【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用
[0001]本专利技术属于纳米材料
,涉及一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用。
技术介绍
[0002]石墨烯作为一种新型二维碳纳米材料,具备优良的电学、光学及力学特性,因而在众多领域具有广泛的应用前景。石墨烯二维碳晶格骨架是上下对称分布的电子云,容易在层间形成非共价键形式π
‑
π键。石墨烯受其片层之间存在π
‑
π键以及强有力的范德华力,易发生团聚和堆叠现象。这极大地阻碍了石墨烯优良性能的充分发挥,限制了其广泛的应用和发展。石墨烯阵列是一种由石墨烯纳米片层构筑的三维宏观体结构,这种特殊的结构使得石墨烯片能够相互支撑,阻止团聚现象的产生。石墨烯阵列具有高的比表面积以及良好的电、热导率等优异性能,可以满足不同领域的应用需求。
[0003]与石墨烯类似,碳纳米洋葱由于其独特的零维球状结构和石墨化碳壳层的化学稳定性而具有很多优越的物理与化学性能,如电学性能、光学性能与电磁性能,因此其在很多领域都显示出了潜在应用的价 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱,其特征在于,包括石墨烯阵列以及原位生长于其表面的碳纳米洋葱,其中,石墨烯阵列的高度为1~20μm,层数1~10层,阵列呈随机分布;碳纳米洋葱的直径10~100nm,碳纳米洋葱具有以纳米金属为核、石墨化碳层为壳的核壳式结构,石墨化碳层为2~20。2.权利要求1所述一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)先将含金属的催化剂溶液旋涂于石墨烯阵列表面,烘干,煅烧,得到预处理石墨烯阵列;(2)预处理石墨烯阵列转移至CVD气氛炉中,通入惰性气体,升温,接着切换为通入碳氢混合气体,进行碳纳米洋葱的生长,生长结束后自然降温至室温即可。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述催化剂选自四氧化三铁纳米颗粒、二茂铁纳米颗粒、氧化钴纳米颗粒、氧化镍纳米颗粒、硝酸钴纳米颗粒或硝酸镍纳米颗粒中的任一种或几种,催化剂粒径为4~100nm。4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述催化剂溶液是将催化剂超声波分散于溶剂中而得,催化剂溶液的浓度为0.1~1.0m...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新禄,郑永汉,夏斓,
申请(专利权)人:惠州市金龙羽电缆实业发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。