一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备制造技术

本发明专利技术公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明专利技术通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明专利技术能按预设图案对硅片进行刻蚀。本发明专利技术能按预设图案对硅片进行刻蚀。本发明专利技术能按预设图案对硅片进行刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备


[0001]本专利技术属于硅纳米线结构材料制备
，具体涉及一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备。

技术介绍

[0002]硅材料价格低廉，且具有优良的性能，其加工工艺也已日趋完善，成为目前应用最广泛的半导体材料之一；在计算机、互联网和电子产业等领域得到了广泛的应用，当今世界，集成电路技术和电子元器件技术的蓬勃发展与硅材料半导体加工工艺的提升密不可分；此外，硅材料在生物医学、航空航天和新能源等领域也有着广泛的应用，尤其在煤炭、石油等能源紧张的今天，研究硅材料提高能源转化率和单位体积的储能对人类社会的发展进步有着重要且积极的意义。
[0003]目前制备硅纳米结构的方法主要为湿法刻蚀和干法刻蚀；湿法刻蚀相对于干法刻蚀具有操作简单，成本低的优点，更有利于产业化发展；而贵金属催化化学腐蚀作为湿法刻蚀的一种，对制备硅纳米结构具有重要的影响，但因为受到硅自身晶向力的影响，带电金属粒子的运动轨迹具有随机性，无法加工制备出所需晶格走向的微纳结构，不能控制刻蚀方向制备复杂的硅纳米结构；为解决上述问题，需要研本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，包括反应釜和釜端盖，其特征在于：还包括电机、连杆、超声发生器、石墨电极和和具有带电金属粒子的腐蚀液；所述的电机固定在釜端盖上；所述的连杆中部与电机的输出轴固定连接；所述连杆的两端均固定有光轴，两根光轴均垂直于连杆布置；每根光轴的下端均固定有石墨电极；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上；所述反应釜内部底面的超声发生器和釜端盖底面的超声发生器为一对，反应釜两侧壁上的两个超声发生器为一对；两个石墨电极均与交变电源连接。2.根据权利要求1所述的一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：巢炎，黄伟业，李彬，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：