一种铜电极异质结电池的清洗方法技术

技术编号:33092345 阅读:31 留言:0更新日期:2022-04-16 23:22
本发明专利技术公开了种铜电极异质结电池的清洗方法,所述方法包括如下步骤:铜电极电池在碱性微蚀刻铜后,进入破络化合物与无机酸的混合水溶液清洗,破除电池表面铜氨络合物,同时对电池表面的透明导电膜进行微蚀刻;将清洗后的电池经过多级DI水洗,烘干。本发明专利技术针对传统铜电极异质结电池碱性微蚀刻铜后进行DI水洗,无法完全去除残留铜氨络合物的问题,采用破络化合物与无机酸的混合水溶液清洗,可有效去除电池片表面残留的铜氨络合物,并对电池片表面的透明导电膜进行微蚀刻,去除导电膜表面损伤层,同时微蚀刻透明导电膜使其表面粗化有利于改善其亲水性,可进一步增强电池片与封装胶膜的粘接力。的粘接力。的粘接力。

【技术实现步骤摘要】
一种铜电极异质结电池的清洗方法


[0001]本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
,尤其涉及一种铜电极异质结电池的清洗方法。

技术介绍

[0002]在晶体硅电池工艺中采用铜电极化工艺相对丝网印刷银浆工艺具有成本低,细化电极栅线,减小遮光面积,提升电池效率等优势,符合光伏产业未来发展需求。
[0003]传统铜电极化工艺中铜电极成栅后进行微蚀刻,去除非遮光区的种子铜层,一般是采用碱性的CuCl2/NH4·
H2O/NH4Cl溶液进行微蚀刻,这种溶液中存在稳定的铜氨络合物,传统的微蚀刻后进行DI水洗,并无法完全去除残留络合物。残留的铜氨络合物会降低电池受光面的透光率,影响电池效率。

技术实现思路

[0004]针对上述问题,本专利技术提供了一种有效地去除铜电极异质结电池表面残留铜氨络合物,并对电池片表面的透明导电膜进行微蚀刻,去除导电膜表面损伤层的铜电极异质结电池的清洗方法。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案是:一种铜电极异质结电池的清洗方法,所述方法包括如下步骤:<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜电极异质结电池的清洗方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:铜电极电池在碱性微蚀刻铜后,进入破络化合物与无机酸的混合水溶液清洗,破除电池表面铜氨络合物,同时对电池表面的透明导电膜进行微蚀刻;将清洗后的电池经过多级DI水洗,烘干。2.根据权利要求1所述一种铜电极异质结电池的清洗方法,其特征在于:所述破络化合物与无机酸的混合水溶液清洗时间为10~120秒,清洗方式采用喷淋、浸泡其中的一种。3.根据权利要求1所述一种铜电极异质结电池的清洗方法,其特征在于:所述破络化合物为FeCl2、FeCl3、FeSO4、AlCl3、Fe2(SO4)3、MgCl...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢延权傅松楠尤宇文宋广华罗骞杨与胜
申请(专利权)人:福建钧石能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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