恒流源背光电路制造技术

本实用新型专利技术涉及恒流源背光电路，其包括串联的贴片LED灯DD81

【技术实现步骤摘要】
恒流源背光电路


[0001]本技术涉及恒流源背光电路。

技术介绍

[0002]目前低成本电表以人工抄表为主，大部分抄表环境黑暗，需要使用手电灯照明设备，故电表具有背光照明系统是非常必要的。
[0003]在电子工业中，背光是一种照明的形式，常被用于LCD显示上。背光式和前光式不同之处在于背光是从侧边或是背后照射，而前光顾名思义则从前方照射。他们被用来增加在低光源环境中的照明度和电脑显示器、液晶荧幕上的亮度，以和CRT显示类似的方式产生出光。
[0004]以前电能表的背光电路原理是使用放大信号电路，但电路存在运行时电压不稳定，导致背光亮度不均匀的情况，且输入电压低，不能驱动多个晶体管。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题总的来说是提供一种恒流源背光电路，以解决针对电能表使用的背光驱动放大电路中，存在背光亮度不均匀，晶体管偶尔无法正常工作等现象。
[0006]为解决上述问题，本技术所采取的技术方案是：
[0007]一种恒流源背光电路，包括串联的贴片LED灯DD81
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DD83、电阻RD83
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RD85以及三极管QD81组成； 串联的贴片LED灯DD81
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DD83输出端通过电阻RD85电连接到三极管QD81集电极；
[0008]贴片LED灯DD81正极电连接恒流源电路的输入电压，输入电压为经过电源芯片输出或变压器整流后的HVDD；
[0009]电阻RD84一端电连接单片机控制信号Back Light Control，另一端连接到三极管QD81基极，三极管QD81发射极通过电阻RD83接到地。
[0010]作为上述技术方案的进一步改进：
[0011]当单片机控制信号Back Light Control电压上电时，单片机输出控制信号高电平使三极管导通，贴片LED被点亮，三极管QD81发射极路径的电流小于集电极路径的电流。
[0012]电阻RD85和RD8为调节可变电阻。
[0013]贴片LED灯DD81
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DD83为电磁式或胶粘式。
[0014]贴片LED灯DD81
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DD83粘贴有NFC标签或二维码 。
[0015]本技术恒流源背光电路，电流不变，三极管管工作在饱和区，作为开关使用；本技术设计合理、成本低廉、结实耐用、安全可靠、操作简单、省时省力、节约资金、结构紧凑且使用方便。本技术电路供电电压大，可同时多个驱动多个晶体管；大于二极管的导通压降后，恒流源，电流不受电压的变化而变化；背光亮度均匀；响应速度快，能长期稳定工作。
附图说明
[0016]图1是本技术的电路示意图。
具体实施方式
[0017]如图1，本次设计电路包括串联的贴片LED灯DD81
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DD83、电阻RD83
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RD85以及三极管QD81组成； 串联的贴片LED灯DD81
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DD83输出端通过电阻RD85电连接到三极管QD81集电极；
[0018]贴片LED灯DD81正极电连接恒流源电路的输入电压，输入电压为经过电源芯片输出或变压器整流后的HVDD；
[0019]电阻RD84一端电连接单片机控制信号Back Light Control，另一端连接到三极管QD81基极，三极管QD81发射极通过电阻RD83接到地。
[0020]当单片机控制信号Back Light Control电压上电时，单片机输出控制信号高电平使三极管导通，贴片LED被点亮，在参数上需要设置RD85和RD83的阻值，使三极管QD81发射极路径的电流小于集电极路径的电流，达到恒流效果。
[0021]作为扩展，三极管QD81可以是MOS管；电阻RD85和RD8为调节可变电阻。贴片LED灯DD81
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DD83为电磁式或胶粘式。
[0022]本技术充分描述是为了更加清楚的公开，而对于现有技术就不再一一列举。
[0023]最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；作为本领域技术人员对本技术的多个技术方案进行组合是显而易见的。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例技术方案的精神和范围。本技术未详尽描述的
技术实现思路
均为公知技术。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种恒流源背光电路，其特征在于：包括串联的贴片LED灯DD81
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DD83、电阻RD83
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RD85以及三极管QD81组成； 串联的贴片LED灯DD81
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DD83输出端通过电阻RD85电连接到三极管QD81集电极；贴片LED灯DD81正极电连接恒流源电路的输入电压，输入电压为经过电源芯片输出或变压器整流后的HVDD；电阻RD84一端电连接单片机控制信号Back Light Control，另一端连接到三极管QD81基极，三极管QD81发射极通过电阻RD83接到地。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炯，许珺，刘鑫禹，
申请(专利权)人：青岛乾程科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：