薄膜晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与驱动电源线连接，所述第三薄膜晶体管的第二极与所述第一节点连接；
[0024]所述第四薄膜晶体管的栅极与复位信号线连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与第二复位电源线连接，所述第四薄膜晶体管的第二极与第二节点连接；
[0025]所述第五薄膜晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第五薄膜晶体管的第一极与第三节点连接，所述第五薄膜晶体管的第二极与所述发光单元连接；
[0026]所述第六薄膜晶体管的栅极与第二栅极信号线连接，所述第六薄膜晶体管的第一极与所述第三节点连接，所述第六薄膜晶体管的第二极与第二节点连接。
[0027]所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二节点连接，所述第七薄膜晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第七薄膜晶体管的第二极与所述第三节点连接。
[0028]可选的，所述第四薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管；
[0029]所述第一薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管，以及所述第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
[0030]可选的，所述第四薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为N型晶体管；
[0031]所述第一薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管，以及所述第七薄膜晶体管均为P型晶体管。
[0032]可选的，所述显示面板包括构成所述像素电路且沿远离衬底基板的方向依次层叠的有源层，第一栅极绝缘层，第一栅极层，第二栅极绝缘层，第二栅极层，缓冲层，氧化物层，第三栅极绝缘层，第三栅极层，层间介电层，第一源漏极层，钝化层，第一平坦层以及第二源漏极层；
[0033]所述显示面板包括构成所述发光单元且沿远离衬底基板的方向依次层叠的阳极层，像素界定层，发光层以及阴极层。
[0034]可选的，所述第四薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管由所述第二栅极层，所述氧
化物层以及所述第三栅极层构成；
[0035]所述第一薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管，以及所述第七薄膜晶体管由所述有源层，所述第一栅极层，以及所述第一源漏极层构成。
[0036]可选的，所述第一栅极信号线和所述发光控制信号线位于所述第一栅极层；所述复位信号线和所述第二栅极信号线位于所述第三栅极层；所述第一复位电源线和所述第二复位电源线位于所述第一源漏极层；所述数据信号线位于所述第二源漏极层；所述驱动电源线位于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层。
[0037]可选的，每个所述子像素的像素电路还包括存储电容；
[0038]所述存储电容的一端与所述驱动电源线连接，所述存储电容的另一端与所述第二节点连接。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板；位于所述衬底基板的一侧，且沿第一方向排布的多个子像素组；每个所述子像素组包括：沿第二方向排布的多个子像素，所述第二方向与所述第一方向相交；每个所述子像素包括像素电路以及与所述像素电路连接的发光单元；每个所述像素电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述多个子像素组中存在相邻的第一子像素组和第二子像素组，所述第一子像素组中的第一薄膜晶体管的栅极与第一栅极信号线连接，且所述第二子像素组中的第二薄膜晶体管的栅极与第一栅极信号线连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的第一极与第一复位电源线连接；所述第二薄膜晶体管的第一极与数据信号线连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一子像素组中第一薄膜晶体管与所述第二子像素组中第二薄膜晶体管之间的第一距离，小于所述第一子像素组中第一薄膜晶体管与所述第二子像素组中除所述第二薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第二距离。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述子像素组中存在相邻的第一子像素和第二子像素；所述第一子像素与所述第二子像素对称设置。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，每个所述像素电路还包括第三薄膜晶体管；所述第一子像素中第三薄膜晶体管的第一极和所述第二子像素中第三薄膜晶体管的第一极均通过第一连接部与驱动电源线连接；其中，在所述第二方向上，所述第一子像素中第三薄膜晶体管与所述第二子像素中第三薄膜晶体管之间的第三距离，小于所述第一子像素中第三薄膜晶体管与所述第二子像素中除所述第三薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第四距离。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，每个所述像素电路还包括第四薄膜晶体管；每个所述子像素组中存在与所述第一子像素相邻的第三子像素，所述第三子像素位于所述第一子像素远离所述第二子像素的一侧；所述第一子像素中第四薄膜晶体管的第一极和所述第三子像素中第四薄膜晶体管的第一极均通过第二连接部与第二复位电源线连接；其中，在所述第二方向上，所述第一子像素中第四薄膜晶体管与所述第三子像素中第四薄膜晶体管之间的第五距离，小于所述第一子像素中第四薄膜晶体管与所述第三子像素中除所述第四薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管之间的第六距离。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，每个所述子像素的像素电路还包括：第五薄膜晶体管，第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述发光单元连接；所述第二薄膜晶体管的第二极与第一节点连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与驱动电源线连接，所述第三薄膜晶体管的第二极与所述第一节点连接；
所述第四薄膜晶体管的栅极与复位信号线连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与第二复位电源线连接，所述第四薄膜晶体管的第二极与第二节点连接；所述第五薄膜晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第五薄膜晶体管的第一极与第三节点连接，所述第五薄膜晶体管的第二极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丹，王佳丽，田学伟，刘珂，李硕，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：